基于<111>,<100>和<110>取向GaAs的IMPATT二极管:探索毫米...1

基于<111>,<100>和<110>取向GaAs的IMPATT二极管:探索毫米波大气窗最佳方向的比较研究1. IntroductionImpact avalanche transit time (IMPATT) diodes are well recognized two terminal solid-state devices to deliver sufficiently high power at both microwave and mm-wave frequency bands [1]. Silicon is the most popular base material for IMPATT diodes from the point of view of its advanced process technology [2–6]. However, GaAs is......阅读全文

毫米波与太赫兹技术(四)

4.2、太赫兹天线随着对太赫兹技术研究的深入,太赫兹天线也逐渐成为研究热点。太赫兹频段相比微波毫米波频段有着更高的工作频率,对应的波长也短很多。由于天线尺寸与波长的相关性,太赫兹天线具有尺寸小的天然优势,但也对加工制作带来了挑战。类似于低频段通信的天线需求,太赫兹天线也分全向天线、定向天线以及多波束

肖基特二极管和开关二极管的区别

1:开关二极管是利用二极管的单向导电性,在半导体PN结加上正向偏压后,在导通状态下,电阻很小(几十到几百欧);加上反向偏压后截止,其电阻很大(硅管在100MΩ以上)。利用开关二极管的这一特性,在电路中起到控制电流通过或关断的作用,成为一个理想的电子开关。开关二极管的正向电阻很小,反向电阻很大,开关速

毫米波与太赫兹技术

今日推荐文章作者为东南大学毫米波国家重点实验室主任、IEEE Fellow 著名毫米波专家洪伟教授,本文选自《毫米波与太赫兹技术》,发表于《中国科学: 信息科学》2016 年第46卷第8 期——《信息科学与技术若干前沿问题评述专刊》,射频百花潭配图。引言随着对电磁波谱的不断探索, 人类对电子学和光学

激光雷达和毫米波雷达的区别

激光雷达与毫米波雷达的具体区别如下:从工作原理上来讲,激光雷达和毫米波雷达基本类似,都是利用回波成像来构显被探测物体的,就相当于人类用双眼探知而蝙蝠是依靠超声波探知的区别。不过激光雷达发射的电磁波是一条直线,主要以光粒子发射为主要方法,而毫米波雷达发射出去的电磁波是一个锥状的波束,这个波段的天线主要

大连化物所提出“溶剂–添加剂级联调控”策略实现单一取向钙钛矿薄膜制备

近日,太阳能光电转化与利用全国重点实验室、我所太阳能研究部(DNL16)李灿院士、刘劼玮副研究员等,在钙钛矿太阳电池晶面调控研究中取得新进展。研究团队提出“溶剂–添加剂级联调控”(Solvent–Additive Cascade Regulation,SACR)策略,通过协同调节溶剂诱导的中间相形成

红外光电测距仪的构造与组成

红外测距仪主要由调制光发射单元、接收单元、测相单元、计数显示单元、逻辑控制单元和电源变换器等部分组成。其光源通常为砷化稼(GaAs)半导体发光二极管。当有相当大的电流正向通过GaAs二极管的P-N结时,P-N结里就会发射出波长为0.72μm、0.94μm的近红外光,这是由于在掺杂的GaAs半导体中电

红外测距仪的结构组成

红外测距仪主要由调制光发射单元、接收单元、测相单元、计数显示单元、逻辑控制单元和电源变换器等部分组成。其光源通常为砷化稼(GaAs)半导体发光二极管。当有相当大的电流正向通过GaAs二极管的P-N结时,P-N结里就会发射出波长为0.72μm、0.94μm的近红外光,这是由于在掺杂的GaAs半导体中电

肖特基二极管和稳压二极管有什么区别

肖特基二极管不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此,SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管,它是一种热载流子二极管。由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度,故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低(约

半导体所设计出大功率量子阱激光器宽谱光源

  半导体宽谱光源在传感、光谱学、生物医学成像等方面具有广泛的应用前景,但目前所采用的发光管(LEDs)和超辐射二极管(SLD)因其发射功率低而有所局限,所以研发大功率的宽谱激光器具有重要意义。   最近,中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室潘教青研究员在指导研究生从事大功率激光器研究中,设计并

