科学家研发出砷化镓晶片批量生产技术
新一期英国《自然》杂志报告说，美国研究人员研发出一种可批量生产砷化镓晶片的技术，克服了成本上的瓶颈，从而使砷化镓这种感光性能比硅更优良的材料有望大规模用于半导体和太阳能相关产业。 据介绍，砷化镓是一种感光性能比当前广泛使用的硅更优良的材料，理论上它可将接收到的阳光的40%转化为电能，转化率约是硅的两倍，因此卫星和太空飞船等多采用砷化镓作为太阳能电池板的材料。然而，传统的砷化镓晶片制造技术每次只能生成一层晶片，成本居高不下，限制了砷化镓的广泛应用。 美国伊利诺伊大学等机构研究人员报告说，他们开发出的新技术可以生成由砷化镓和砷化铝交叠的多层晶体，然后利用化学物质使砷化镓层分离出来，可同时生成多层砷化镓晶片，大大降低了成本。这些砷化镓晶片可以像“盖章”那样安装到玻璃或塑料等材料表面，然后可使用已有技术进行蚀刻，根据需要制造半导体电路或太阳能电池板。 不过，该技术目前还只能用于批量生产较小的砷化镓晶片，如边......阅读全文
上海微系统所镓砷铋量子阱激光器研究获进展
近期，中国科学院上海微系统与信息技术研究所镓砷铋（GaAsBi）量子阱激光器研究取得新进展。研究员王庶民领导的研究团队采用分子束外延方法生长了镓砷铋量子阱材料，并成功制备出目前发光波长最长（1.142微米）的电泵浦镓砷铋室温（300 K）量子阱激光器，突破之前1.06微米的世界纪录，脉冲激射最大
氧化锌涂层改良“袖口”电池－创设备能量转换新纪录
袖口大小的太阳能电池产生的电能很有限，因为他们的光电流较低，而阿肯色大学的工程研究人员使用氧化锌为小电池加了涂层之后，创下了小电池设备能量转换的新纪录。 每块电池一边边长只有9毫米（0.35英寸），但电池能效可达14%，实现了目前小型砷化镓太阳能电池的最高能效。 同尺寸
日本新技术使太阳能电池光电转换率增一倍
日本京都大学的一个研究团队在英国《自然·光子学》网络版上发表文章说，他们研制了一种特殊的滤膜，能使太阳能电池的光电转换效率相对于“普及”水平提高一倍以上。 据日本《朝日新闻》网站15日报道，目前最普及的硅太阳能电池的光电转换效率一般在20%左右，经技术改良达到30%已经很不容易。这是由于太
磁阻原件的阻值变化为什么受温度的影响比较大
因为它是半导体元件。常见的磁阻元件为锑化铟材料，由于它的禁带宽度低（0.18eV），所以导致它受温度的影响就大，这是半导体物理性质决定的（学过半导体物理就知道了），实验也证明如此。例如砷化镓（1.47eV）的温度系数就比硅（1.21eV）的小，这是因为它禁带宽度比硅大。
半导体变流器
导体变流器是使用半导体阀器件的一种电力电子变流器，使电源系统的电压、频率、相数和其他电量或特性发生变化的电器设备。 定义 使用半导体阀器件的一种电力电子变流器。 术语 ①类似术语也适用于由具体类型的半导体或其他电子阀件组成的变流器或具体类型的变流器。例如晶闸管变流器，汞弧整流器，晶体管
硅化铂探测器简介
硅化铂探测器是指利用铂硅肖特基势垒和内光电效应将入射的红外辐射转变成电信号的器件。又称硅化铂肖特基势垒探测器。 简介 硅化铂探测器是指利用铂硅肖特基势垒和内光电效应将入射的红外辐射转变成电信号的器件。又称硅化铂肖特基势垒探测器。 用途 主要用于中、短波红外辐射的探测。 构造 它的构造
碳纳米晶体管性能首次超越硅晶体管
据美国威斯康星大学麦迪逊分校官网近日报道，该校材料学家成功研制的1英寸大小碳纳米晶体管，首次在性能上超越硅晶体管和砷化镓晶体管。这一突破是碳纳米管发展的重大里程碑，将引领碳纳米管在逻辑电路、高速无线通讯和其他半导体电子器件等技术领域大展宏图。 碳纳米管管壁只有一个原子厚，是最好的导电材料之一，
全柔性整流器可将无线信号转为电能
据美国每日科学网站近日报道，美国和西班牙科学家开发出由二硫化钼构成的整流器，可将电磁波有效转化为直流电。这是首款可大规模应用的全柔性设备，能将无线网络（Wi-Fi）信号产生的能量转化为电能，未来有望为可穿戴设备、可植入医疗设备、电子设备等供电。 整流器是把交流电转换成直流电的装置。研究显示，普
