我国利用压电材料实现对MoS2场效应晶体管动、静态调控
自2004年Geim等人第一次在实验室得到单层石墨烯以来，二维材料的出现为传感器领域的进一步发展提供了可能，相对于传统的三维材料，二维材料的层状结构决定了其器件厚度可以达到单原子层，为实现更轻、更薄、体积更小的电子器件提供了可能。相较于其他二维材料，以单层二硫化钼 (MoS2) 为代表的二维半导体TMDs材料由于其优异的半导体性能（高开关比、迁移率）、合适的带隙宽度、高稳定性等特点使其在电子器件应用中展现出优势。除此之外，二硫化钼所具有的良好的电学、光学、机械性能以及异乎寻常的比表面积都为其在传感器应用领域铺平了道路。单层二硫化钼具有1.8 eV的带隙，理论计算表明在室温下迁移率和电流开关比分别可达到约410 cm2/Vs和109，为其场效应晶体管器件应用于多功能集成电路系统提供了可能。尽管二硫化钼本身具有众多优异的性能，满足未来传感器件在微型化、易于集成、轻薄等方面的需求，但是受制于其本身的压阻、压电效应都不明显，若利用简......阅读全文
化学所在有机场效应晶体管研究方面取得新进展
在中国科学院、科技部、国家自然科学基金委的支持下，中国科学院化学研究所有机固体院重点实验室相关研究人员在有机场效应晶体管的研究方面取得新进展，相关结果发表在Adv. Mater.上。 柔性是有机电子电路相对于传统硅基电子产品的一个独特优点。为了充分发挥有机半导体材料固有的柔性优势，科学
塑料制成的柔性电脑有望在十年后面市
柔性显示器 日本国家材料科学研究所的研究人员透露，晶体管制造技术的重大改进将很快成为现实，并投入使用，例如，被用来制造更加柔性，像纸一样薄的电脑屏幕。 科学家们回顾了光敏有机场效应晶体管研究的最新进展；包含有机半导体器件，放大微弱的电子信号，既能发射也能接受光线。 开发有机场效应晶体管(OFE
电源管理IC芯片该如何选择？（二）
本文将重点介绍4种主要的电源管理IC。1、LDO——最基本的电源IC，是一种低压差线性稳压器，使用在其饱和区域内运行的晶体管或场效应管（FET），从应用的输入电压中减去超额的电压，产生经过调节的输出电压。所谓压降电压，是指稳压器将输出电压维持在其额定值上下 100mV 之内所需的输入电压
胡文平研究员：为未来“明星材料”奠定科学基础
有机电视、电子纸、有机照明、有机太阳能电池……对普通人而言，“有机电子学”的概念可能是陌生的，但其应用已经走进了人们的视野。据国际知名有机电子咨询机构IDTechEx计算，有机电子器件在未来的20年里，有可能占据3000亿美元的市场份额，成为一个庞大的商业领域。 在有机电子学中，有机场效应晶体
青岛能源所在噻唑异靛蓝的合成和聚合方面取得突破
有机场效应晶体管因其在柔性集成电路、显示器和传感器等电子器件中的应用前景而受到科学界的广泛关注。开发性能优异的既能传导电子又能传导空穴的双极型共轭聚合物材料对于构筑逻辑电路有着重要的意义。异靛蓝（Isoindigo）是构筑此类材料的重要结构单元，而其结构的改造对相应有机场效应晶体管材料的性能影响
噻唑异靛蓝的合成和聚合研究取得突破
有机场效应晶体管因其在柔性集成电路、显示器和传感器等电子器件中的应用前景而受到科学界的广泛关注。开发性能优异的既能传导电子又能传导空穴的双极型共轭聚合物材料对于构筑逻辑电路有着重要的意义。异靛蓝（Isoindigo）是构筑此类材料的重要结构单元，而其结构的改造对相应有机场效应晶体管材料的性能影响显著
氮化镓半导体材料新型电子器件应用
GaN材料系列具有低的热产生率和高的击穿电场，是研制高温大功率电子器件和高频微波器件的重要材料。目前，随着 MBE技术在GaN材料应用中的进展和关键薄膜生长技术的突破，成功地生长出了GaN多种异质结构。用GaN材料制备出了金属场效应晶体管（MESFET）、异质结场效应晶体管(HFET)、调制掺杂场效
科学家研发成功新型压电材料
西安交通大学材料学院教授孙军、丁向东团队博士生袁睿豪、薛德祯副教授等与美国洛斯阿拉莫斯国家实验室的Turab Lookman教授合作，利用机器学习技术研发成功新型压电材料，该研究成果近日在线发表于《先进功能材料》。 科研人员提出了一个基于主动学习技术的材料设计方法，并应用于加速设计开发新型压电
已被证实的世界上最薄压电材料
