日本开发出2英寸SCAM晶体有望替代蓝色LED基板
日本福田结晶技术研究所成功试制出了口径为50mm（2英寸）的ScAlMgO4（SCAM）晶体。设想用于蓝色LED元件及蓝紫色半导体激光器等GaN类发光元件的基板。与制造蓝色LED元件的基板大多使用的蓝宝石相比，SCAM更适合减少GaN类半导体的结晶缺陷，因此有望提高发光元件的亮度。据该研究所介绍，日本东北大学金属材料研究所松冈隆志教授的研究小组利用试制品层叠GaN类半导体设计了LED，证实了该材料的有用性。 SCAM的特点是与GaN的晶格失配度仅1.8%，不容易产生晶格位错这种结晶缺陷。虽然以前业内认为很难制作SCAM晶体，但福田结晶技术研究所采用CZ法试制成功了2英寸的高品质SCAM晶体。据该研究所介绍，通过改善晶体生长的条件和晶体生长炉的结构，提高了结晶品质。该研究所劈开试制出的SCAM晶体，利用X射线衍射法评估了其C面，结果发现其半幅值为12.9秒，结晶品质跟Si的完全结晶相当。 另外，该研究所不用切割和研磨加工工......阅读全文
半导体激光器的关键技术
半导体激光器是激光器中可以说是较为实用重要的激光器种类，也广泛应用于印刷业和医学领域，也因此成为了热卖产品，加快了以取代激光打标机市场份额的步伐，非常值得人深思。它是电流注入型半导体PN结光发射器件，具有体积小、重量轻、直接调制、宽带宽，转换效率高、高可靠和易于集成等特点，产品波长覆盖范围从40
半导体激光器的技术发展
半导体激光器俗称激光二极管，因为其用半导体材料作为工作物质的特性所以被称为半导体激光器。半导体激光器由光纤耦合半导体激光器模块、合束器件、激光传能光缆、电源系统、控制系统及机械结构等构成，在电源系统和控制系统的驱动和监控下实现激光输出。一、半导体激光器简介半导体激光器俗称激光二极管，因为其用半导体材
新型太赫兹半导体激光器问世
据加州大学洛杉矶分校官网报道，该校科研人员利用新方法制造出太赫兹频率下工作的半导体激光器。这一突破或将带来可用于太空探索、军事和执法等领域的新型强大激光器。 在电磁波谱中，太赫兹的频率范围位于微波和红外线之间。太赫兹波可以在不损伤被检测物质的前提下对塑料、服装、半导体和艺术品等进行材料分析，
半导体激光器发射激光的条件
我们的半导体激光器具有高稳定性、率、高可靠性、低噪声和的激光光束质量等特点。非常适合OEM设计,科学研究和工业使用。 半导体激光器与气体激光器、液体激光器等有一定的区别，半导体激光器中是以半导体材料来做工作物质的，那么大家知道半导体激光器发射激光的条件是什么吗？下面中国传感器交易网的专家来
如何保护您的半导体激光器
半导体激光器对静电释放和电流瞬变都比较敏感。这些因素造成的损害可能导致激光器输出功率的减小，阈值电流的平移，以及其他一些破坏性的损伤等。 本文整理了如何保护您的激光器的一些注意事项。我们强烈建议在您使用半导体激光器时，遵循接下来的指导原则,以把对激光器的损害降低到最小。 1）驱动设备不要使用电压源来
美开发出无缺陷半导体纳米晶体薄膜
据物理学家组织网8月21日(北京时间)报道，美国麻省理工学院的研究人员利用电子束光刻技术和剥离过程开发出无缺陷半导体纳米晶体薄膜。这是一种很有前途的新材料，可广泛应用并开辟潜在的重点研究领域。相关报告发表在近期出版的《纳米快报》杂志网络版上。 半导体纳米晶体的大小决定了它们的电子和光学性质
InGaAsSb半导体激光器欧姆接触的研究
主要研究了InGaAsSb半导体激光器的欧姆接触特性。在对课题的研究背景、国内外发展状况进行简单的介绍的基础上,阐述了半导体激光器系统和Ⅲ-Ⅴ族材料的性质,并详述了InGaAsSb半导体激光器的主要用途、优势以及目前的研究进展。分析了金属与半导体整流接触及欧姆接触的相关原理,设计了一种GaSb基半导
InGaAsSb半导体激光器欧姆接触的研究
本文主要研究了InGaAsSb半导体激光器的欧姆接触特性。在对课题的研究背景、国内外发展状况进行简单的介绍的基础上,阐述了半导体激光器系统和Ⅲ-Ⅴ族材料的性质,并详述了InGaAsSb半导体激光器的主要用途、优势以及目前的研究进展。分析了金属与半导体整流接触及欧姆接触的相关原理,设计了一种GaSb基
半导体激光器的功能及介质介绍
