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据美国物理学家组织网12月21日（北京时间）报道，德国科学家研制出一种新式的通用晶体管，其既可当p型晶体管又可当n型晶体管使用，最新晶体管有望让电子设备更紧凑；科学家们也可用其设计出新式电路。相关研究发表在最新一期的《纳米快报》杂志上。 目前，大部分电子设备都包含两类不同的场效应晶体管：使用电子作为载荷子的n型和使用空穴作为载荷子的p型。这两种晶体管一般不会相互转化。而德累斯顿工业大学和德奇梦达公司携手研制的新式晶体管可通过电信号对其编程，让其自我重新装配，游走于n型晶体管和p型晶体管之间。 新晶体管由单条金属—半导体—金属结构组成的纳米线嵌于一个二氧化硅外壳中构成。从纳米线一端流出的电子或空穴通过两个门到达纳米线的另一端。这两个门采用不同方式控制电子或空穴的流动：一个门通过选择使用电子或空穴来控制晶体管的类型；另一个门则通过调谐纳米线的导电性来控制电子或空穴。 传统晶体管通过在制造过程中掺杂不同元素来确......阅读全文
第三个问题，技术节点的缩小过程中，晶体管的设计是怎样发展的。首先要搞清楚，晶体管设计的思路是什么。主要的无非两点：第一提升开关响应度，第二降低漏电流。为了讲清楚这个问题，最好的方法是看图。晶体管物理的图，基本上搞清楚一张就足够了，就是漏电流-栅电压的关系图，比如下面这种：横轴代表栅电压，纵轴
1、晶体管晶体管有很多种，包括当前还有多种结构的晶体管被发明出来。本质上，晶体管的工作都是表现为一个受控的电流源或电压源，其工作机制是将不含内容的直流的能量转化为“有用的”输出。直流能量乃是从外界获得，晶体管加以消耗，并转化成有用的成分。不同的晶体管不同的“能力”，比如其承受功率的能力有区别，这也是
半导体制造工艺节点是如何演进的？晶体管的架构是怎样发展成如今模样的？下面告诉你...半导体制造的工艺节点，涉及到多方面的问题，如制造工艺和设备，晶体管的架构、材料等。下面，我们就具体介绍并分析一下，供大家参考。首先，技术节点是什么意思呢？常听说的，诸如，台积电16nm工艺的Nvidia GP
晶体管原理及应用晶体管全称双极型三极管（Bipolar junction transistor，BJT）又称晶体三极管，简称三极管，是一种固体半导体器件，可用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等。晶体管作为一种可变开关．基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可用作电流的开关。和一般
巨头英特尔（Intel）创始人之一Gordon Moore在1965年提出了业界著名的“摩尔定律（Moore's Law）”，大意为：集成电路上的元器件（例如晶体管）数目，每隔18个月至两年便会增加一倍，性能也将提升一倍。摩尔定律在一定程度上反映了现代电子工业的飞速发展，但时至今日，随着
8月9日出版的《科学》(Science)杂志刊发了复旦大学微电子学院张卫课题组最新科研论文，该课题组提出并实现了一种新型的微电子基础器件：半浮栅晶体管(SFGT，Semi-Floating-Gate Transistor)。这是我国科学家在该顶级学术期刊上发表的第一篇微电子器件领域的原创性成
2013年2月27日，质检总局公布第二批部门计量检定规程清理结果，本次清理范围涉及轻工、电子、化工、建材、民航等领域，涉及的仪器包括实验室、表面粗糙度仪等大量仪器。详情如下： 国家质量监督检验检疫总局《关于公布第二批部门计量检定规程清理结果的公告》(2013年第32号) 2013年第32号
目前有机薄膜晶体管(OTFT)的综合性能已经达到商用非晶硅水平，其鲜明的低生产成本和高功能优点已显示出巨大的市场潜力和产业化价值。有机薄膜晶体管将很快成为新一代平板显示的核心技术。 将成新一代平板显示核心技术 有机薄膜晶体管(OTFT，organic thin film transistor
