德州仪器王运健：希望消费者体会到半导体技术进步带来的便利
11月7日上午，《每日经济新闻》记者在进博会上专访了德州仪器（TI）中国华南区总经理王运健。德州仪器成立于1930年，是一家全球知名的半导体“元老级”公司，特别是在模拟芯片领域，实力尤为强劲。 关于此次进博会，王运健表示：“这是我们（德州仪器）第三次参加进博会。1986年，德州仪器进入中国。在过去的三十多年里，我们一直在努力为中国客户提供更好的本土支持。” 产品方面，王运健介绍，公司带来了三个针对不同行业的方案。第一是机器人，（工业）机器人是整个工业升级或者现代化制造的核心零部件。此次德州仪器带来TDA4的demo模型，通过TDA4可以实现高算力、高精准的控制和更实时的响应。 需要注意的是，TDA4芯片目前在“行泊一体”领域也特别受欢迎。德州仪器的芯片在汽车电子领域应用广泛，王运健介绍：“你可以在展示中，看到涉及汽车电气化、智能化各个方面，包括电动驱动器、BMS（电源管理系统）、OBC（车载充电器）、DCDC（直流-直......阅读全文
元素半导体的结构特性
元素半导体（element semiconductor）是由同种元素组成的具有半导体特性的固体材料，即电阻率约为10-5～107Ω·cm，微量杂质和外界条件变化都会显著改变其导电性能的固体材料。周期表中，金属和非金属元素之间有十二种具有半导体性质的元素，硼(B)、金刚石(C)、硅(Si)、锗(Ge)
半导体特性测试仪
半导体特性测试仪是一种用于化学工程领域的物理性能测试仪器，于2016年05月01日启用。 技术指标 支持多达9个精密直流源测量单元，能够提供测量0.1fA到1A的电流或者1uV-210V的电压。 主要功能 参数分析仪具有无可比拟的测量灵敏度和精度，同时继承了嵌入式Windows操作系统和
无杂质半导体的定义
无杂质半导体（intrinsic semiconductor，亦称作i型半导体）是指未掺入杂质的半导体。半导体制作过程中的一个重要步骤就是掺入杂质（doping）。
元素半导体的基本特性
典型的半导体材料居于Ⅳ-A族，它们都具有明显的共价键；都以金刚石型结构结晶；它们的带隙宽度随原子序数的增加而递减，其原因是其键合能随电子层数的增加而减小。V-A族都是某一种同素异形体具有半导体性质，其带隙宽度亦随原子序数的增加而减小。
常见的半导体材料介绍
常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，硅是各种半导体材料应用中最具有影响力的一种。
半导体生产流程
半导体生产流程 所谓的半导体，是指在某些情况下，能够导通电流，而在某些条件下，又具有绝缘体效用的物质；而至于所谓的IC，则是指在一半导体基板上，利用氧化、蚀刻、扩散等方法，将众多电子电路组成各式二极管、晶体管等电子组件，作在一微小面积上，以完成某一特定逻辑功能（例如：AND、OR、NAND等），进而
半导体材料的早期应用
半导体的第一个应用就是利用它的整流效应作为检波器，就是点接触二极管（也俗称猫胡子检波器，即将一个金属探针接触在一块半导体上以检测电磁波）。除了检波器之外，在早期，半导体还用来做整流器、光伏电池、红外探测器等，半导体的四个效应都用到了。从1907年到1927年，美国的物理学家研制成功晶体整流器、硒整流
半导体材料的早期应用
半导体的第一个应用就是利用它的整流效应作为检波器，就是点接触二极管（也俗称猫胡子检波器，即将一个金属探针接触在一块半导体上以检测电磁波）。除了检波器之外，在早期，半导体还用来做整流器、光伏电池、红外探测器等，半导体的四个效应都用到了。从1907年到1927年，美国的物理学家研制成功晶体整流器、硒整流
半导体材料的特性参数
