氮化镨(III)的基本信息
......阅读全文
氮化镓的的电学特性
GaN的电学特性是影响器件的主要因素。未有意掺杂的GaN在各种情况下都呈n型,最好的样品的电子浓度约为4×1016/cm3。一般情况下所制备的P型样品，都是高补偿的。很多研究小组都从事过这方面的研究工作，其中中村报道了GaN最高迁移率数据在室温和液氮温度下分别为μn=600cm2/v·s和μn= 1
氮化铟－用途与制备方法
应用氮化铟(InN)发展成为新型的半导体功能材料，在所有Ⅲ族氮化物半导体材料中，氮化铟具有良好的稳态和瞬态电学传输特性，它有最大的电子迁移率、最大的峰值速率、最大的饱和电子漂移速率、最大的尖峰速率和有最小的带隙、最小的电子有效质量等优异的性质，这些使得氮化铟相对于氮化铝(AlN)和氮化镓(GaN)等
氮化钛的理化性质
晶体结构：立方体分子式:TiNCasNo:25583-20-4分子量:61.874密度：5.22g/cm3熔点：2930℃（5310°F;3200K）气味：无臭溶解性：微溶于热的王水Chemicalbook,浓硫酸和氟化氢，不溶于水维氏硬度：2400弹性模量：251GPa热导率：19.2W/(m·°