晶体管原理及应用晶体管全称双极型三极管（Bipolar junction transistor，BJT）又称晶体三极管，简称三极管，是一种固体半导体器件，可用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等。晶体管作为一种可变开关．基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可用作电流的开关
这篇应用笔记描述了硅锗技术是如何提高 RF 应用中 IC 性能的。文中使用 Giacoleto 模型分析噪声的影响。SiGe 技术显示出更宽的增益带宽从而可以给出更小的噪声。SiGe 技术在线性度方面的影响还在研究中。 在蜂窝手机和其他数字的、便携式、无线通信
据物理学家组织网12月6日(北京时间)报道，美国普渡大学和哈佛大学的研究人员推出了一项极为应景的新发明：一种外形如同一颗圣诞树一样的新型晶体管，其重要组件“门”(栅极)的长度缩减到了突破性的20纳米。这个被称为“4维”晶体管的新事物预告了引领半导体工业和未来计算机领域发展的潮流。该研究成果将于1
基本概念 射频功率放大器(RF PA)是发射系统中的主要部分，其重要性不言而喻。在发射机的前级电路中，调制振荡电路所产生的射频信号功率很小，需要经过一系列的放大（缓冲级、中间放大级、末级功率放大级）获得足够的射频功率以后，才能馈送到天线上辐射出去。为了获得足够大的
继电器是一种电子控制器件，它具有控制系统（又称输入回路）和被控制系统（又称输出回路），通常应用于自动控制电路中，它实际上是用较小的电流去控制较大电流的一种“自动开关”。故在电路中起着自动调节、安全保护、转换电路等作用。 继电器的继电特性 继电器的输入信号 x 从零连续增加达到衔铁
神经元晶体管(vFET)作为一种多功能、智能化的晶体管，在人造神经网络应用中起着重要的作用。这类晶体管是通过电容耦合效应计算多端输入信号的加权和，来控制晶体管的导通和截止，能量消耗少，非常类似于人工神经元器件的工作模式。这类器件是在传统硅基电路的基础上发展起来的，采用复杂的CMOS 工艺制作
自从特朗普把“美国优先”树立为美国政府制定政策的标准以来，美国的各个产业部门都应景地涌现出“使美国再次伟大”的方案和计划来，其中自然少不了电子行业。美国国防高级研究计划局(DARPA)作为美国军用技术研究主要管理部门适时地启动了电子复兴计划。 该计划旨在团结美国的产业界和学术界，以重振美国略显
近日，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、中科院纳米器件与应用重点实验室秦华团队公布了能够在液氮温度下灵敏探测太赫兹波黑体辐射的氮化镓基高电子迁移率晶体管探测器研究结果，首次直接验证了天线耦合的场效应晶体管可用于非相干太赫兹波的灵敏探测。结果发表于《应用物理快报》[]，并被 APL&n
晶体管中的电介质栅被换成一种双层分子材料 晶体管制造一般是用玻璃作基底材料，这有利于在多变的环境下保持稳定，从而保证用电设备所需的电流。据美国物理学家组织网1月27日报道，美国佐治亚理工大学研究人员最近开发出一种双层界面新型晶体管，性能极为稳定，还能在可控的环境中，以低于150摄氏
近日，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、中科院纳米器件与应用重点实验室秦华团队公布了能够在液氮温度下灵敏探测太赫兹波黑体辐射的氮化镓基高电子迁移率晶体管探测器研究结果，首次直接验证了天线耦合的场效应晶体管可用于非相干太赫兹波的灵敏探测。结果发表于《应用物理快报》[Appl. Phys. L
