青年科学家狄增峰：科研管理两不误“半导体材料”寻发展
既是科学家，又是管理者，年近40岁的狄增峰有双重身份。 他是中国科学院上海微系统所科研部部长，同时也是该所的半导体材料科研人员。 半导体产业链相对长，从基础材料到制造工艺，再到系统应用这一长链中，狄增峰所研究的半导体材料是最基础、不太容易被关注的那端。他说，这块很难在短时间内“出彩”，显示度比较低，却是重要基础，所以科研人员一直坚持着。 狄增峰出生于江苏南通，1994年，他考入当地一所知名中学；1997年，他被保送到南京大学基础学科教学强化部。大学毕业后，他又被保送到中国科学院上海微系统所，在这里，他慢慢接触到半导体材料，对信息技术领域产生了兴趣。从上海微系统所博士毕业后，狄增峰曾赴海外从事博士后研究，博士后出站后回到中国科学院工作，至今8年。 总结他自己的研究领域，他说，“基本上是围绕半导体材料，包括SOI(Silicon On Insulator，绝缘体上硅)材料的相关技术往前推进，没有太多分叉路。” 所谓的S......阅读全文
青年科学家狄增峰：科研管理两不误 “半导体材料”寻发展
既是科学家，又是管理者，年近40岁的狄增峰有双重身份。 他是中国科学院上海微系统所科研部部长，同时也是该所的半导体材料科研人员。 半导体产业链相对长，从基础材料到制造工艺，再到系统应用这一长链中，狄增峰所研究的半导体材料是最基础、不太容易被关注的那端。他说，这块很难在短时间内“出彩”，显示度
上海微系统所等在硅纳米线阵列宽光谱发光研究获进展
近期，中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室SOI材料与器件课题组在硅纳米线阵列宽光谱发光方面取得新进展。课题组研究人员将SOI与表面等离子体技术相结合，研究了硅纳米线阵列的发光性能，并且与复旦大学合作借助时域有限差分法(FDTD)理论计算了硅纳米线发光峰位与纳米腔共振模
上海微系统所在锗衬底上直接制备出高质量单层石墨烯
Nature旗下期刊Scientific Reports(《科学报告》)近日刊发了中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室SOI课题组与超导课题组，采用化学气相淀积法(CVD)，在锗衬底上直接制备大面积、均匀的、高质量单层石墨烯的研究成果，文章题目为Direct Gro
狄大卫：以“好玩”的心态做科研
在和煦的阳光里往返于校区之间，搭建半导体光电器件前沿基础与应用研究的桥梁，这是浙江大学光电科学与工程学院研究员狄大卫近期工作的日常。 不久前，由狄大卫等人共同发明的一项技术，显著提高了绿光混合维度钙钛矿LED（发光二极管）的性能，为扩展钙钛矿LED器件设计的多样性作出了贡献。 此前，狄
上海微系统所“高迁移率材料工程”创新团队通过组建论证
10月26日，中科院高技术研究与发展局在上海组织召开创新团队国际合作伙伴计划“高迁移率材料工程”创新团队组建论证会，高技术局相关领导、创新团队论证专家组以及上海微系统与信息技术研究所创新团队的相关成员参加会议。 创新团队负责人王曦院士代表团队做了总体论证报告，阐述了研究高迁移
上海微系统所举办首期“新微技术论坛”
12月3日至4日，由中科院自动化所、中国计算机学会和中国人工智能学会联合主办、自动化所模式识别国家重点实验室承办的第六届中国生物识别学术会议在北京成功召开，来自国内外30多所高校和科研院所的100名科研人员共聚一堂，交流和探讨了人脸、虹膜、指纹、掌纹、步态、静脉、语音等多种模态生物特征识别的前沿
王曦：领航高端硅基产业蓝海
王曦，中国科学院院士，我国著名半导体材料学专家，中科院上海微系统与信息技术研究所所长、我国高端集成电路衬底材料的主要开拓者和领军人物。3月23日，他在上海科技奖励大会上获得了2017年度科技功臣奖。 在中国，如果提到高端硅基SOI材料研发和产业化，业内人士都会提到一个名字——王曦。 王曦，中
半导体热电材料
半导体热电材料（英文名：semiconductor thermoelectric material）指具有较大热电效应的半导体材料，亦称温差电材料。它能直接把热能转换成电能，或直接由电能产生致冷作用。 1821年，德国塞贝克（see—beck）在金属中发现温差电效应，仅在测量温度的温差电偶
近物所离子联合注入单晶硅制备SOI材料研究获进展
中科院近代物理研究所科研人员将320 kV高压平台提供的氦离子和氧离子联合注入单晶硅，研究氦离子注入所导致的氦泡和纳米空腔与氧原子的相互作用机理，获得进展。 实验中，科研人员首先向单晶硅中注入30 keV、3×1016/cm2的氦离子，然后将样品切成两块：一块做退火处理，退火温
MOS器件的发展与面临的挑战（二）
1.8HKMG技术当MOS器件的特征尺寸不断缩小45nm及以下时，为了改善短沟道效应，沟道的掺杂浓度不断提高，为了调节阈值电压Vt，栅氧化层的厚度也不断减小到1nm。1nm厚度的SiON栅介质层已不再是理想的绝缘体，栅极与衬底之间将会出现明显的量子隧穿效应，衬底的电子以量子的形式穿过栅介质层进入栅，