刘新风等测定超高热导率半导体砷化硼的载流子迁移率
中国科学院国家纳米科学中心研究员刘新风团队联合美国休斯顿大学包吉明团队、任志锋团队，在超高热导率半导体-立方砷化硼（c-BAs）单晶的载流子扩散动力学研究方面取得进展，为其在集成电路领域的应用提供重要的基础数据指导和帮助。相关研究成果发表在《科学》（Science）上。 随着芯片集成规模的进一步增大，热量管理成为制约芯片性能的重要因素。受到散热问题的困扰，不得不牺牲处理器的运算速度。2004年后，CPU的主频便止步于4GHz，只能通过增加核数来进一步提高整体的运算速度，而这一策略对于单线程的算法无效。2018年，具有超高热导率的半导体c-BAs的成功制备引起了科学家的兴趣，其样品实测最高室温热导率超过1000 Wm-1K-1，约为Si的十倍。c-BAs具有高的热导率以及超弱的电声耦合系数和带间散射，理论预测c-BAs同时具有颇高的电子迁移率（1400 cm2V-1s-1）和空穴迁移率（2110 cm2V-1s-1），这在半......阅读全文
研究发展α取代苯乙烯羰基化硼化反应
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三溴化硼与胺基反应生成什么
胺基中N的孤对电子与三溴化硼中的硼配位,形成配合物
《物理世界》公布2022年度十大突破
月8日，英国《物理世界》杂志公布了2022年度十大突破，涵盖从量子、医学物理学、天文学到凝聚态物质等各个方面。这十项突破是由《物理世界》编辑小组从今年在该杂志网站上发布的涵盖物理学所有领域的数百项研究中精选出来的。开创超冷化学新纪元冷却灯：约翰·道尔团队使用的实验装置。图源：约翰·道尔中国科学技术大
砷化镓材料的材料特性
GaAs拥有一些较Si还要好的电子特性，使得GaAs可以用在高于250 GHz的场合。如果等效的GaAs和Si元件同时都操作在高频时，GaAs会产生较少的噪音。也因为GaAs有较高的崩溃压，所以GaAs比同样的Si元件更适合操作在高功率的场合。因为这些特性，GaAs电路可以运用在移动电话、卫星通讯、
砷化镓的理化性质
密度：5.31g/cm3熔点：1238℃折射率：3.57相对介电常数：13.18电子亲和能：4.07 eV晶格能：5.65×10-10m禁带宽度：1.424e（300K）电子迁移率：8500 cm2/(V·s) （300 K）外观：黑灰色固体
砷化镓生产方式介绍
GaAs属于III-V族化合物半导体材料，其能隙为1.4eV，正好为高吸收率太阳光的值，与太阳光谱的匹配较适合，且能耐高温，在250℃的条件下，光电转换性能仍很良好，其最高光电转换效率约30%，特别适合做高温聚光太阳电池。砷化镓生产方式和传统的硅晶圆生产方式大不相同，砷化镓需要采用磊晶技术制造，这种
兰州化物所实现高选择性硼化转化制备三取代烯基硼试剂
中国科学院兰州化学物理研究所羰基合成与选择氧化国家重点实验室/苏州研究院刘超研究员团队自2015年成立以来一直致力于基于羰基化合物的转化开展有机硼化合物合成与应用研究，并取得了一系列研究成果（J. Am. Chem. Soc. 2017, 139, 5257，Angew. Chem., In.