半导体材料虽然种类繁多但有一些固有的特性，称为半导体材料的特性参数。这些特性参数不仅能反映半导体材料与其他非半导体材料之间的差别，而且更重要的是能反映各种半导体材料之间甚至同一种材料在不同情况下特性上的量的差别。常用的半导体材料的特性参数有：禁带宽度、电阻率、载流子迁移率(载流子即半导体中参加导电的
什么是－半导体ATE设备
ATE是Automatic Test Equipment(自动化测试设备)的英文缩写，是一种通过计算机控制进行器件、电路板和子系统等测试的设备。通过计算机编程取代人工劳动，自动化的完成测试序列。 ATE在60年代早期始于快捷半导体（Fairchild）。 那时Fairchild生产门电路器件（
电子型半导体的概念
也称为电子型半导体。N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。
半导体的光电导简介
半导体的光电导（photo conductivity of semiconductor）是指光照射半导体使电导增大的现象。本征半导体的电导能力（电导率）很小，经光照射后半导体内部产生光生载流子（电子或空穴），使其导电能力加大。光照射前后半导体电导的改变与光的波长、强度以及半导体中杂质缺陷态的能级
半导体参数测试仪
半导体参数测试仪是一种用于工程与技术科学基础学科领域的仪器，于2016年12月08日启用。 技术指标 1.小电流i-v ： 超低漏电流（fA），最 大电压200V，最大电流1A； 2.高电压I-V ： 最大电压1000V 3.通用I-V ： 适合于大多数参数测试 4.c-v单元： 能够在1M
磁性半导体的应用特点
磁性半导体（英语：Magnetic semiconductor）是一种同时体现铁磁性（或者类似的效应）和半导体特性的半导体材料。如果在设备里使用磁性半导体，它们将提供一种新型的导电方式。传统的电子元件都是以控制电荷自由度（从而有n型和p型半导体）为基础工作，磁性半导体能控制电子的自旋自由度（于是有了
ITECH半导体测试方案解析
前言全球功率半导体市场风起云涌，行业整合步伐加速。作为电力控制／节能减排核心半导体器件，功率半导体器件广泛应用于从家电、消费电子到新能源汽车、智能电网等诸多领域。随全球半导体产业洗牌大势，近年来功率半导体产业整合步伐急速提升，新能源全产业链势头正旺，IGBT等高端器件迎来需求爆发期。功率器件
半导体的光电导概述
半导体的 光电导是指半导体受光照而引起电导率的改变。最早是1873年W.史密斯在 硒上发现的。 20世纪的前40年内，又先后在 氧化亚铜、 硫化铊、 硫化镉等 材料中发现，并利用这 现象制成几种可用作光强 测量及 自动控制的 光电管。自40年代开始，由于 半导体物理学的发展，先是 硫化铅的，尔后
半导体器件的开关特性
MOS的基本元件是MOS管。MOS管是一种电压控制器件，它的3个电极分别称为栅极(G)、漏极（D）和源极（S），由栅极电压控制漏源电流。MOS管根据结构的不同可分为P型沟道MOS管和N型沟道MOS管两种，每种又可按其工作特性进一步分为增强型和耗尽型两类。 1、静态特性 MOS管作为开
半导体上用磁铁吗
不用。利用小磁铁，在室温下让半导体晶片内的粒子发生了纠缠，磁铁不是半导体，因为它是铁的氧化物，通常情况下是绝缘体，但如果在特殊的条件下，它可以变成半导体甚至是导体。
半导体集成电路概述
半导体集成电路（英文名：semiconductor integrated circuit），是指在一个半导体衬底上至少有一个电路块的半导体集成电路装置。 半导体集成电路是将晶体管，二极管等等有源元件和电阻器，电容器等无源元件，按照一定的电路互联，“集成”在一块半导体单晶片上，从而完成特定的电路
半导体的原理是什么
