场效应治疗仪的治疗原理
一、物理治疗机理：1.红外线温热效应；2.磁场效应。二、中草药热敷渗透效应三、中医穴位刺激经络效应......阅读全文
全球首个单原子层沟道的鳍式场效应晶体管问世
中科院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心与国内外多家单位合作，首次演示了可阵列化、垂直单原子层沟道的鳍式场效应晶体管，相关成果于3月5日在《自然—通讯》在线发表。 过去几十年来，微电子技术产业沿摩尔定律取得了突飞猛进的发展，按照摩尔定律的预测，集成电路可容纳晶体管数目大约每两年增加一倍。为了避
氧化物界面二维电子液体的光电协同场效应研究获进展
研究发现，当条件合适时，在电子关联氧化物异质界面LaAlO3/SrTiO3（LAO/STO）附近可形成二维电子液体。与常规半导体二维电子气不同，势阱中的电子具有d电子特征，可以占据不同的d轨道，从而带来了一系列新特性，例如磁场依赖的输运行为、铁磁性和超导电性等。 由于维度限制，二维电
深圳先进院等研发出新型柔性铁电场效应晶体管
近日，中国科学院深圳先进技术研究院医工所纳米调控与生物力学研究中心在柔性铁电场效应晶体管领域取得新进展，相关成果以Highly robust flexible ferroelectric field effect transistors operable at high temperature
化学所在聚合物场效应晶体管材料研究方面取得重要进展
在中国科学院、科技部、国家自然科学基金委的大力支持下，中国科学院化学研究所有机固体院重点实验室相关研究人员在高性能聚合物半导体材料研究方面取得巨大进展，相关结果发表在近期的国际材料杂志Adv. Mater. (2012, 24, 4618–4622)上。 有机光电材料由于其在低
青岛能源所有机场效应晶体管材料研究取得新进展
近日，中国科学院青岛生物能源与过程研究所生物基及仿生高分子材料团队负责人万晓波等在二氮芳辛的合成机理研究以及由此衍生出的新型场效应晶体管材料合成方面取得阶段性进展。 二氮芳辛是潜在的人工肌肉高分子材料的构筑基块，一般可由2-氨基二苯甲酮通过传统的缩合反应制备而得，但此过程需要长
化学所在有机场效应晶体管研究方面取得新进展
在中国科学院、科技部、国家自然科学基金委的支持下，中国科学院化学研究所有机固体院重点实验室相关研究人员在有机场效应晶体管的研究方面取得新进展，相关结果发表在Adv. Mater.上。 柔性是有机电子电路相对于传统硅基电子产品的一个独特优点。为了充分发挥有机半导体材料固有的柔性优势，科学
化学所在高性能有机场效应晶体管研究中获系列进展
场效应晶体管是电子学的基本元件。有机场效应晶体管由于其在柔性、大面积、低成本的电子纸、射频商标和存储器件等方面的潜在应用而受到人们的广泛关注，是有机半导体材料和器件研究领域中的重要前沿方向之一。在中国科学院（先导B）、国家自然科学基金委和科技部的大力支持下，中国科学院化学研究所有机固体重点实验室
极陡峭亚阈值摆幅场效应晶体管实高灵敏室温光电探测
近日，中科院上海技术物理研究所王建禄研究员,胡伟达研究员与中科院微电子所刘琦研究员等人合作，设计出一种极陡峭亚阈值摆幅的场效应晶体管，并基于该结构实现了极高灵敏光电探测功能，综合利用了铁电负电容效应、铁电极化诱导局域场效应及“photogating”效应，基于铁电局域静电场和铁电负电容效应的共同
采用金属氧化物半导体场效应管气敏传感器的电子鼻
金属氧化物半导体场效应管气敏传感器是基于敏感膜与气体相互作用时漏源电流发生变化的机理制成的,当电流发生变化时,传感器性能发生变化,通过分析器件性能的变化即可对不同的气体进行检测分析。此类传感器在制备时需要在栅极上涂敷一层敏感薄膜,覆盖不同的敏感薄膜,就构成不同选择性的金属氧化物半导体场效应管气敏传感
长春光机所等在钙钛矿单晶场效应晶体管方面取得进展
近日，中国科学院长春光学精密机械与物理研究所郭春雷中美联合光子实验室与阿卜杜拉国王科技大学（沙特）、北卡罗来纳大学教堂山分校（美国）等单位合作在制备基于钙钛矿的场效应晶体管方面取得新进展。 在过去的十年中，有机-无机杂化钙钛矿在光伏、光电探测、发光等领域的研究获得巨大进展。然而，利用钙钛矿材料
