高分辨场发射俄歇电子探针研究纳米锗硅量子点结构
纳米结构单体组分分布的研究对基础研究及应用探索具有非常重要的意义。应用高分辨场发射俄歇电子能谱和扫描电子束对在550℃和640℃生长温度下分别沉积在硅单晶衬底上的纳米锗硅量子点结构的形貌和表面组分分布进行观察,结果表明:表层分布元素不是纯锗、硅或均匀单一的锗硅合金,而是不均匀分布的锗硅混合物。纳米结构内,元素呈不均匀分布,锗元素富集在中心部位。640℃生长温度下的相同形貌的纳米点结构显示不同的元素分布性质。组分分布的巨大差异是由不同温度下硅向锗中不均匀偏析所致。......阅读全文
高分辨场发射俄歇电子探针研究纳米锗硅量子点结构
纳米结构单体组分分布的研究对基础研究及应用探索具有非常重要的意义。应用高分辨场发射俄歇电子能谱和扫描电子束对在550℃和640℃生长温度下分别沉积在硅单晶衬底上的纳米锗硅量子点结构的形貌和表面组分分布进行观察,结果表明:表层分布元素不是纯锗、硅或均匀单一的锗硅合金,而是不均匀分布的锗硅混合物。纳米结
场发射俄歇电子能谱显微分析
场发射俄歇电子能谱的显微分析是一项新的分析技术,可对微尺度样品进行点、线、面的元素组分及元素化学态分析。本文简要介绍这项新技术的功能原理和在微电子器件检测等方面的具体应用。
量子与经典方法研究粒子与固体的相互作用
电子显微技术以及电子能谱技术已成为材料表征特别是定量分析的重要工具。作为这些技术的物理基础,电子与固体相互作用的研究对定量解释实验电子显微成像或电子能谱起着至关重要的作用,成为凝聚态物理研究的一个非常重要的研究领域。本论文分别采用经典Monte Carlo方法、波动力学方法和玻姆力学方法,从不同角度
俄歇效应研究应用
1953 年，兰德首次进行了俄歇电子能谱用于表面分析的研究。到1967年哈里斯采用电子能量微分法，使电子能量分布曲线上的俄歇谱峰通本底区分开来，才使得俄歇效应的应用走上实用阶段。图1 俄歇电子能谱仪基于俄歇效应的俄歇电子能谱仪是一种实用较广的表面分析仪器 [1] ，它靠检测自表面逸出的俄歇电子的特
量子与经典方法研究粒子与固体的相互作用
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俄歇电子能谱仪AES（PHI700Xi）扫描俄歇纳米探针
PHI的700Xi扫描俄歇电子能谱仪(AES) 提供高性能的扫描俄歇电子(AES) 频谱分析，俄歇成像和溅射深度分析的复合材料包括：纳米材料，催化剂，金属和电子设备。维持基于PHI CMA的核心俄歇仪器性能，和响应了用户所要求以提高二次电子（SE）成像性能和高能量分辨率光谱。PHI的同轴镜分析仪（C
钙钛矿量子点微纳激光性能提升方面取得进展
近日，中国科学院上海光学精密机械研究所强场激光物理国家重点实验室与重庆大学合作，在实现钙钛矿量子点稳定发光的合成控制及微纳激光性能提升领域取得新进展。相关研究成果以封面文章发表于Advanced Science（2019, DOI: 10.1002/advs.201900412）。 钙钛矿量子
俄歇跃迁
对于自由原子来说,围绕原子核运转的电子处于一些不连续的"轨道 ”上,这些 “ 轨道 ” 又组成K、L、M、N 等电子壳层。 我们用“ 能级 ”的概念来代表某一轨道上电子能量的大小。由于入射电子的激发，内层 电子被 电离， 留下一个空穴。 此时原子处于激发态， 不稳定。 较高能级上的一个电子降落到内层
俄歇复合
俄歇复合是半导体中一个类似的俄歇现象：一个电子和空穴（电子空穴对）可以复合并通过在能带内发射电子来释放能量，从而增加能带的能量。其逆效应称作碰撞电离。
大连化物所观测到掺杂量子点中的“声子瓶颈”动力学现象
近日，中国科学院大连化学物理研究所光电材料动力学特区研究组研究员吴凯丰团队在半导体量子点热电子驰豫动力学研究方面取得新进展，首次观测到了铜掺杂量子点中热电子驰豫的“声子瓶颈”效应。 在大多数无机半导体材料中，具有高于半导体带隙能量的热载流子会与晶格（声子）碰撞，快速（亚皮秒级别）弛豫至带边，导
