Co催化基于6HSiC单晶的石墨烯制备

采用磁控溅射制备Co（200nm）/6H-SiC异质结,在500-1000℃下退火,通过X-射线衍射（XRD）、俄歇电子能谱散射（AES）、拉曼光谱散射（Raman）研究接触界面的化学反应。研究表明高温下反应易生成稳定的化合物Co₂Si,反应生成的C单质经扩散会富集于界面的最表面,并呈现晶态石墨和无定形结构。