双自由基材料及其有机场效应晶体管的相关研究
具有单线态双自由基性质的材料（singlet diradicaloids）由于存在独特的开壳电子构型，往往具有较小的能隙、较强的分子间作用力以及稳定的氧化还原态，因而被认为是潜在的有机场效应晶体管（OFET）材料。然而，随着双自由基性质的增加，材料/器件的稳定性会逐渐降低，这成为了制约此类材料走
详解由MOS管、变压器搭建的逆变器电路及其制作过程2
由于方波信号发生器输出的振荡信号电压最大振幅为0~5V，为充分驱动电源开关电路，这里用TR1、TR2将振荡信号电压放大至0~12V.如图3所示。 2.3MOS场效应管电源开关电路 下面简述一下用C-MOS场效应管（增强型MOS场效应管）组成的应用电路的工作过程（见图4）。电路将一个增
通过阻挡电子注入来改善p型有机场效应晶体管的理想性
苏州大学揭建胜团队Adv. Funct. Mater.： 自1986年第一个基于有机半导体材料的场效应晶体管被报道以来，有机场效应晶体管（OFET）在化学、物理、材料以及微电子领域都得到了研究人员的广泛关注。在器件应用方面，OFET被认为是未来有机柔性集成器件的基本构成单元，可广泛应用于柔性智
我国利用压电材料实现对MoS2场效应晶体管动、静态调控
自2004年Geim等人第一次在实验室得到单层石墨烯以来，二维材料的出现为传感器领域的进一步发展提供了可能，相对于传统的三维材料，二维材料的层状结构决定了其器件厚度可以达到单原子层，为实现更轻、更薄、体积更小的电子器件提供了可能。相较于其他二维材料，以单层二硫化钼 (MoS2) 为代表的二维半导
关于心电图机基线漂移的故障分析
导联开关在“0”位时，记录器描绘的基线不水平而有缓慢上升或下降，即为基线漂移。 排除方法：用酒精擦拭放大板上各插头、插座，以防有漏电现象。待完全干燥后，观察基线漂移是否仍然过大。随后检查前置放大器与电压放大器之间耦合电容是否漏电。然后，再检查封闭继电器电路。用线路分割法，断开封闭继电器电路，如
IGBT的检测方法（二）
二、场效应管的使用注意事项 （1）为了安全使用场效应管，在线路的设计中不能超过管的耗散功率，最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。 （2）各类型场效应管在使用时，都要严格按要求的偏置接人电路中，要遵守场效应管偏置的极性。如结型场效应管栅源漏之间是PN结，N沟道管栅极不能
IGBT的检测方法（一）
IGBT有三个电极，分别称为栅极G（也叫控制极或门极）、集电极C（亦称漏极）及发射极E（也称源极）。 一、用指针式万用表对场效应管进行判别 （1）用测电阻法判别结型场效应管的电极 根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨
塑料制成的柔性电脑有望在十年后面市
柔性显示器 日本国家材料科学研究所的研究人员透露，晶体管制造技术的重大改进将很快成为现实，并投入使用，例如，被用来制造更加柔性，像纸一样薄的电脑屏幕。 科学家们回顾了光敏有机场效应晶体管研究的最新进展；包含有机半导体器件，放大微弱的电子信号，既能发射也能接受光线。 开发有机场效应晶体管(OFE
胡文平研究员：为未来“明星材料”奠定科学基础
有机电视、电子纸、有机照明、有机太阳能电池……对普通人而言，“有机电子学”的概念可能是陌生的，但其应用已经走进了人们的视野。据国际知名有机电子咨询机构IDTechEx计算，有机电子器件在未来的20年里，有可能占据3000亿美元的市场份额，成为一个庞大的商业领域。 在有机电子学中，有机场效应晶体
苏州纳米所高灵敏度太赫兹探测器研究获进展
近日，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、中科院纳米器件与应用重点实验室秦华团队公布了能够在液氮温度下灵敏探测太赫兹波黑体辐射的氮化镓基高电子迁移率晶体管探测器研究结果，首次直接验证了天线耦合的场效应晶体管可用于非相干太赫兹波的灵敏探测。结果发表于《应用物理快报》[Appl. Phys. L
