《GLC硅质轻型墙板应用技术规程》团体标准批准发布
山东省建筑节能协会关于批准发布《GLC硅质轻型墙板应用技术规程》团体标准的公告。 各有关单位： 依据国家和山东省团体标准管理的有关规定，由济南大学、山东晟世达科技有限公司等单位编写的《GLC硅质轻型墙板应用技术规程》业经审定通过，批准为山东省建筑节能协会团体标准，编号为T/SDCT 030-2023，现予以发布，自2023年9月1日起实施。原《GLC硅质轻型墙板应用技术规程》T/SDCT 030-2022同时废止。 根据《中华人民共和国标准化法》及国家标准化管理委员会制定的《团体标准管理规定》，“鼓励各部门、各地方在产业政策制定、行政管理、政府采购、社会管理、检验检测、认证认可、招投标等工作中应用团体标准”。 本标准由山东省建筑节能协会负责管理，由山东晟世达科技有限公司负责具体技术内容的解释。......阅读全文
硅化铂探测器简介
硅化铂探测器是指利用铂硅肖特基势垒和内光电效应将入射的红外辐射转变成电信号的器件。又称硅化铂肖特基势垒探测器。 简介 硅化铂探测器是指利用铂硅肖特基势垒和内光电效应将入射的红外辐射转变成电信号的器件。又称硅化铂肖特基势垒探测器。 用途 主要用于中、短波红外辐射的探测。 构造 它的构造
碳硅分析仪相关别名
1、炉前快速分析仪2、炉前快速热分析仪3、炉前碳硅分析仪4、热分析仪5、生铸铁炉前分析仪6、灰铸铁快速分析仪7、球墨铸铁分析仪8、炉前铁水成份分析仪9、碳当量分析仪10、铁水成份在线分析仪11、炉前铸造分析仪12、铁水热分析仪13、铸造铁水分析仪14、铁水元素快速分析仪碳硅分析仪图册V百科往期回顾相
可控硅的定义和结构
可控硅，是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件，亦称为晶闸管。具有体积小、结构相对简单、功能强等特点，是比较常用的半导体器件之一。该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中，多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。
ICP测定硅材料中多种元素
硅材料具有优异的电学性能和机械性能，是用量最大、应用最广的半导体材料。硅材料中B、P、Cu、Fe等都是极有害的杂质，因此，电子工业中对硅材料的纯度要求极高。 由于硅材料中主成分是硅和碳，溶解此类样品通常需要加入HF，温度过高易造成B的损失，另外硅材料中杂质含量通常很低，要求分析仪器具有较高的灵敏度
纳米硅碳研发机构落户福建
5月13日，中科院海西研究院与福建远翔化工有限公司签订协议共同建设纳米硅碳材料工程技术中心，国内首家专门从事研究开发纳米硅碳材料与应用技术的研发机构正式落户福建邵武。 地处邵武的福建远翔化工有限公司董事长王承辉高兴地告诉记者，“纳米硅碳材料工程技术中心”项目总投资6000万元，预期产值达2
硅分析仪2800Si
使用线上硅监测确保水纯度硅分析仪提供的重要测量用于确保电厂循环化学品和超纯水监测中的水纯度。 此分析仪有助于优化离子交换生产，最大程度减少汽轮机上的硅沉积。 2800Si硅分析仪可在ppb级提前检测纯化阴床树脂的漏硅，因此受污染的水可在到达重点区域前被排放。自动化校准确保可重复性2800Si硅分析仪
欧盟配合中方多晶硅调查
继欧洲对中国光伏产品展开反倾销调查后，中国当局批评了欧盟成员国实施的上网电价补贴制度。令事情更加复杂的是欧盟最新的普遍优惠制 (Generalized Scheme of Preferences)计划。与此同时，一名发言人还评论了中国最近发起的多晶硅反倾销调查。 普惠制取代关税与贸易总
碳硅分析仪的使用
碳硅分析仪广泛用于现场测量灰铁、球铁等原铁水中。采用抗电磁干扰、防尘、超薄便携设计，操作方便，非专业人员经简单培训即可操作在炉前对铁水碳、硅含量进行快速检测。 碳硅分析仪的使用： 1、打开碳硅分析仪所有电源开关，按住“对零”按钮，D2亮，至量气筒溶液高度不变化时，调C(碳)调
可控硅的基本结构简介
大家使用的是单向晶闸管，也就是人们常说的普通晶闸管，它是由四层半导体材料组成的，有三个PN结，对外有三个电极〔图2(a）〕：第一层P型半导体引出的电极叫阳极A，第三层P型半导体引出的电极叫控制极G，第四层N型半导体引出的电极叫阴极K。从晶闸管的电路符号可以看到，它和二极管一样是一种单方向导电的器
可控硅的触发条件
过零触发-一般是调功，即当正弦交流电交流电电压相位过零点触发，必须是过零点才触发，导通可控硅。 非过零触发-无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅，常见的是移相触发，即通过改变正弦交流电的导通角（角相位），来改变输出百分比。
可控硅的常用封装形式
常用可控硅的封装形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220AB、TO-3P、SOT-89、TO-251、TO-252等。
锰磷硅智能分析仪
MC017-CA-H51JC锰磷硅智能分析，该仪器用于定量分析钢、铁中锰、磷、硅三元素的百分含量。
可控硅的主要参数
电流 额定通态电流（IT)即最大稳定工作电流，俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。耐压 反向重复峰值电压（VRRM)或断态重复峰值电压（VDRM），俗称耐压。常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。触发电流 控制极触发电流（IGT)，俗称触发电流。常用可控硅的IGT一般为
“掺硅补锂”电池技术介绍
