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上海微系统所等实现六角氮化硼表面石墨烯边界调控

近日，《纳米尺度》（Nanoscale）杂志以《六角氮化硼表面石墨烯晶畴边界调控》（Edge Control of Graphene Domains Grown on Hexagonal Boron Nitride）为题，在线刊登了中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室陈令修、王浩敏等科研人员在石墨烯可控生长研究领域取得的重要进展。论文被该杂志选为封底配图文章。 理想的石墨烯是零带隙半金属，边界是影响其电子能带结构的重要因素。实现对石墨烯晶畴的边界调控是受到广泛认同的前沿课题。然而，这项研究却面临着缺乏理论指导和具体解决方案的多重挑战。因此，实现边界可控乃至条带制备对于石墨烯基本物理性质的研究及在电子学等方面的应用具有极其重要的意义。 在绝缘的六角氮化硼基体上直接生长石墨烯并调控边界，既可以最大限度地保持石墨烯优良的本征特性又可以在生长后直接应用于纳米电子器件，避免了从金属基体转移所带来的界面污染......阅读全文