能源内参｜硅料价格暴涨多晶硅企业被约谈
硅料价格暴涨 多晶硅企业被约谈 工信部官网10月9日消息，近期国内光伏产业部分环节产品价格持续急剧上涨，引发产业链供应链剧烈震荡，工业和信息化部、市场监管总局、国家能源局近期集体约谈了部分多晶硅企业及行业机构。三部门要求，一是要坚持上下游合作共赢，促进光伏产业高质量发展；二是要切实加强企业自律，深入开展自查自纠，自觉规范销售行为，不搞囤积居奇、借机炒作等哄抬价格行为；三是要统筹推进光伏存量项目建设，合理释放已建产能，适度加快在建合规项目建设步伐，同时对后续新建产能大规模投产要提前研判、防范风险。2020年初以来，硅料价格从约70元/kg上涨至2022年三季度的303元/kg，累计涨超三倍，刷新近十年新高。 特斯拉上海工厂9月交付量创纪录 上海证券报10月9日消息，9月特斯拉上海超级工厂交付量超过8.3万辆，再次创下月度交付的新纪录。 蔚来汽车宣布以订阅模式进入欧洲四国市场 财新网10月9日报道，蔚来汽车（NYSE：NI......阅读全文
国家能源局推进能源立法
近日，国家能源局发布《能源行业深入推进依法治理工作的实施意见》。《意见》要求，到2020年，重点能源立法项目取得新突破，能源法规制度体系基本建成；到2025年，法治成为能源行业依法治理的基本遵循，能源法律法规制度体系已经形成，实现依法治理体系和治理能力现代化。 《意见》确立了工作的基本任务，一
李河君:新能源不是补充能源而是替代能源
新能源圈中，全国政协委员、全国工商联副主席、汉能控股集团董事局主席兼首席执行官李河君绝对称得上“改革派”，在他眼里，光伏通过技术革新实现 “撇开财政拐棍平价上网”只需1年到2年，绝不会拖到业界普遍认为的4年后，也就是2017年;而以光伏为代表的新能源，更不只是传统能源的“补充”，则应是“替代
多晶硅钝化接触n型晶硅太阳电池研究中获进展
多晶硅钝化接触技术（通常称TOPCon，也称为POLO、PERPoly、monoPolyTM、iTOPConTM、PERTOPTM）被广泛认为是最有希望的继PERC电池之后的下一代高效晶硅电池技术之一，是晶硅太阳电池技术领域的研究重点。中国科学院宁波材料技术与工程研究所太阳能及光电子器件研究团队
鹤壁天润单晶硅多晶硅密封式制样粉碎机
产品介绍密封式化验制样粉碎机是我公司生产的一种新型化验制样设备。专用于粉碎具有一定硬度的各种物质，广泛适用于煤炭、冶金、电力、化工、建材、医药和科研部门的化验室制样用，制成的样品粒度均匀，不经筛分工序便可直接使用。主要参数型号： GJ-1 最大装料量： 100g 装料粒度：
2024硅片及硅基材料展2024上海国际硅片及硅基材料展
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
硅片及硅基材料展|2024年上海硅片及硅基材料展览会
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
碳硅元素对钢铁之影响及炉前碳硅分析仪主要特点
炉前碳硅分析仪又称炉前快速铁水分析仪、碳硅成份分析仪、碳硅当量仪、热分析仪。生产铸铁件时，要根据铸件壁厚和铸造条件选择合适的化学成份，以保证达到所需要的机械性能。其它条件相同时，碳当量(C Si/3)对铸铁金相组织、铸造性能和机械性能有决定性影响。 碳是确定钢铁产品规格和质量的重要元素之
碳硅元素对钢铁之影响及炉前碳硅分析仪主要特点
炉前碳硅分析仪又称炉前快速铁水分析仪、碳硅成份分析仪、碳硅当量仪、热分析仪。生产铸铁件时，要根据铸件壁厚和铸造条件选择合适的化学成份，以保证达到所需要的机械性能。其它条件相同时，碳当量(C Si/3)对铸铁金相组织、铸造性能和机械性能有决定性影响。 炉前碳硅分析仪客户检测现场 碳
可控硅的相关用途介绍
普通晶闸管最基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二极管整流电路属于不可控整流电路。如果把二极管换成晶闸管，就可以构成可控整流电路。以最简单的单相半波可控整流电路为例，在正弦交流电压U2的正半周期间，如果VS的控制极没有输入触发脉冲Ug，VS仍然不能导通，只有在U2处于正半周，在控制极外加触发脉冲U
纳米硅碳研发机构落户福建
5月13日，中科院海西研究院与福建远翔化工有限公司签订协议共同建设纳米硅碳材料工程技术中心，国内首家专门从事研究开发纳米硅碳材料与应用技术的研发机构正式落户福建邵武。 地处邵武的福建远翔化工有限公司董事长王承辉高兴地告诉记者，“纳米硅碳材料工程技术中心”项目总投资6000万元，预期产值达2
硅纳米线的主要成分
Si纳米线当然成分就是Si了，要是SiO2不就是SiO2纳米线了？不过Si确实不稳定，极易氧化，表面一定会有SiO2层的。
硅分析仪2800Si
使用线上硅监测确保水纯度硅分析仪提供的重要测量用于确保电厂循环化学品和超纯水监测中的水纯度。 此分析仪有助于优化离子交换生产，最大程度减少汽轮机上的硅沉积。 2800Si硅分析仪可在ppb级提前检测纯化阴床树脂的漏硅，因此受污染的水可在到达重点区域前被排放。自动化校准确保可重复性2800Si硅分析仪
硅光子平台开发获重要成果
近日，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心研究员闫江团队在硅光子平台开发方面取得新进展，完成硅基波导集成的锗探测器和硅基调制器的流片并取得优良结果。 硅光子技术是集成电路后摩尔时代的发展方向之一，旨在利用基于互补金属氧化物半导体（CMOS)工艺的大规模集成电路技术在硅基衬底上进行光子