原理：在极低温度下，半导体的价带是满带（见能带理论），受到热激发后，价带中的部分电子会越过禁带进入能量较高的空带，空带中存在电子后成为导带，价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位，称为空穴。空穴导电并不是实际运动，而是一种等效。电子导电时等电量的空穴会沿其反方向运动。它们在外电场作用下产生定向运动
半导体材料的提纯方法
提纯方法可分化学法和物理法。化学提纯是把材料制成某种中间化合物以便系统地除去某些杂质，最后再把材料（元素）从某种容易分解的化合物中分离出来。物理提纯常用的是区域熔炼技术，即将半导体材料铸成锭条，从锭条的一端开始形成一定长度的熔化区域。利用杂质在凝固过程中的分凝现象，当此熔区从一端至另一端重复移动多次
漫谈半导体工艺节点（一）
近来，GlobalFoundries宣布将会推进7nm FinFET工艺，引发了行业对工艺节点、光刻等技术的探讨。本文是来自SemiEngineering 2014年的一篇报道，带领大家了解7nm工艺及以后的半导体业界的发展方向。（由于推测是2014年的，事实上可能有点过时，希望
磁性半导体的发展历史
第一代磁性半导体关于磁性半导体的研究可以追溯到20世纪60年代。我们首先来简单回顾一下关于浓缩磁性半导体（Concentrated Magnetic Semiconductor）的研究进展。所谓浓缩磁性半导体即在每个晶胞相应的晶格位置上都含有磁性元素原子的磁性半导体，例如Eu或Cr的硫族化合物：岩盐
漫谈半导体工艺节点（二）
可能的选择 短期内，芯片制造商们明确地会在FinFet和二维的FD-SOI技术上将节点推进到10nm。到了7nm之后，沟道上的的“门”就会上去控制，这就亟待一种全新的晶体管架构。 7nm上的一个领先竞争者就是高电子迁移率的FinFet，也就是在沟道上使用III-V 材料的FinFet
常见的半导体材料特点
常见的半导体材料有硅（si）、锗（ge），化合物半导体，如砷化镓（gaas）等;掺杂或制成其它化合物半导体材料，如硼（b）、磷（p）、锢（in）和锑（sb）等。其中硅是最常用的一种半导体材料。有以下共同特点：1．半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间2．半导体受外界光和热的刺激时，其导电能力将会有显著
影响半导体导电的因素
主要是掺入的杂质种类和数量、以及工作温度，从而影响到载流子浓度和迁移率，结果使得半导体的电导率发生变化。
含杂质半导体的原理
半导体中的杂质对电阻率的影响非常大。半导体中掺入微量杂质时，杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态，在禁带中产加的杂质能级。例如四价元素锗或硅晶体中掺入五价元素磷、砷、锑等杂质原子时，杂质原子作为晶格的一分子，其五个价电子中有四个与周围的锗（或硅）原子形成共价结合，多余的一个电子被束缚于
常用铁磁半导体介绍
以下是几种铁磁半导体：掺锰的砷化铟和砷化镓（GaMnAs），居里温度在分别在50-100k和100-200k。掺锰的锑化铟，不过在常温下具有铁磁性和锰浓度不到1%。氧化物类半导体：1.掺锰的氧化铟，常温下具有铁磁性。2.氧化锌。3.掺锰的氧化锌。4.掺n型钴的氧化锌。二氧化钛：掺钴的二氧化钛，常温下
半导体材料的提纯方法
半导体材料的提纯“主要是除去材料中的杂质。提纯方法可分化学法和物理法。化学提纯是把材料制成某种中间化合物以便系统地除去某些杂质，最后再把材料（元素）从某种容易分解的化合物中分离出来。物理提纯常用的是区域熔炼技术，即将半导体材料铸成锭条，从锭条的一端开始形成一定长度的熔化区域。利用杂质在凝固过程中的分
半导体参杂浓度计算
硅的原子密度为5*10^22cm-3,掺入1%的As后,若杂质全部电离,则室温下载流子浓度为：多数载流子（电子）n=5*10^22cm-3*1%=5*10^20cm-3少数载流子（空穴）p=ni^2/n=0.45cm-3