纳米能源所首次提出摩擦电子学新研究领域
最近，中国科学院北京纳米能源与系统研究所王中林院士领导的研究小组将摩擦纳米发电机与传统场效应晶体管相结合，研制出接触起电场效应晶体管，首次提出了摩擦电子学（Tribotronics）这一新的研究领域。相关研究成果于8月16日在线发表于ACS Nano（DOI: 10.1021/nn5039806
高灵敏度太赫兹探测器研究获进展
近日，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、中科院纳米器件与应用重点实验室秦华团队公布了能够在液氮温度下灵敏探测太赫兹波黑体辐射的氮化镓基高电子迁移率晶体管探测器研究结果，首次直接验证了天线耦合的场效应晶体管可用于非相干太赫兹波的灵敏探测。结果发表于《应用物理快报》[]，并被 APL 编辑选为20
青岛能源所在噻唑异靛蓝的合成和聚合方面取得突破
有机场效应晶体管因其在柔性集成电路、显示器和传感器等电子器件中的应用前景而受到科学界的广泛关注。开发性能优异的既能传导电子又能传导空穴的双极型共轭聚合物材料对于构筑逻辑电路有着重要的意义。异靛蓝（Isoindigo）是构筑此类材料的重要结构单元，而其结构的改造对相应有机场效应晶体管材料的性能影响
噻唑异靛蓝的合成和聚合研究取得突破
有机场效应晶体管因其在柔性集成电路、显示器和传感器等电子器件中的应用前景而受到科学界的广泛关注。开发性能优异的既能传导电子又能传导空穴的双极型共轭聚合物材料对于构筑逻辑电路有着重要的意义。异靛蓝（Isoindigo）是构筑此类材料的重要结构单元，而其结构的改造对相应有机场效应晶体管材料的性能影响显著
微波低噪声晶体管
主要用于微波通信、卫星通信、雷达、电子对抗以及遥测、遥控系统中的接收机前置放大器。微波晶体管的噪声越低,接收机的灵敏度越高,这些系统的作用距离越大。 双极型晶体管的噪声来源有：热噪声、散弹噪声、分配噪声和1/ 噪声（也称闪烁噪声）。场效应晶体管是多数载流子器件，故不存在少数载流子引起的散弹噪声
氮化镓半导体材料新型电子器件应用
GaN材料系列具有低的热产生率和高的击穿电场，是研制高温大功率电子器件和高频微波器件的重要材料。目前，随着 MBE技术在GaN材料应用中的进展和关键薄膜生长技术的突破，成功地生长出了GaN多种异质结构。用GaN材料制备出了金属场效应晶体管（MESFET）、异质结场效应晶体管(HFET)、调制掺杂场效
中国科大在黑磷低维原子晶体中实现高迁移率二维电子气
近日，中国科学技术大学教授陈仙辉课题组与复旦大学教授张远波课题组合作，继去年首次制备出二维黑磷场效应晶体管之后，再次在薄层黑磷晶体研究中取得新进展，成功在这一体系中实现高迁移率二维电子气。相关研究成果发表在5月18日的《自然·纳米科技》上。 2014年5月，陈仙辉课题组与复旦大学张远波等课题组
激光对组织的生物效应
1、热效应2、光化学效应3、压强作用、电磁场效应和生物刺激效应。压强作用和电磁场效应主要由中等功率以上的激光所产生，光化学效应在低功率激光照射时特别重要，热效应存在于所有的激光照射，而生物刺激作用只发生在弱激光照射时。
我国学者在高能效新型晶体管研究领域取得重要进展
在国家自然科学基金创新研究群体项目（项目编号：61621061）等资助下，北京大学电子学系、纳米器件物理与化学教育部重点实验室张志勇教授团队与彭练矛教授团队合作，在高能效新型晶体管研究领域取得重要进展。研究成果以“Dirac-source Field-effect Transistors
我国科研人员为氧化镓晶体管找到新结构方案
26日，记者从中国科学技术大学获悉，该校微电子学院龙世兵教授课题组联合中科院苏州纳米所加工平台，分别采用氧气氛围退火和氮离子注入技术，首次研制出了氧化镓垂直槽栅场效应晶体管。相关研究成果日前分别在线发表于《应用物理通信》《IEEE电子设备通信》上。 作为新一代功率半导体材料，氧化镓的p型掺杂目前