有少数材料能够很容易产生突变，压电材料就是一种。当你弯曲，拉伸或者对其施加另一种机械力时，就能产生电。反之亦然，当在两端施加电压，它们就会相应地变形。该材料目前主要集中于研究其在能量收集，人造肌肉和传感器，及除此之外其他方面的潜在应用。这种材料还能应用于日常用的设备中，例如扬声器，就是依靠压电片
这个领域4天内连续发表Science、Nature－Nano.和Nature－Electronics
范德华异质结作为一种新型的结构，在光电器件领域展示出无限的魔力，在经历过2019年的狂欢之后，2020年刚刚开始，又开始展露实力。 2020年1月31日，东京大学首先在Science发力，报道了渴望已久的一维范德华异质结。2月3日，苏黎世联邦理工学院在Nature Nanotechnology
长春光机所等在钙钛矿单晶场效应晶体管方面取得进展
近日，中国科学院长春光学精密机械与物理研究所郭春雷中美联合光子实验室与阿卜杜拉国王科技大学（沙特）、北卡罗来纳大学教堂山分校（美国）等单位合作在制备基于钙钛矿的场效应晶体管方面取得新进展。 在过去的十年中，有机-无机杂化钙钛矿在光伏、光电探测、发光等领域的研究获得巨大进展。然而，利用钙钛矿材料
极陡峭亚阈值摆幅场效应晶体管实高灵敏室温光电探测
近日，中科院上海技术物理研究所王建禄研究员,胡伟达研究员与中科院微电子所刘琦研究员等人合作，设计出一种极陡峭亚阈值摆幅的场效应晶体管，并基于该结构实现了极高灵敏光电探测功能，综合利用了铁电负电容效应、铁电极化诱导局域场效应及“photogating”效应，基于铁电局域静电场和铁电负电容效应的共同
研究人员开发新技术－可将不同材料集成于单一芯片层
以前，只有晶格非常匹配的材料能被整合在一个芯片层上。据美国麻省理工学院（MIT）网站27日报道，该校研究人员开发了一种全新的芯片制造技术，可将两种晶格大小非常不一致的材料——二硫化钼和石墨烯集成在一层上，制造出通用计算机所需的电路元件芯片。最新研究或有助于功能更强大计算机的研制。 在实验中，研
简述锂电材料二硫化钼的催化作用
MoS2用作石化，例如加氢脱硫中脱硫的辅助催化剂。MoS2催化剂的有效性通过添加少量的钴或者镍得到增强。这些硫化物的紧密混合物是负载在氧化铝上。这种催化剂是通过用下列物质处理钼酸盐/钴或镍浸渍氧化铝原位生成的H2S或者等效的试剂。催化作用不发生在微晶的规则片状区域，而是发生在这些平面的边缘。
简述锂电池材料二硫化钼的日常防护
防护措施 工程控制：密闭操作，局部排风。 呼吸系统防护：空气中粉尘浓度超标时，建议佩戴自吸过滤式防尘口罩。紧急事态抢救或撤离时，应该佩戴空气呼吸器。 眼睛防护： 戴化学安全防护眼镜。 身体防护：穿防毒物渗透工作服。 手防护：戴乳胶手套。 其它：注意个人清洁卫生。 急救措施 吸入：
锂电池材料二硫化钼的生产相关介绍
二硫化钼天然存在于辉钼矿、结晶矿物或胶硫钼矿中——一种稀有的低温辉钼矿。辉钼矿通过浮选处理得到相对纯净的二硫化钼。主要污染物是碳。MoS2也可通过用硫化氢或元素硫对几乎所有钼化合物进行热处理而产生，并可通过五氯化钼的复分解反应产生。
清华团队首次实现具有亚1纳米栅极长度的晶体管
晶体管是芯片的核心元器件。更小的栅极尺寸可以使得芯片上集成更多的晶体管，并带来性能上的提升。近日，清华大学集成电路学院教授任天令团队在小尺寸晶体管研究方面取得重要进展，首次实现了具有亚1纳米栅极长度的晶体管，该晶体管具有良好的电学性能。相关成果以“具有亚1纳米栅极长度的垂直硫化钼晶体管”为题，在
我国学者首次实现具有亚1纳米栅极长度的晶体管
晶体管是芯片的核心元器件。更小的栅极尺寸可以使得芯片上集成更多的晶体管，并带来性能上的提升。近日，清华大学集成电路学院教授任天令团队在小尺寸晶体管研究方面取得重要进展，首次实现了具有亚1纳米栅极长度的晶体管，该晶体管具有良好的电学性能。相关成果以“具有亚1纳米栅极长度的垂直硫化钼晶体管”为题，在线发
声致压电材料及超声压电动力学肿瘤治疗研究获进展
压电材料产生电荷直接作用于介质或促进活性氧（ROS）的产生，从而实现超声触发的新型肿瘤治疗。声动力学治疗（SDT）是利用低强度超声和声敏化剂产生抗肿瘤效应的治疗方法，具有很强的组织穿透性、时空可控性和非侵入性，在肿瘤治疗领域备受关注。对于压电声敏化剂来说，产生高的压电电压以克服带隙势垒直接产生电