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近日，中国科学院大连化学物理研究所光电材料动力学特区研究组研究员吴凯丰团队在半导体量子点热电子驰豫动力学研究方面取得新进展，首次观测到了铜掺杂量子点中热电子驰豫的“声子瓶颈”效应。 在大多数无机半导体材料中，具有高于半导体带隙能量的热载流子会与晶格（声子）碰撞，快速（亚皮秒级别）弛豫至带边，导
研究实现胶体量子点在液体中的放大自发辐射
近日，中国科学院大连化学物理研究所研究员吴凯丰与研究员杜骏团队在胶体量子点多激子动力学与光增益研究中取得新进展。团队与美国洛斯阿拉莫斯国家实验室Victor Klimov团队合作，开发了体积紧凑的“俄歇抑制”型胶体量子点，在量子点溶液中观测到了准连续光泵浦下的放大自发辐射现象。相关成果发表在《先
研究实现硅基量子芯片自旋轨道耦合强度高效调控
中国科学技术大学郭光灿院士团队在硅基半导体量子芯片研究中取得重要进展。该团队郭国平教授、李海欧教授等人与中科院物理所张建军研究员、纽约州立大学布法罗分校胡学东教授以及本源量子计算有限公司合作，在硅基锗空穴量子点中实现了自旋轨道耦合强度的高效调控，为该体系实现自旋轨道开关以及提升自旋量子比特的品质
理化学研究所在硅量子点寿命研究上获得突破
日本理化学研究所的物理学家开发了一个优化半导体纳米设备的理论模型，证明了精心设计的量子点可以创造出抗电噪声的强大的硅空旋量子比特。这项研究对于理解去噪和设计大规模量子计算机至关重要。 理化学研究所三位物理学家开发的用于优化半导体纳米器件的理论模型将有助于扩大量子硬件的规模。 被困在半导体设备
SPEES针尖参数对样品表面电子出射影响的模拟研究
报道了对扫描探针电子能谱仪(SPEES)中俄歇电子出射的理论模拟研究。通过对俄歇电子在针尖电场作用下运动轨迹的模拟以及综合考虑从针尖场发射电子到俄歇电子出射全过程中各种因素的影响,系统研究了针尖形状、针尖偏压和针尖-样品距离对俄歇电子出射效率的影响,以及出射俄歇电子束流密度在针尖电场区边缘处的分布
通过俄歇电子谱研究化学组态
（1）原子“化学环境”指原子的价态或在形成化合物时，与该(元素)原子相结合的其它(元素)原子的电负性等情况如：原子发生电荷转移(如价态变化)引起内层能级变化，从而改变俄歇跃迁能量，导致俄歇峰位移；（2）原子“化学环境”变化，不仅可能引起俄歇峰的位移(称化学位移)，也可能引起其强度的变化，这两种变化的
微纳尺度俄歇电子能谱新技术开发及其应用进展
：随着纳米结构材料的广泛应用,新型微纳尺度表征技术成为纳米科学技术发展的重要途径。本文基于局域电子信息全面性的思想,从俄歇电子能谱的原理出发,理论推导出俄歇价电子能谱的简明表述方式,确定俄歇价电子能谱与微观电子结构信息的内在联系和物理意义,建立了俄歇电子能谱探测微区一系列宏观参量的新技术。其中应力测
俄歇效应简介
俄歇效应（Auger effect）是原子发射的一个电子导致另一个或多个电子（俄歇电子）被发射出来而非辐射X射线（不能用光电效应解释），使原子、分子成为高阶离子的物理现象，是伴随一个电子能量降低的同时，另一个（或多个）电子能量增高的跃迁过程。“俄歇效应”是以其发现者，法国人皮埃尔·维克托·俄歇（Pi
我所揭示量子点低阈值光增益新机制
原文地址：http://www.dicp.cas.cn/xwdt/kyjz/202311/t20231117_6934469.html 近日，我所化学动力学研究室光电材料动力学研究组 (1121组) 吴凯丰研究员与朱井义副研究员团队在胶体量子点超快光物理研究中取得新进展，团队基于偏振控制的飞秒瞬态
研究实现胶体量子点在液体中的放大自发辐射
