国内首个80纳米STTMRAM器件制备成功
近日，北京航空航天大学与中国科学院微电子研究所联合成功制备国内首个80纳米自旋转移矩——磁随机存储器芯片（STT-MRAM）器件。 STT-MRAM是一种极具应用潜力的下一代新型存储器解决方案。由于采用了大量的新材料、新结构，加工制备难度极大。当前，美韩日三国在该项技术上全面领先，很有可能在继硬盘、DRAM及闪存等存储芯片之后再次实现对我国100%的垄断。微电子所集成电路先导工艺研发中心研究员赵超与北京航空航天大学教授赵巍胜的联合团队通过3年的攻关，在STT-MRAM关键工艺技术研究上实现了重要突破，在国内首次采用可兼容CMOS工艺成功制备出直径80nm的磁隧道结，器件性能良好，其中器件核心参数包括隧穿磁阻效应达到92%，可实现纯电流翻转且电流密度达到国际领先水平。 在北京市科委的大力支持下，该工作完全采用了可兼容传统CMOS集成电路的工艺方法和流程，具备向产品化、产业化转移的条件，对我国存储器产业的技术突破形成了具有实......阅读全文
国内首个80纳米STT-MRAM器件制备成功
近日，北京航空航天大学与中国科学院微电子研究所联合成功制备国内首个80纳米自旋转移矩——磁随机存储器芯片（STT-MRAM）器件。 STT-MRAM是一种极具应用潜力的下一代新型存储器解决方案。由于采用了大量的新材料、新结构，加工制备难度极大。当前，美韩日三国在该项技术上全面领先，很有可能在继
我国成功研制80纳米“万能存储器”核心器件
想必大家都曾经遭遇过电脑突然断电，因数据未及时保存后悔不已；或是因为手机待机时间太短而莫名焦虑……这些尴尬有望避免。记者日前获悉，北京航空航天大学电子信息工程学院教授赵巍胜与中科院微电子所集成电路先导工艺研发中心研究员赵超联合团队经过三年攻关，成功制备国内首个80纳米自旋转移矩-磁随机存储器器件
碳纳米管光电传感存储器件问世
电荷耦合器件（CCD）与电荷存储器件（Memory）作为现代电子系统中两个独立分支分别沿着各自的路径发展，同时具备光电传感和存储功能的碳基原型器件尚未见报道。近日，中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心联合中科院苏州纳米所、吉林大学，于《先进材料》（Advanced Materials）
碳纳米管有望实现存储器微型化
耗电量极低 能以高速记录信息 英国科学家发现，将两根碳纳米管套在一起将能够最终产生使用二进制编码保存信息所需的“1”或“0”状态。 自从1958年发明集成电路以来，计算机产业的发展趋势就是使硬件体积越变越小。如今，英国科学家正在尝试用性能独特的碳纳米管来生产低成本、小体积的存储器
我国科研人实现碳纳米管光电传感存储器件
电荷耦合器件（CCD）与电荷存储器件（Memory）作为现代电子系统中两个独立分支分别沿着各自的路径发展，同时具备光电传感和存储功能的碳基原型器件尚未见报道。近日，中国科学院金属研究所（以下简称金属所）沈阳材料科学国家研究中心联合中国科学院苏州纳米技术研究所、吉林大学，于《先进材料》在线发表了题
专访“80后”博导刘庄：探索纳米医学，助力肿瘤诊疗
2017年5月5日，英国皇家化学会旗下期刊《Biomaterials Science》官方公布一则好消息：苏州大学刘庄教授荣获2017年度“Biomaterials Science Lectureship”奖项，成为首个获此殊荣的中国学者。 这一奖项创立于2014年，每年由 Biomateri
台积电STT-MRAM技术细节（二）
图6．Rap和Rp的电阻分布间距在计入寄生电阻时变小为了感测MTJ的电阻，必须在读取期间将其两端的电压通过晶体管N1和N2钳位到一个低值，以避免读取干扰，并对其进行微调以消除感测放大器和参考电流偏移。参考电阻是1T4R配置R？（R p ＋ R ap）／ 2 ＋ R1T，如图7所示。图7．具有微调能力
台积电STT-MRAM技术细节（一）
在ISSCC 2020上台积电呈现了其基于ULL 22nm CMOS工艺的32Mb嵌入式STT－MRAM。该MRAM具有10ns的读取速度，1M个循环的写入耐久性，在150度下10年以上的数据保持能力和高抗磁场干扰能力。ULL 22nm STT－MRAM的动机与闪存相比，TSMC的嵌入式STT－MR
台积电STT-MRAM技术细节（三）
MRAM写入操作低阻态Rp和高阻态Rap的MRAM写入操作需要如图9所示的双向写入操作。要将Rap状态写到Rp需要将BL偏置到VPP，WL到VREG＿W0，SL到0以写入0状态。要写入1状态，将Rap变成Rp需要反方向的电流，其中BL为0，SL为VPP，WL为VREG＿W1。图9．平行低电阻状态Rp
台积电STT-MRAM技术细节（四）
图15． 在－40度时，1M循环后写入误码率小于1 ppm。图16． 热稳定性势垒Eb控制着数据保持能力的温度敏感度，在150℃（1ppm）下数据保留超过10年。在基于自旋的STT－MRAM的许多应用中，磁场干扰是一个潜在的问题。该解决方案是在封装上沉积0．3mm厚的磁屏蔽层，如图16所示，实验表明