声致压电材料及超声压电动力学肿瘤治疗研究获进展
压电材料产生电荷直接作用于介质或促进活性氧（ROS）的产生，从而实现超声触发的新型肿瘤治疗。声动力学治疗（SDT）是利用低强度超声和声敏化剂产生抗肿瘤效应的治疗方法，具有很强的组织穿透性、时空可控性和非侵入性，在肿瘤治疗领域备受关注。对于压电声敏化剂来说，产生高的压电电压以克服带隙势垒直接产生电
化学所在有机场效应光电功能集成器件方面取得新进展
有机场效应晶体管(OFET)是有机电路的基本构筑基元，在驱动显示，柔性、可印刷大面积电子学，可穿戴电子等方面具有重要应用前景。高性能有机场效应晶体管器件的构筑是推动实现其真正应用的重要研究目标。 在中国科学院先导项目和国家自然科学基金委支持下，中科院化学研究所有机固体重点实验室董焕丽课题组与天
美国科学家研制出全球最纤薄发电机兼力学感知设备
美国科学家在近日出版的《自然》杂志在线版报告称，他们首次在一块单个原子厚度的二硫化钼（MoS2）内观察到了压电效应，证实了此前的理论预测，并研制出全球最纤薄的发电机兼力学感知设备，其不仅非常透明轻质且可弯曲可拉伸。 压电效应指的是拉伸或按压一种材料会导致其产生电压，或者反过来，施加电压会导致物
“记忆晶体管”可同时存储和处理信息
《自然》杂志22日在线发布的一项研究成果显示，美国西北大学科学家开发了一种被称为“记忆晶体管”的新型器件，能同时发挥存储器和信息处理功能，运行方式非常类似神经元。 计算机有单独的处理和存储单元，而大脑使用神经元来执行这两种功能。据物理学家组织网报道，凭借忆阻器和晶体管的组合特性，该新型器件包含
二硫化钼纳米片功函数相关研究获进展
哈尔滨工业大学的研究人员在二维二硫化钼(MoS2)纳米片功函数及载流子浓度调控研究方面取得进展，相关论文日前在《美国化学会·纳米》刊发。 据介绍，与石墨烯相比，二维MoS2纳米片具有合适的带隙，适用于光检测等功能器件。金属电极与MoS2纳米片之间的电接触行为对器件性能的影响很大，研究者需要
场效应管的类型介绍
标准电压下的耗尽型场效应管。从左到右依次依次为：结型场效应管，多晶硅金属—氧化物—半导体场效应管，双栅极金属—氧化物—半导体场效应管，金属栅极金属—氧化物—半导体场效应管，金属半导体场效应管。 耗尽层 , 电子 , 空穴 ,金属,绝缘体. 上方：源极，下方：漏极，左方：栅极，右方：主体。电压导致
通过阻挡电子注入来改善p型有机场效应晶体管的理想性
苏州大学揭建胜团队Adv. Funct. Mater.： 自1986年第一个基于有机半导体材料的场效应晶体管被报道以来，有机场效应晶体管（OFET）在化学、物理、材料以及微电子领域都得到了研究人员的广泛关注。在器件应用方面，OFET被认为是未来有机柔性集成器件的基本构成单元，可广泛应用于柔性智
简介场效应管的组成
FET由各种半导体构成，目前硅是最常见的。大部分的FET是由传统块体半导体制造技术制造，使用单晶半导体硅片作为反应区，或者沟道。 大部分的不常见体材料，主要有非晶硅、多晶硅或其它在薄膜晶体管中，或者有机场效应晶体管中的非晶半导体。有机场效应晶体管基于有机半导体，常常用有机栅绝缘体和电极。
研究者开发出石墨烯的“竞争者”——二硫化钼
宾夕法尼亚大学的研究人员研究出了可控的、导电能力能被开启和关闭的、能够自发光的硅的替代品——二硫化钼。 石墨烯，一种单原子厚度的碳原子晶格材料，由于其极高的导电性和无与伦比的薄而经常被吹捧作为硅的替代品用在电子器件领域。但石墨烯并不是唯一能够扮演这样角色的二维材料。 宾夕
锂电池材料二硫化钼的基本信息介绍
管制信息：本品不受管制 中文名称：二硫化钼 英文别名：Molybdenum(IV)sulfide，Molybdenumdisulfide，Molybdicsulfide CAS号：1317-33-5 EINECS号：215-263-9 化学式：MoS2 相对分子质量：160.07
我国科研人员为氧化镓晶体管找到新结构方案
26日，记者从中国科学技术大学获悉，该校微电子学院龙世兵教授课题组联合中科院苏州纳米所加工平台，分别采用氧气氛围退火和氮离子注入技术，首次研制出了氧化镓垂直槽栅场效应晶体管。相关研究成果日前分别在线发表于《应用物理通信》《IEEE电子设备通信》上。 作为新一代功率半导体材料，氧化镓的p型掺杂目前