X射线衍射分析对单晶取向和多晶织构测定

  单晶取向的测定就是找出晶体样品中晶体学取向与样品外坐标系的位向关系。虽然可以用光学方法等物理方法确定 单晶取向,但X 衍射法不仅可以精确地单晶定向,同时还能得到晶体内部微观结构的信息。一般用劳埃法 单晶定向,其根据是底片上劳埃斑点转换的极射赤面投影与样品外坐标轴的极射赤面投影之间的位置关系。透射

球差校正透射电镜

电子显微镜的分辨本领由于受到电子透镜球差的限制,人们力图像光学透镜那样来减少或消除球差。但是,早在1936年Scherzer就指出,对于常用的无空间电荷且不随时间变化的旋转对称电子透镜,球差恒为正值。在40年代由于兼顾电子物镜的衍射和球差,电子显微镜的理论分辨本领约为0.5nm。校正电子透镜的主要像

基于PCR技术的染色质沉淀分析1

INTRODUCTIONAfter chromatin immunoprecipitation (ChIP), different PCR-based approaches can be used to determine how much DNA is precipitated at a locu

细胞化学基础​分子取向力

取向力(orientation force 也称dipole-dipole force)取向力发生在极性分子与极性分子之间。由于极性分子的电性分布不均匀,一端带正电,一端带负电,形成偶极。因此,当两个极性分子相互接近时,由于它们偶极的同极相斥,异极相吸,两个分子必将发生相对转动。这种偶极子的互相转动

肖特基二极管和整流二极管区别在哪里

肖特基(Schottky)二极管是一种快恢复二极管,它属一种低功耗、超高速半导体器件。其显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V左右。肖特基(Schottky)二极管多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管,也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号

肖特基二极管和快恢复二极管又什么区别?

   对于高频开关电源来说,由于频率很高(相位变换)当正半周时二极管正篇导通此时无影响,如果肖特基二极管反向恢复比较慢时,当负半周到来由于肖特基二极管还没有从正偏时的导通状态变成截止相当于短路就等于是负半周的电压与正半周的电压叠加在肖特基二极管两端,由于频率很快,反向的时间就很短(等同与短路时间很短

肖特基二极管和快恢复二极管有什么区别详解

   肖特基二极管的基本原理是:在金属(例如铅)和半导体(N型硅片)的接触面上,用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其特长是:开关速度非常快:反向恢复时间特别地短。因此,能制作开关二极管和低压大电流整流二极管。  肖特基二极管它是具有

1月10日新增确诊病例192例:本土110例

1月10日0—24时,31个省(自治区、直辖市)和新疆生产建设兵团报告新增确诊病例192例。其中境外输入病例82例(上海27例,广东18例,福建10例,天津8例,浙江7例,广西5例,四川2例,云南2例,北京1例,江苏1例,河南1例),含8例由无症状感染者转为确诊病例(浙江3例,天津2例,广东2例,河

上海光机所等在强场分子物理前沿研究中取得新进展

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  近期,固体所功能材料研究室尹利华等研究人员在钙钛矿结构Cr基氧化物的磁性及磁电效应等方面的研究获得新进展,相关结果相继发表在Applied Physics Letters (Appl. Phys. Lett. 111, 072402 (2017); Appl. Phys. Lett. 110,

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100万元/年,基金委发布原创探索计划项目指南

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简述信息素与性取向的关系

  瑞典科学家萨维克(Ivanka Savic)早在2001年就利用正电子发射计算机断层扫描以及功能性磁振造影证实男性信息素雄二烯酮会诱发异性恋女性脑下丘脑前端控制情绪,情感与性行为的活化反应,女性信息素雌四烯醇则会诱发异性恋男性脑下丘脑前端制情感与性行为的活化反应。  2004年,萨维克进一步对1

取向力、诱导力、色散力的关系

极性分子与极性分子之间,取向力、诱导力、色散力都存在;极性分子与非极性分子之间,则存在诱导力和色散力;非极性分子与非极性分子之间,则只存在色散力。这三种类型的力的比例大小,决定于相互作用分子的极性和变形性。极性越大,取向力的作用越重要;变形性越大,色散力就越重要;诱导力则与这两种因素都有关。但对大多

半导体所在GaAs纳米线结构相变研究方面取得新进展

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化学研究中的扫描探针显微学

20世纪80年代初期,扫描隧道显微技术(Scanning Tunneling Microscopy,以下略称为STM)问世[1]。以后仅十余年,以STM为代表的扫描探针显微技术(Scanning Probe Microscopy, SPM)迅速发展,应用也已经拓展到了包括物理、化学、生物、材料等众多

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光电二极管简介和原理

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