半导体激光器又称激光二极管，是用半导体材料作为工作物质的激光器。由于物质结构上的差异，不同种类产生激光的具体过程比较特殊。常用工作物质有砷化镓（GaAs）、硫化镉（CdS）、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)等。激励方式有电注入、电子束激励和光泵浦三种形式。 半导体激光器件，可分为同质结、单异质结、
半导体激光器与氦氖激光的对比
波长越短测量精度越高。氦氖激光波长632.8纳米，显然优于半导体激光635纳米和650纳米。 氦氖激光线宽窄稳定性高在诸多激光器中是的，这已经是光学界的共识。 半导体激光器的线宽在各种激光器中是zui宽的，可以达到几十至几百cm-1，也就是说半导体激光器的单色性是zui差的。 从激光原理看，激
激光粒度仪关于氦氖激光器与半导体激光器的对比
波长越短测量精度越高。氦氖激光波长632.8纳米，显然优于半导体激光635纳米和650纳米。氦氖激光线宽窄稳定性高在诸多激光器中是的，这已经是光学界的共识。半导体激光器的线宽在各种激光器中是zui宽的，可以达到几十至几百cm-1，也就是说半导体激光器的单色性是zui差的。从激光原理看，激光发光与跃
激光粒度仪关于氦氖激光器与半导体激光器的对比
波长越短测量精度越高。氦氖激光波长632.8纳米，显然优于半导体激光635纳米和650纳米。氦氖激光线宽窄稳定性高在诸多激光器中是的，这已经是光学界的共识。半导体激光器的线宽在各种激光器中是zui宽的，可以达到几十至几百cm-1，也就是说半导体激光器的单色性是zui差的。从激光原理看，激光发光与跃迁
新发现！半导体晶体中的新型准粒子
近日，《通讯—物理》发表的一篇论文描述了一种在高质量半导体晶体中发现的新型准粒子——Collexon。可以印证准粒子存在的材料会表现出独特的光学特征和不同寻常的物理特性，这些特点对基础科学和应用科学都很重要。 在由许多不同粒子组成的微观复杂系统（如固体材料）中，每个粒子的运动都是复杂的，是该粒
常见半导体激光器的工作波段有哪些
波长紫光：400~410nm蓝光：445~450nm，462~465nm绿光：510~520nm橙红及红光：635~638nm，650~660nm红外光：780~2000nm
半导体二极管激光器的特性
(1) 体积小，重量轻；(2) 驱动功率和电流较低；(3) 效率高、工作寿命长；(4) 可直接电调制；(5) 易于与各种光电子器件实现光电子集成；(6) 与半导体制造技术兼容；可大批量生产。由于这些特点，半导体激光器自问世以来得到了世界各国的广泛关注与研究。成为世界上发展最快、应用最广泛、最早走出实
半导体激光器在电子焊接领域的应用
高密度互连随着电子器件和集成电路的微型发展，使得传统的软熔焊接方法不断受到挑战。如何在高密度相互连接中成功地完成对每个细小的焊脚的焊接，而不造成相邻焊脚间的粘连和电路板的热损坏，采用激光进行无接触焊接成为解决方案之一。以前，能够提供足够功率的激光器大多体积庞大、日常维护成本高，因此很不实用。但是，随
半导体二极管激光器的应用
半导体二极管激光器是最实用最重要的一类激光器。它体积小、寿命长，并可采用简单的注入电流的方式来泵浦，其工作电压和电流与集成电路兼容，因而可与之单片集成。并且还可以用高达GHz的频率直接进行电流调制以获得高速调制的激光输出。由于这些优点，半导体二极管激光器在激光通信、光存储、光陀螺、激光打印、测距以及
半导体激光器的关键技术有哪些
半导体激光器是激光器中可以说是较为实用重要的激光器种类，也广泛应用于印刷业和医学领域，也因此成为了热卖产品，加快了以取代激光打标机市场份额的步伐，非常值得人深思。它是电流注入型半导体PN结光发射器件，具有体积小、重量轻、直接调制、宽带宽，转换效率高、高可靠和易于集成等特点，产品波长覆盖范围从40
半导体激光器的关键技术有哪些
半导体激光器的关键技术有哪些 半导体激光器是激光器中可以说是较为实用重要的激光器种类，也广泛应用于印刷业和医学领域，也因此成为了热卖产品，加快了以取代激光打标机市场份额的步伐，非常值得人深思。它是电流注入型半导体PN结光发射器件，具有体积小、重量轻、直接调制、宽带宽，转换效率高、高可靠和易
半导体所制备成功太赫兹量子级联激光器