可控硅的测量方法
鉴别可控硅三个极的方法很简单，根据P-N结的原理，只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。 阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上，阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上（它们之间有两个P-N结，而且方向相反，因此阳极和控制极正反向都不通）。 控制极与阴极之间是一个P-N
锂漂移硅检测器原理
当光子进入检测器后，在Si(Li)晶体内激发出一定数目的电子空穴对。产生一个空穴对的最低平均能量ε是一定的，因此由一个X射线光子造成的空穴对的数目N=△E/ε。入射X射线光子的能量越高，N就越大。利用加在晶体两端的偏压收集电子空穴对，经过前置放大器转换成电流脉冲，电流脉冲的高度取决于N的大小。电
可控硅的主要参数
电流 额定通态电流（IT)即最大稳定工作电流，俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。耐压 反向重复峰值电压（VRRM)或断态重复峰值电压（VDRM），俗称耐压。常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。触发电流 控制极触发电流（IGT)，俗称触发电流。常用可控硅的IGT一般为
锂漂移硅检测器简介
锂漂移硅检测器，即Si(Li)探测器，是由锂向硅中漂移制作而成。锂的数量有极严格的要求，而且要求分布均匀在室温时由于锂的迁移率很高，会逐步发生反向漂移，使探测器性能下降。用液氮冷却是为了防止锂的反漂移。使探测器具有最佳的信噪比。此探测器的窗口法兰等结合部多少有些微小漏气，这些气体由置于探测器内的
“掺硅补锂”电池技术介绍
从定义来说，此次智已汽车推出的“掺硅补锂”技术与蔚来固态电池所用的“无机预锂化碳硅负极”并无本质上的差异，其实质均为提高负极中硅的含量，同时增加锂的含量，来弥补因硅含量提升而导致的电池在充放电过程中锂损耗的提高。关于“掺硅”方面，实际上是在负极材料当中加入硅元素。原因在于，制约动力电池能量密度的已不
可控硅的常用封装形式
常用可控硅的封装形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220AB、TO-3P、SOT-89、TO-251、TO-252等。
肥料有效硅的测定步骤介绍
(1) 待测液的制备 称取 0.5g 肥料样品于一塑料瓶中，加入 25mL 肥料有效硅浸提剂，摇匀，在 80℃热水（最好使用水浴锅）中静置 10 分钟(尽量不要摇动)，稍冷却后，用定量滤纸快速过滤(瓶子不干时， 可将最初滤液弃去)即得滤液。吸取此滤液 1mL 放入 100mL 容量瓶中，以浸提
欧盟配合中方多晶硅调查
继欧洲对中国光伏产品展开反倾销调查后，中国当局批评了欧盟成员国实施的上网电价补贴制度。令事情更加复杂的是欧盟最新的普遍优惠制 (Generalized Scheme of Preferences)计划。与此同时，一名发言人还评论了中国最近发起的多晶硅反倾销调查。 普惠制取代关税与贸易总
可控硅的主要参数
电流 额定通态电流（IT)即最大稳定工作电流，俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。耐压 反向重复峰值电压（VRRM)或断态重复峰值电压（VDRM），俗称耐压。常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。触发电流 控制极触发电流（IGT)，俗称触发电流。常用可控硅的IGT一般为
锰磷硅智能分析仪
MC017-CA-H51JC锰磷硅智能分析，该仪器用于定量分析钢、铁中锰、磷、硅三元素的百分含量。
碳硅分析仪的用途
碳硅分析仪又称炉前铁水成份分析仪,广泛用于现场测量灰铁、玛铁、球铁、蠕铁、低合金铸铁等原铁水中:碳当量、碳含量、硅含量、浇样温度TM、液相线温度TL、固相线温度TS。
可控硅的电流相关参数
⒈ 额定通态电流（IT）即最大稳定工作电流，俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。 ⒉反向重复峰值电压（VRRM）或断态重复峰值电压（VDRM），俗称耐压。常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。 ⒊ 控制极触发电流（IGT），俗称触发电流。常用可控硅的IGT一般为几
硅钼棒的安装及使用
硅钼棒的安装及使用正确安装硅钼棒的方法: 1、垂直悬挂式：二硅化钼电热元件常温下脆性很大,高温时又有可塑性。所以 U 型元件的安装方法是垂直悬挂,通过支撑夹头将元件垂直悬挂于炉顶上。这样安装的目的就是避免将机械应力加到元件发热端上,否则容易引起元件断裂。 2、支撑夹头：支撑夹头分
可控硅的触发条件
过零触发-一般是调功，即当正弦交流电交流电电压相位过零点触发，必须是过零点才触发，导通可控硅。 非过零触发-无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅，常见的是移相触发，即通过改变正弦交流电的导通角（角相位），来改变输出百分比。