据美国物理学家组织网2月2日(北京时间)报道，来自IBM、苏黎世理工学院和美国普渡大学的工程师近日表示，他们构建出了首个10纳米以下的碳纳米管(CNT)晶体管，而这种尺寸正是未来十年计算技术所需的。这种微型晶体管能有效控制电流，在极低的工作电压下，仍能保持出众的电流密度，甚至可超过同尺
场效应晶体管是电子学的基本元件。有机场效应晶体管由于其在柔性、大面积、低成本的电子纸、射频商标和存储器件等方面的潜在应用而受到人们的广泛关注，是有机半导体材料和器件研究领域中的重要前沿方向之一。在中国科学院（先导B）、国家自然科学基金委和科技部的大力支持下，中国科学院化学研究所有机固体重点实验室
1-3、输入输出匹配电路 匹配电路的目的是在选择一种接受的方式。对于那些想提供更大增益的晶体管来说，其途径是全盘的接受和输出。这意味着通过匹配电路这一个接口，不同的晶体管之间沟通更加顺畅，对于不同种的放大器类型来说，匹配电路并不是只有“全盘接受”一种设计方法。一些直流小、
砷化铟晶体管的中心是酞菁染料分子，其周围环绕着12个带正电的铟原子。 在一个砷化铟晶体上，12个带正电的铟原子环绕着一个酞菁染料分子，这就是科学家最新研制的分子大小的晶体管。按照摩尔定律的硬限制，这很可能是一个晶体管所能达到的最小尺寸。 新型晶体管是由德国PDI固体电子学研究所、柏林自由大学、日
2008年，美国普渡大学的一个研究团队曾提出利用负电容原理制造新型低功耗晶体管的概念。近日，加州大学伯克利分校的研究人员通过实验对这一概念进行了验证演示。研究人员利用一层极薄的二硫化钼二维材料半导体层作为临近晶体管栅极的沟道。然后，利用铁电材料氧化锆铪制作新型负电容栅极的关键组件。该研究内已于2
在国家自然科学基金创新研究群体项目（项目编号：61621061）等资助下，北京大学电子学系、纳米器件物理与化学教育部重点实验室张志勇教授团队与彭练矛教授团队合作，在高能效新型晶体管研究领域取得重要进展。研究成果以“Dirac-source Field-effect Tr
1.8HKMG技术当MOS器件的特征尺寸不断缩小45nm及以下时，为了改善短沟道效应，沟道的掺杂浓度不断提高，为了调节阈值电压Vt，栅氧化层的厚度也不断减小到1nm。1nm厚度的SiON栅介质层已不再是理想的绝缘体，栅极与衬底之间将会出现明显的量子隧穿效应，衬底的电子以量子的形式穿过栅介质层进入栅，
据美国物理学家组织网4月19日（北京时间）报道，由美国匹兹堡大学领导的一个研究小组日前宣布，他们制造出了一种核心组件直径只有1.5纳米的超小型单电子晶体管。该装置是制造下一代低功耗、高密度超大规模集成电路理想的基本器件，具有极为广泛的应用价值。相关论文发表在最新一期《自然·纳米技术
时钟速度（clock speed）是衡量一款电脑速度的重要标准，目前，个人计算机的时钟速度已经达到GHz级别，然而这还不够疯狂，现已有科学家运用石墨烯把该速度提高到了让人们吃惊的100GHz。 日前，莫斯科物理与技术研究院（MIPT）的科学家已经找到利用石墨烯来提高隧道电流的方法。石墨烯本质
据美国物理学家组织网3月27日(北京时间)报道，美国圣母大学和宾夕法尼亚州立大学的科学家们表示，他们借用量子隧穿效应，研制出了性能可与目前的晶体管相媲美的隧穿场效应晶体管(TFET)。最新技术有望解决目前芯片上晶体管生热过多的问题，在一块芯片上集成更多晶体管，从而提高电子设备的计算能力。
据美国物理学家组织网3月27日(北京时间)报道，美国圣母大学和宾夕法尼亚州立大学的科学家们表示，他们借用量子隧穿效应，研制出了性能可与目前的晶体管相媲美的隧穿场效应晶体管(TFET)。最新技术有望解决目前芯片上晶体管生热过多的问题，在一块芯片上集成更多晶体管，从而提高电子设备的计算能力。
晶体管开关电路（工作在饱和态）在现代电路设计应用中屡见不鲜，经典的74LS，74ALS等集成电路内部都使用了晶体管开关电路，只是驱动能力一般而已。TTL晶体管开关电路按驱动能力分为小信号开关电路和功率开关电路；按晶体管连接方式分为发射极接地（PNP晶体管发射极接电源）和射级跟随开关电路。发射