ACAIC同期论坛:半导体材料/器件高质量发展与下一代分析仪器

半导体行业是一个技术密集型的行业,其生产工艺复杂,设备精密度要求高,整体流程涉及到成百上千道工序。随着半导体制造工艺越来越高,其制造难度及品质管控也在呈指数级增长。因此,对材料纯度、制造精度等都提出极高要求,而这也给材料、器件的分析检测技术带来了巨大的挑战。为了进一步探讨我国半导体及其相关信息技术领域的最新研究进展和发展趋势,特别是半导体材料分析检测技术,推动我国半导体材料事业快速发展,加强各领域学术交流与协同创新,特举办本次论坛。组织机构中国科学院上海硅酸盐研究所论坛日程安排报告人简介第九届中国分析仪器学术大会(ACAIC 2024)第二轮通知0826.pdf......阅读全文

半导体的光电导概述

  半导体的 光电导是指半导体受光照而引起电导率的改变。最早是1873年W.史密斯在 硒上发现的。 20世纪的前40年内,又先后在 氧化亚铜、 硫化铊、 硫化镉等 材料中发现,并利用这 现象制成几种可用作光强 测量及 自动控制的 光电管。自40年代开始,由于 半导体物理学的发展,先是 硫化铅的,尔后

常见的半导体材料介绍

常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等,硅是各种半导体材料应用中最具有影响力的一种。

什么是半导体异质结

半导体异质结构一般是由两层以上不同材料所组成,它们各具不同的能带隙。这些材料可以是GaAs之类的化合物,也可以是Si-Ge之类的半导体合金。按异质结中两种材料导带和价带的对准情况可以把异质结分为Ⅰ型异质结和Ⅱ型异质结两种,两种异质结的能带结构异质结图册,I型异质结的能带结构是嵌套式对准的,窄带材料的

常用铁磁半导体介绍

以下是几种铁磁半导体:掺锰的砷化铟和砷化镓(GaMnAs),居里温度在分别在50-100k和100-200k。掺锰的锑化铟,不过在常温下具有铁磁性和锰浓度不到1%。氧化物类半导体:1.掺锰的氧化铟,常温下具有铁磁性。2.氧化锌。3.掺锰的氧化锌。4.掺n型钴的氧化锌。二氧化钛:掺钴的二氧化钛,常温下

磁性半导体的发展历史

第一代磁性半导体关于磁性半导体的研究可以追溯到20世纪60年代。我们首先来简单回顾一下关于浓缩磁性半导体(Concentrated Magnetic Semiconductor)的研究进展。所谓浓缩磁性半导体即在每个晶胞相应的晶格位置上都含有磁性元素原子的磁性半导体,例如Eu或Cr的硫族化合物:岩盐

非晶半导体的定义

非晶半导体又称无定形半导体或玻璃半导体,非晶态固体中具有半导电性的一类材料。具有亚稳态结构,组成原子的排列是短程有序、长程无序,键合力未发生变化,只是键长和键角略有不同。按键合力性质有共价键半导体,包括四面体的Si、Ge、SiC、ZnSn、GaAs、GaSb等,“链状”的S、Se、Te、As2Se3

半导体器件的开关特性

  MOS的基本元件是MOS管。MOS管是一种电压控制器件,它的3个电极分别称为栅极(G)、漏极(D)和源极(S),由栅极电压控制漏源电流。MOS管根据结构的不同可分为P型沟道MOS管和N型沟道MOS管两种,每种又可按其工作特性进一步分为增强型和耗尽型两类。   1、静态特性   MOS管作为开

半导体掺杂有什么作用

半导体的掺杂是为了提高半导体器件的电学性能,半导体的很多电学特性都与掺杂的杂质浓度有关。纯正的半导体是靠本征激发来产生载流子导电的,但是仅仅依靠本证激发的话产生的载流子数量很少,而且容易受到外间因素如温度等的影响。掺入相应的三价或是五价元素则可以在本征激发外产生其他的载流子。半导体的常用掺杂技术主要

半导体器件有哪些分类

现在被称作半导体器件的种类如下所示。按照其制造技术可分为分立器件半导体、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、存储器等大类,一般来说这些还会被再分成小类。此外,IC除了在制造技术上的分类以外,还有以应用领域、设计方法等进行分类,最近虽然不常用,但还有按照IC、LSI、VLSI(超大LSI)及其规模进行分类

上海半导体展/2024上海国际芯片及半导体产业博览会

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2024深圳半导体设备展4月深圳邀您共享半导体行业盛会!

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2024上海国际半导体芯片展览会|上海半导体设备、材料展

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半导体展—2024上海国际半导体展览会【官方网站】

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半导体展会|2024上海安全控制芯片展览会「上海半导体展」

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半导体所在反转能带半导体表面磁性全电控制方面取得进展

  在国家基金委和中科院创新工程的支持下,半导体研究所常凯研究员和博士生朱家骥与美国斯坦福大学物理系张首晟教授合作,从理论上研究了BiSe等材料表面磁性全电控制的可能性。   通过控制载流子浓度以控制材料磁性是半导体自旋电子学领域的一个重要研究方向。这种控制方案已经在稀磁半导体GaM

半导体照明半导体照明联合创新国家重点实验室通过论证

“半导体照明半导体照明联合创新国家重点实验室(筹)”通过国家科技部建设方案可行性论证   8月23日,科技部基础研究司组织专家组召开了“半导体照明半导体照明联合创新国家重点实验室(筹)”建设方案可行性论证会议。科技部有关领导及有关专家出席了论证会。论证会由现场考察与实验室答辩两部分组成。  

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半导体及材料展会丨2024年上海半导体及材料展-点击咨询

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2024上海半导体材料展览会|全国半导体展|第十三届

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2024北京半导体材料展|2024第21届北京半导体展览会

2024第二十一届中国国际半导体博览会(IC China)时 间:2024 年 9 月 5 一 7 日地 点:中国·北京 · 北人亦创国际会展中心参展咨询:021-5416 3212大会负责人:李经理 136 5198 3978(同微)(IC China)自2003年起已连续成功举办二十届,是我国半