最全面的二极管知识分享
二极管由管芯、管壳和两个电极构成。管芯就是一个PN结，在PN结的两端各引出一个引线，并用塑料、玻璃或金属材料作为封装外壳，就构成了晶体二极管，如下图所示。P区的引出的电极称为正极或阳极，N区的引出的电极称为负极或阴极。二极管的伏安特性半导体二极管的核心是PN结，它的特性就是PN结的特性——单
蓝宝石晶片退火的方法
蓝宝石晶片退火的方法蓝宝石晶体(Al2O3)是超高亮度的蓝、白光LED发光材料GaN常用的衬底材料， 而GaN嘉晶的晶体质量与所使用的监宝石衬底(基板)表面加工质量密切相关，尤其是图形化衬底(PSS)与晶片的表面形貌、翘曲程度联系密切，同时，晶片的翘曲程度过大，会在平片做GaN磊晶时，平片与外延
硅硫材料对复合污染土壤镉砷赋存形态的影响
为探究含硅含硫材料对极重度（矿区）镉砷复合污染土壤镉、砷形态动态变化的影响，以及轻、重度镉砷复合污染耕地土壤与淹水条件下含硅含硫材料对土壤镉、砷形态变化的影响，本试验采集三种不同污染程度土壤（极重度矿区污染土壤、重度污染耕地土壤、轻度污染耕地土壤），通过室内土壤培养的方法模拟施用含硅含硫材料，研
宽带隙半导体材料的特性
氮化镓、碳化硅和氧化锌等都是宽带隙半导体材料，因为它的禁带宽度都在3个电子伏以上，在室温下不可能将价带电子激发到导带。器件的工作温度可以很高，比如说碳化硅可以工作到600摄氏度；金刚石如果做成半导体，温度可以更高，器件可用在石油钻探头上收集相关需要的信息。它们还在航空、航天等恶劣环境中有重要应用。广
宽带隙半导体材料的特征
氮化镓、碳化硅和氧化锌等都是宽带隙半导体材料，因为它的禁带宽度都在3个电子伏以上，在室温下不可能将价带电子激发到导带。器件的工作温度可以很高，比如说碳化硅可以工作到600摄氏度；金刚石如果做成半导体，温度可以更高，器件可用在石油钻探头上收集相关需要的信息。它们还在航空、航天等恶劣环境中有重要应用。广
能源技术渐成全球新兴技术创新重要内容
①卵原干细胞;②超高效太阳能;③光场摄影术;④太阳能微电网⑤3-D晶体管;⑥稀疏傅里叶变换;⑦纳米孔测序;⑧众投模式⑨高速筛选电池材料;⑩Facebook的“时间线” 每块电池上的黑色方块就是砷化镓，使用如此少量的昂贵材料可以降低成本。 由于要处理的样品太多，野猫发现技术
美研制出新型“4维”晶体管
据物理学家组织网12月6日(北京时间)报道，美国普渡大学和哈佛大学的研究人员推出了一项极为应景的新发明：一种外形如同一颗圣诞树一样的新型晶体管，其重要组件“门”(栅极)的长度缩减到了突破性的20纳米。这个被称为“4维”晶体管的新事物预告了引领半导体工业和未来计算机领域发展的潮流。该研究成果将于1
微波等离子体亚深微米刻蚀
利用微波电子回旋共振（ECR）可以产生高密度的等离子体，选择不同的活性种粒分别对硅、砷化镓等半导体，Al, Cu, W, Ti 等金属，SiO2, Si3N4, Al2O3等无机物质和聚酰亚胺等有机物质，进行选择性刻蚀，制备大规模集成电路的芯片。现在的刻蚀技术，主要是采用电子束或同步辐射束曝光后，用
复合半导体纳米线成功整合在硅晶圆上
据美国物理学家组织网11月9日报道，美国科学家开发出一种新技术，首次成功地将复合半导体纳米线整合在硅晶圆上，攻克了用这种半导体制造太阳能电池会遇到的晶格错位这一关键挑战。他们表示，这些细小的纳米线有望带来优质高效且廉价的太阳能电池和其他电子设备。相关研究发表在《纳米快报》杂志上。 III—
固态电子器件的未来展望
固态电子器件的理论基础是固体物理，技术基础是材料科学。30年代固体电子论的进展和40～50年代锗、硅材料工艺的进展，奠定了后半个世纪固态电子器件飞速发展的基础。Ⅲ、Ⅴ族化合物半导体材料，尤其是砷化镓材料工艺日趋成熟，新的固态电子器件随着材料质量的提高和对材料物理的深入研究而不断出现。在微波晶体管