中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室、低维半导体材料与器件北京市重点实验室，在科技部、国家自然科学基金委及中科院等项目的支持下，经过努力探索，制备成功太赫兹量子级联激光器和红外量子级联激光器(QCL)系列产品系列产品。 太赫兹(THz)量子级联激光器是一种通过在半导体异质结
蓝绿光半导体激光器将国产化
记者1日从中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所（以下简称中科院苏州纳米所）获悉,该研究所与多家企业合作,成立了国内首家氮化镓基蓝绿光半导体激光器材料和器件生产企业。 这意味着,被国外垄断的蓝绿光半导体激光器将实现国产化。 氮化镓基蓝绿光半导体激光器是第三代半导体材料的重要方向。尽管目前它在市场
852nm窄线宽半导体激光器问世
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/12/514985.shtm
半导体激光器助力生命科学研究
Qioptiq激光器如何提高生命科学仪器的性能？在生命科学仪器如流式细胞仪中，提高仪器性能关注的问题：1. 把聚焦的光束打到一个流动的，且小于100μm宽的样品上。为了从流动的目标上得到有意义的数据，这样就必须保证探测器和光源具有非常好的稳定性，它们两个中任何一个有移动的话，都会产生图像抖动和降低分
半导体所研制出GaN基紫外激光器
12月14日，中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室研究员赵德刚团队研制出GaN基紫外激光器。GaN被称为第三代半导体，在光电子学和微电子学领域有广泛的应用，其中GaN基紫外激光器在紫外固化、紫外杀菌等领域有重要的应用价值，也是国际上的研究热点。GaN基紫外激光器技术难度很大，目前国际
固体激光器和半导体激光器在结构和原理上有什么异同
半导体二极管激光器是实用中最重要的一类激光器。它体积小、寿命长，并可采用简单的注入电流的方式来泵浦其工作电压和电流与集成电路兼容，因而可与之单片集成。并且还可以用高达GHz的频率直接进行电流调制以获得高速调制的激光输出。由于这些优点，半导体二极管激光器在激光通信、光存储、光陀螺、激光打印、测距以
光谱分析仪的光源半导体激光器与普通激光器对比
半导体激光器与普通激光器相比还有很多优点。它是目前所有激光器中体积最小、效率最高的一种激光器，而且操作简单，使用寿命长（约105h）但是它也存在很多不足之处：首先，二极管激光器的可调谐波长范围只有20nm 左右，这就意味着要获得宽的波长范围，就需要很多二极管激光器；其次，二极管激光器的可用输出波长通
半导体泵浦激光原理实验系统/泵浦激光原理实验系统
半导体泵浦激光原理实验系统采用波长为808nm的半导体泵浦源，激光晶体为ND:YVO4以及KTP倍频晶体等，构成整个实验系统。主要适用于大学近代物理教学，学生可以自己动手，通过调整激光器光路，观察倍频现象，并测量倍频效率、相位匹配角等参数，从而进一步了解和掌握激光原理及激光技术。成套性：光学导轨、二
半导体二极管激光器的工作原理
根据固体的能带理论，半导体材料中电子的能级形成能带。高能量的为导带，低能量的为价带，两带被禁带分开。引入半导体的非平衡电子-空穴对复合时，把释放的能量以发光形式辐射出去，这就是载流子的复合发光。一般所用的半导体材料有两大类，直接带隙材料和间接带隙材料，其中直接带隙半导体材料如GaAs（砷化镓）比间接
半导体泵浦铯蒸气激光器国内首次出光
继2012年5月18日实现铷蒸气激光输出，2013年10月23日，中科院电子学研究所高功率气体激光技术部(五室)成功实现了半导体泵浦铯蒸气激光器国内首次出光。 半导体泵浦铯蒸气激光器属于半导体泵浦碱金属激光器(Diode Pumped Alkali Laser，DPAL)，是一种新型的
半导体激光器：向“换道超车”的目标进发
郑婉华（左三）团队在人民大会堂合影。 半导体激光器是当今最重要的激光光源，它输出功率大，电光转换效率高。但是，普通半导体激光器光束发散角大、汇聚能力低、光束质量差，使用中需要配合特定的整形光路，这使得系统变得复杂，制约其广泛应用。 中国科学院半导体研究所郑婉华研究员及其研究团队长