新型低功函金属粉末可辅助氮化的合成
近日，中国科学院大连化学物理研究所研究员章福祥团队开发了一种低功函金属粉末辅助氮化的合成新方法，实现了在低温、短时间内高效氮化合成基于d0区金属元素的窄带隙金属氮氧化物半导体材料。基于该合成路线，团队有效降低了大部分金属氮氧化物的缺陷密度，并提升了相应材料的光催化性能。此外，采用该氮化路线实现了对SrTiO3和Y2Zr2O7等材料的高浓度氮掺杂，大幅减小其带隙，拓展了氮氧化物半导体光催化材料的开发边界。相关成果发表在《先进材料》上。宽光谱捕光催化材料设计合成是实现太阳能高效光—化学转化基础，其吸收带边越宽则太阳能转化理论效率越高。大连化物所长期致力于具有较宽可见光利用的新光催化材料开发，先后设计合成了氮氧化物、含氧酸盐、金属有机框架类和金属氮卤化物半导体材料等20余例不同类型、具有我国自主知识产权的新材料，在光催化分解水制氢方面展现了良好潜力。在团队前期氮氧化物设计合成基础上，为解决传统氮化路线氮化动力学慢、氮化产物缺陷密度高等......阅读全文
氮化锰的理化性质
氮化锰中间合金产品的研究对金属锰深加工产业具有重要的现实意义及经济价值，由于锰、氮的各种作用，在炼制高强度钢、不锈钢、耐Chemicalbook热钢时需要同时加人锰、氮元素。以氮锰化合物形式加入时，不仅易于加入，并且锰、氮的利用率也高，因此研究氮化锰的制备工艺有着重要意义。
叠氮化钡的基本用途
叠氮化钡属非蒸散型消气剂，主要用于各种充气白炽灯，如普通照明灯、红外线灯、仪器灯、照相、聚光、摄影灯以及汽车、拖拉机Chemicalbook、摩托车灯等的生产，也可以作为自镇流高压汞灯外壳的消气剂，110V荧光灯起辉器用叠氮化钡作为电子发射材料兼有消气作用。
氮化镓的的化学特性
在室温下，GaN不溶于水、酸和碱，而在热的碱溶液中以非常缓慢的速度溶解。NaOH、H2SO4和H3PO4能较快地腐蚀质量差的GaN，可用于这些质量不高的GaN晶体的缺陷检测。GaN在HCL或H2气下，在高温下呈现不稳定特性，而在N2气下最为稳定。
氮化铁的基本性质
化学性质氮化铁，包含Fe2N、Fe3N1+x、Fe3N和Fe16N2等结构，灰色粉末，不溶于水，受热易分解。因其具有较高的比容量以及高充Chemicalbook放电效率，良好的循环稳定性，经碳包覆后可应用于锂离子电池负极材料。此外，还可用作硬磁和软磁性材料、信息记录材料、磁性密封液和催化材料等。
氮化铟应用与制备方法
应用氮化铟(InN)发展成为新型的半导体功能材料，在所有Ⅲ族氮化物半导体材料中，氮化铟具有良好的稳态和瞬态电学传输特性，它有最大的电子迁移率、最大的峰值速率、最大的饱和电子漂移速率、最大的尖峰速率和有最小的带隙、最小的电子有效质量等优异的性质，这些使得氮化铟相对于氮化铝(AlN)和氮化镓(GaN)等
氮化镓的的结构特性
结构特性GaN纤锌矿结构图GaN的晶体结构主要有两种，分别是纤锌矿结构与闪锌矿结构。
氮化镓的的化学特性
在室温下，GaN不溶于水、酸和碱，而在热的碱溶液中以非常缓慢的速度溶解。NaOH、H2SO4和H3PO4能较快地腐蚀质量差的GaN，可用于这些质量不高的GaN晶体的缺陷检测。GaN在HCL或H2气下，在高温下呈现不稳定特性，而在N2气下最为稳定。