掺硼石墨烯可制成超高灵敏度气体传感器
一个国际联合研究小组宣布，通过在石墨烯中加入硼原子的方式，他们开发出一种灵敏度极高的气体传感器。该装置能“嗅”出空气中浓度极低的有害气体，在人们还未察觉时发出警报。该研究还有助于改善锂离子电池和场效应晶体管的性能。 用石墨烯制成的气体传感器已具有很高灵敏度，但科学家们并不想止步于此，希望通过在
工业化砷化镓的生产工艺介绍
工业化砷化镓生长工艺包括：直拉法（Cz法）、水平布里其曼法（HB）、垂直布里其曼法（VB法）以及垂直梯度凝固法（VGF法）等。以上方法各有优劣，除了实际工艺制备的方法，另外一种就是通过计算机来实现砷化镓的晶体生长数值模拟，如利用FEMAG/VB能模拟VB、VGF法生长工艺，利用FEMAG/Cz能模拟
砷化镓材料的研究进展
砷化镓于1964年进入实用阶段。砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料，用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。由于其电子迁移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优
“重利用”开启砷化镓新时代
斯坦福大学的研究人员发明了一种可以大大降低生产砷化镓电子设备成本的制造工艺，开辟了砷化镓的新用途。 在电脑芯片、太阳能电池以及其它的电子设备中，半导体一直都是传统的硅材料；硅制成的特殊材料拥有独特的电性能-----可以控制（打开或关闭）电流，就像水龙头控制水流一样。当然，还
半导体材料的主要种类介绍
半导体材料是半导体工业的基础，它的发展对半导体技术的发展有极大的影响。半导体材料按化学成分和内部结构，大致可分为以下几类。1.元素半导体有锗、硅、硒、硼、碲、锑等。50年代，锗在半导体中占主导地位，但 锗半导体器件的耐高温和抗辐射性能较差，到60年代后期逐渐被硅材料取代。用硅制造的半导体器件，耐高温
炭素材料热导率测试仪
仪器概述该热物性测试仪参考了采用热流法及纵向热流技术，具有方便、快捷、的特点，可用来测量各种不同类型材料的热导率、热扩散率以及热熔，适用的热导系数范围0.015-200W/MK之间，适用样品类型：固体及各向异性材料等。参照标准GB5598-85,GB3399-82,GB11205-89. 适应AST
炭素材料热导率测试仪
一：仪器概述该热物性测试仪参考了采用热流法及纵向热流技术，具有方便、快捷、精确的特点，可用来测量各种不同类型材料的热导率、热扩散率以及热熔，适用的热导系数范围0.015-200W/MK之间，适用样品类型：固体及各向异性材料等。参照标准GB5598-85,GB3399-82,GB11205-89. 适
氮化铝的理化性质
氮化铝，共价键化合物，是原子晶体，属类金刚石氮化物、六方晶系，纤锌矿型的晶体结构，无毒，呈白色或灰白色。氮化铝(AlN)是一种人工合成矿物，并非天然存在于大自然中。AlN的晶体结构类型为六方纤锌矿型，具有密度小(3.26g/cm3)、强度高、耐热性好（约3060℃分解）、热导率高、耐腐蚀等优点。氮化
JACS封面：BN掺杂纳米石墨烯的硼化方法
日本关西学院大学Takuji Hatakeyama（通讯作者）等人通过选择合适的硼源和布朗斯特碱，发现一次实现三芳胺的多重硼化反应的方法。在硼化反应的辅助下，一系列BN掺杂的纳米石墨烯从传统的原材料经由两步反应转变得到。
六硼化铈－(CeB6)－灯丝为什么适合
05.使用压力使用压力即为灯丝正常工作需要的真空度，六硼化镧和六硼化铈灯丝需要的真空度 (10-5Pa) 比钨灯丝 (10-3Pa) 更高，因此他们对真空系统的要求也会更高。 06.寿命寿命即为灯丝的正常使用时间，由于钨灯丝的寿命只有 50-100h，因此使用钨灯丝作为电子源的电镜需要经常更换灯丝，
元素半导体的结构特性
元素半导体（element semiconductor）是由同种元素组成的具有半导体特性的固体材料，即电阻率约为10-5～107Ω·cm，微量杂质和外界条件变化都会显著改变其导电性能的固体材料。周期表中，金属和非金属元素之间有十二种具有半导体性质的元素，硼(B)、金刚石(C)、硅(Si)、锗(Ge)
具有纳米缺陷结构的BiSbTe－/非晶硼复合材料超高热电性能
AEnM： 基于Seebeck and Peltier效应，最先进的碲化铋热电材料能够直接和可逆地将热能转化为电能，在能量收集和固态冰箱方面有巨大的潜力。但是，它们的广泛使用受到转换效率低的限制，转换效率由无量纲的品质因数（ZT）决定。由于电导率和热导率相互依赖，显著提高ZT是一个巨大的挑战。
我所发展铜催化的α取代苯乙烯羰基化硼化反应
原文地址：http://www.dicp.cas.cn/xwdt/kyjz/202302/t20230220_6680091.html 近日，我所生物能源研究部催化羰基化研究组（DNL0604组）吴小锋研究员团队在烯烃的羰基化硼化反应研究方面取得新进展，发展了一种α-取代苯乙烯的催化官能团化反应，