近日，中国科学院大连化学物理研究所研究员吴凯丰、杜骏团队在胶体量子点多激子动力学与光增益研究中取得进展。该团队与美国洛斯阿拉莫斯国家实验室研究团队合作，开发了体积紧凑的“俄歇抑制”型胶体量子点，在量子点溶液中观测到了准连续光泵浦下的放大自发辐射现象。 胶体量子点是一种溶液中制备生长的半导体纳米
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近日，中国科学院大连化学物理研究所研究员吴凯丰、杜骏团队在胶体量子点多激子动力学与光增益研究中取得进展。该团队与美国洛斯阿拉莫斯国家实验室研究团队合作，开发了体积紧凑的“俄歇抑制”型胶体量子点，在量子点溶液中观测到了准连续光泵浦下的放大自发辐射现象。 胶体量子点是一种溶液中制备生长的半导体纳米
俄歇电子的产生和俄歇电子跃迁过程
一定能量的电子束轰击固体样品表面，将样品内原子的内层电子击出，使原子处于高能的激发态。外层电子跃迁到内层的电子空位，同时以两种方式释放能量：发射特征X射线；或引起另一外层电子电离，使其以特征能量射出固体样品表面，此即俄歇电子。俄歇跃迁的方式不同，产生的俄歇电子能量不同。上图所示俄歇跃迁所产生的俄歇电
俄歇电子能谱分析是一种表面分析方法且空间分辨率高
（1）大多数元素在50~1000eV能量范围内都有产额较高的俄歇电子，它们的有效激发体积（空间分辨率）取决于入射电子束的束斑直径和俄歇电子的发射深度。（2）能够保持特征能量（没有能量损失）而逸出表面的俄歇电子，发射深度仅限于表面以下大约2nm以内，约相当于表面几个原子层，且发射（逸出）深度与俄歇电子
多功能电子能谱仪
多功能电子能谱仪是一种用于材料科学领域的分析仪器，于2007年10月31日启用。 技术指标 X射线光电子能谱（XPS），可使用单色化Al靶X射线源及双阳极Al/Mg靶X射线源，包括大面积XPS（0.8×2 mm），微区XPS（最小选区15 μm）、深度剖析XPS及XPS成像，空间分辨率＜3
关于电子探针X射线显微分析仪的俄歇电子介绍
入射电子与样品相互作用后，元素原子内层轨道的电子轰击出来成为自由电子或二次电子，而留下空位，从而原子不稳定。则外层高能电子填充空位，释放出能量，释放的能量一方 面以辐射特征X射线的方式释放，另一方面释放的能量被该原子吸收，从而从另一轨道上轰击出电子，该电子为俄歇电子。俄歇电子发生的几率随原子序
半导体所等在纳米线量子点单光子发射研究中获得新发现
半导体自组织InAs量子点因其具有“类原子”特性，是目前量子物理和量子信息器件研究最重要的固态量子结构之一。基于InAs量子点的高品质单光子的发射、读取、操纵、存储以及并行计算等是热点研究方向。而InAs单量子点的可控制备(如精确定位、有序扩展、与光学谐振腔耦合等)是目前面临的挑战性问题。
碳纳米管场发射性质的第一原理研究
碳纳米管具有比表面积高、尖端曲率半径小、化学稳定性高、场发射时阈值电压低、电流密度大以及可控时间长等特性,使其成为电子发射的理想材料。然而对于碳纳米管的商业化应用,发射点的密度和均匀性仍是一个主要的问题,因此寻找能够提高和改善碳纳米管场发射性能的方法是十分重要和必要的。在本论文中,我们利用商用软件M
俄歇电子能谱仪的基本原理
俄歇电子能谱仪的基本原理是,在高能电子束与固体样品相互作用时,原子内壳层电子因电离激发而留下一个空位,较外层电子会向这一能级跃迁,原子在释放能量过程中,可以发射一个具有特征能量的 X 射线光子,也可以将这部分能量传递给另一个外层电子,引起进一步电离 ,从而发射一个具有特征能量的俄歇电子。检测俄歇
半导体所硅量子点发光机制研究取得新成果
延续了半个多世纪的摩尔定律预计将在2020年左右失效，硅基光电集成技术有望接替微电子成为未来信息技术的基石，但硅基光电子集成技术的实用化面临缺少硅基片上光源这一最后障碍。因此，硅基片上光源是当前半导体技术皇冠上的明珠，其研制成功将引领整个硅基光电子集成技术的重大变革。硅光电集成技术处于前沿探索阶