纳米结构电荷俘获材料及高密度多值存储验收会召开

　　9月29日，重大科学研究计划“纳米结构电荷俘获材料及高密度多值存储基础研究”课题验收会在中国科学院微电子研究所召开。中国科学院吴德馨院士、解思深院士、李树深院士、高鸿钧院士，南京大学郑有炓院士、施毅教授，国家外国专家局马俊如研究员，北京大学薛增泉教授、朱星教授，国家自然科学基金委员会何杰研究员，复旦大学沈健教授，中山大学邓少芝教授，东南大学顾宁教授，中科院前沿科学与教育局孔明辉处长、杨永峰处长，微电子所所长叶甜春研究员、项目首席科学家刘明研究员等验收专家组成员及项目相关科研人员参加了会议。

　　重大科学研究计划“纳米结构电荷俘获材料及高密度多值存储基础研究”于2010年开题，共分为4个子课题，由中科院微电子所牵头，联合南京大学、中科院物理研究所、北京大学等国内信息领域的优秀单位，组成了具有国际水平的科研团队，以解决国家重大战略需求、获得自主知识产权为宗旨，紧密围绕新一代CTM 存储材料和高密度多值存储中的关键科学问题与技术进行联合攻关，取得了以下成果：第一，从能带工程出发，综合优化CTM隧穿层/俘获层/阻挡层，为存储器性能优化提供基础；第二，发展了单电子表面势技术，优化编程方法，提出一种8值单元编程方法，有效提高了CTM器件的存储密度；第三，系统研究了存储器特性和材料与结构的关系；第四，首次揭示电荷在存储层中的垂直分布，观察到电荷横向移动现象，对CTM的编程和擦除过程中载流子输运机制进行了直观表征；第五，电荷俘获存储器模拟平台为新材料、新结构、三维NAND结构的性能评估和优化设计提供了工具；第六，提出了junction-assisted低压编程、擦除方法；改善了可靠性，编程速度提高300倍，保持特性和存储窗口显著改善 ；第七，在生产平台首次完成CTM存储器从材料、工艺、器件、集成的系统研究；第八，获得自主知识产权CTM存储技术系统解决方案。

　　验收会上，刘明研究员和各课题负责人、项目骨干汇报了项目和各课题的验收、总结情况。验收专家组经过审议一致认为，4个子课题在新材料、器件机理、模型研究、兼容芯片制造工艺的高密度集成、新结构多值存储设计与模拟研究等方面有机结合、紧密联系，计划任务圆满完成，技术资料准备齐全，科研成果具有创新性，全部评定为“优秀”。会议的成功召开，为项目的顺利验收奠定了基础。