在锐钛相TiO2纳米线有序阵列中观察到室温条件下三个新的荧光带，峰位分别为425nm, 465nm和525nm。揭示三个荧光带产生的来自于自束缚激子、氧空位和F+中心。
利用电沉积法成功地在氧化铝模板中制备了不同直径 Bi 纳米线阵列。发现20nm 的Bi纳米线电阻曲线在50 K出现最大值，50nm 的Bi纳米线电阻曲线在258K出现最小值。且当T>50K时， 20nm 和50nm 样品的电阻曲线是负温度依赖，而70nm样品是正温度依赖，这表明在50—70nm附近Bi纳米线可能发生了半导体—半金属转变。
磁电阻研究结果表明，在100K, 50nm样品的巨磁电阻达到45%，在4.2K附近, 20nm直径 Bi 纳米线阵列的磁电阻出现异常。