从定义来说，此次智已汽车推出的“掺硅补锂”技术与蔚来固态电池所用的“无机预锂化碳硅负极”并无本质上的差异，其实质均为提高负极中硅的含量，同时增加锂的含量，来弥补因硅含量提升而导致的电池在充放电过程中锂损耗的提高。关于“掺硅”方面，实际上是在负极材料当中加入硅元素。原因在于，制约动力电池能量密度的已不
可控硅的主要参数
平均值 额定通态平均电流IT在一定条件下，阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。峰值电压 1、 反向阴断峰值电压VPR当可控硅加反向电压，处于反向关断状态时，可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时，不能超过手册给出的这个参数值。 2、 控制极触发电流Ig1 、触
快速了解硅氧的吸收峰
国际标准分类中，硅氧硅的红外吸收峰涉及到金属材料试验、半导体材料。 在中国标准分类中，硅氧硅的红外吸收峰涉及到半金属及半导体材料分析方法、金属物理性能试验方法。 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会，关于硅氧硅的红外吸收峰的标准 GB/T 1557-2018 硅晶体中间隙氧含量的
单晶硅属于什么立方晶格
金刚石结构，属于体心立方晶格，倒格子是面心立方！
可控硅的测量方法
鉴别可控硅三个极的方法很简单，根据P-N结的原理，只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。 阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上，阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上（它们之间有两个P-N结，而且方向相反，因此阳极和控制极正反向都不通）。 控制极与阴极之间是一个P-N
可控硅的相关用途介绍
普通晶闸管最基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二极管整流电路属于不可控整流电路。如果把二极管换成晶闸管，就可以构成可控整流电路。以最简单的单相半波可控整流电路为例，在正弦交流电压U2的正半周期间，如果VS的控制极没有输入触发脉冲Ug，VS仍然不能导通，只有在U2处于正半周，在控制极外加触发脉冲U
硅纳米线的主要成分
Si纳米线当然成分就是Si了，要是SiO2不就是SiO2纳米线了？不过Si确实不稳定，极易氧化，表面一定会有SiO2层的。
可控硅的电流相关参数
⒈ 额定通态电流（IT）即最大稳定工作电流，俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。 ⒉反向重复峰值电压（VRRM）或断态重复峰值电压（VDRM），俗称耐压。常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。 ⒊ 控制极触发电流（IGT），俗称触发电流。常用可控硅的IGT一般为几
硅基负极材料的性能特点
更高的正极比容量、更高的负极比容量和更高的电池电压（以及更少的辅助组元），是高能量密度电池的理论实现路径。正极材料的比容量相对更低，性能提升对电池（单体）作用显著；负极比容量提升对于电池能量密度提升仍有相当程度作用。硅材料的理论比容量远高于（约10倍）已逼近性能极限的石墨，有望成为高能量密度锂电池的
铁水在线碳硅分析仪
适合于铸造铁水成分的快速分析，测量和控制炉前铁水质量的重要参考。
炉前碳硅分析仪简介
炉前碳硅分析仪又称炉前快速铁水分析仪、碳硅成份分析仪、碳硅当量仪、热分析仪。 生产铸铁件时，要根据铸件壁厚和铸造条件选择合适的化学成份，以保证达到所需要的机械性能。其它条件相同时，碳当量(C+Si/3)对铸铁金相组织、铸造性能和机械性能有决定性影响。 球铁生产中，只有快速、准确地测定原铁水的碳
氟硅新材料论坛衢州举行
11月15~16日，由浙江省化工学会、衢州学院等联合主办的2018中国氟硅化工新材料技术与产业高峰论坛在衢州举行。记者从会上了解到，为进一步巩固衢州氟硅化工新材料产业的先发优势，激发创新动力，衢州市政府正在筹划打造更多产业创新平台，促进学术界与产业界的沟通对接，吸引更多高科技产品、高端人才前来衢
锂漂移硅检测器简介
锂漂移硅检测器，即Si(Li)探测器，是由锂向硅中漂移制作而成。锂的数量有极严格的要求，而且要求分布均匀在室温时由于锂的迁移率很高，会逐步发生反向漂移，使探测器性能下降。用液氮冷却是为了防止锂的反漂移。使探测器具有最佳的信噪比。此探测器的窗口法兰等结合部多少有些微小漏气，这些气体由置于探测器内的
可控硅的常用封装形式
常用可控硅的封装形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220AB、TO-3P、SOT-89、TO-251、TO-252等。
锂漂移硅检测器原理
当光子进入检测器后，在Si(Li)晶体内激发出一定数目的电子空穴对。产生一个空穴对的最低平均能量ε是一定的，因此由一个X射线光子造成的空穴对的数目N=△E/ε。入射X射线光子的能量越高，N就越大。利用加在晶体两端的偏压收集电子空穴对，经过前置放大器转换成电流脉冲，电流脉冲的高度取决于N的大小。电
硅钼棒的安装及使用
硅钼棒的安装及使用正确安装硅钼棒的方法: 1、垂直悬挂式：二硅化钼电热元件常温下脆性很大,高温时又有可塑性。所以 U 型元件的安装方法是垂直悬挂,通过支撑夹头将元件垂直悬挂于炉顶上。这样安装的目的就是避免将机械应力加到元件发热端上,否则容易引起元件断裂。 2、支撑夹头：支撑夹头分
碳硅分析仪的用途
碳硅分析仪又称炉前铁水成份分析仪,广泛用于现场测量灰铁、玛铁、球铁、蠕铁、低合金铸铁等原铁水中:碳当量、碳含量、硅含量、浇样温度TM、液相线温度TL、固相线温度TS。