Intel展示TigerLake晶圆，核心面积增大20％
CES 2020大展上Intel首次公开了下一代移动平台Tiger Lake（或将命名为十一代酷睿）的部分细节，采用10nm＋工艺，集成新的Willow Cove CPU核心、Xe LP GPU核心，IPC性能提升超过两位数，同时大大增强AI性能。在会后的内部展示上，Intel首次拿出了Tiger Lake的晶圆供大家鉴赏。事实上，Intel虽然官方称Tiger Lake使用的10nm是增强版10nm＋，但严格来说将会是第三代（10nm＋＋）。在此之前，第一代10nm工艺的Cannonn Lake没有大规模量产，只留下一颗双核心而且无核显的i3－8121U用于少量设备。目前的Ice Lake使用的已经是第二代（10nm＋），频率仍然比较一般，最高只能做到4．1GHz。Tiger Lake作为第三代（10nm＋＋），频率有望进一步改进，目前所曝光的ES版，已经可以达到单核4．3GHz、全核心4．0GHz。从晶圆上可以清楚地......阅读全文
Intel展示Tiger－Lake晶圆，核心面积增大20％
CES 2020大展上Intel首次公开了下一代移动平台Tiger Lake（或将命名为十一代酷睿）的部分细节，采用10nm＋工艺，集成新的Willow Cove CPU核心、Xe LP GPU核心，IPC性能提升超过两位数，同时大大增强AI性能。在会后的内部展示上，Intel首次拿出了Ti
晶圆切割设备——晶圆切割机的原理？
芯片切割机是非常精密之设备，其主轴转速约在30,000至 60,000rpm之间，由于晶粒与晶粒之间距很小而且晶粒又相当脆弱，因此精度要求相当高，且必须使用钻石刀刃来进行切割，而且其切割方式系采磨削的方式把晶粒分开。由于系采用磨削的方式进行切割，会产生很多的小粉屑，因此 在切割过程中必须不断地用
硅晶圆展|2024年上海硅晶圆展览会
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
晶圆搬送机的晶圆卡匣装置的制作方法
半导体晶圆由于需经过各种不同流程的处理且需配合工艺设备，因此会被搬运到不同的工作站。为了方便晶圆的搬运且避免受到外力碰撞，会将多个晶圆收纳于晶圆暂存卡匣中。 一般来说，晶圆暂存卡匣内设置有逐层排列的多个插槽可水平容置多个晶圆，且其一侧面具有一开口可供晶圆的载出及载入。再者，于开口处亦设置有可
我国首台核心部件100％国产高端晶圆激光切割设备问世
高端智能装备是国之重器，是制造业的基石，尤其是半导体领域内高端智能装备，在国民经济发展中具有举足轻重的作用。手机、电脑、汽车等产品的芯片，离不开半导体。 据中国光谷微信公众号7月11日消息，华工激光半导体产品总监黄伟介绍，近期，该公司制造出我国首台核心部件100%国产化的高端晶圆激光切割设备，
晶圆清洗设备的前景
预计未来几年，全球晶圆清洁设备市场将以可观的复合年增长率增长。诸如MEMS，PCB，存储设备，IC和半导体晶圆之类的组件是任何电子设备的基本构建块。电子设备的性能主要取决于单独组件的性能。此外，由于这些组件相对较小，杂质会极大地影响其可靠性和性能。微电子清洗在任何电子设备的有效工作中都起着至关重
晶圆切割设备的目的
晶圆切割的目的，主要是要将晶圆上的每一颗晶粒（Die）加以切割分离。首先要将晶圆（Wafer）的背面贴上一层胶带（Wafer Mount），之后再将其送至晶圆切割机加以切割。切割完后，一颗颗的晶粒会井然有序的排列黏贴在胶带上，同时由于框架的支撑可避免晶粒因胶带皱褶而产生碰撞，而有利于搬运过程。此
晶圆如何通过testkey监控
晶圆特性测试系统由测试仪(tester)与探针台(prober)共同组成，探针台上具有包括多个探针的探针卡，在测试之前的第一步是将探针卡上的探针扎到零点testkey对应的焊垫(pad)上，扎针动作由探针台主导；第一步扎针完成之后，需要在探针台侧进行人工确认扎针对应的零点testkey位置和针迹效果
晶圆测试与探针台
晶圆测试是在半导体器件制造过程中执行的一个步骤。在此步骤中，在将晶圆送至芯片准备之前执行，晶圆上存在的所有单个集成电路都通过对其应用特殊测试模式来测试功能缺陷。晶圆测试由称为晶圆探针器的测试设备执行。晶圆测试过程可以通过多种方式进行引用：晶圆最终测试 (WFT)、电子芯片分类 (EDS) 和电路
今年南极臭氧层空洞面积增大
美国政府研究人员于本月初称，今年南极洲超低温造成的臭氧层空洞面积比过去几年科学家测量的结果增大了近300万平方公里。 据《自然》杂志报道，较低的温度促使南极上空大气层中形成大量的冰晶。这些冰晶会吸附在含有氯的化学物质上，例如含氯氟烃（CFCs），并将其分解，由此产生的氯原子进而侵蚀了臭氧层。这
VCSEL晶圆探针台招标项目
标讯类别： 国内招标招标编号：资金来源： 其他招标人：开标时间：招标代理： VCSEL晶圆探针台招标项目的潜在投标人应在网上报名获取招标文件，并于2023年07月10日 14时00分（北京时间）前在线递交投标文件。逾期提交的投标文件恕不接受。本项目电子投标文件最大容量为100MB，超过此容量的文件
晶圆切割设备的切割方法
目前，硬脆材料切割技术主要有外圆切割、内圆切割和线铭切割。外圆切割组然操作简便，但据片刚性差，切割过程中锯片易跑偏.导致被切割工们的平行度差:而内圆切割只能进行直线切割.无法进行曲面切割.线锯切割技术具有切缝窄、效率高、切片质量好、可进行曲线切别等优点成为口前广泛采用的切割技术。 内圆切割时晶
低能离子辐照实现晶圆级大面积超高线密度光栅器件制备
6月4日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室在《自然-通讯》杂志上在线发表了题为《采用反向外延技术实现晶圆级亚50nm周期的光栅器件制备》（Realization of wafer-scale nanogratings with sub-50 nm period th
晶圆切割设备的重要性
现阶段，硬脆材料切割技术主要有外圆切割、内圆切割和线铭切割。外圆切割组然操作简单，但据片刚性差，切割全过程中锯片易方向跑偏.造成 被切割工们的平面度差:而内圆切割只有进行直线切割.没法进行斜面切割.线锯切割技术具备割缝窄、高效率、切成片性价比高、可进行曲线图切别等优点成为口前普遍选用的
晶圆清洗设备的目的和分类
半导体晶圆对微污染物的存在非常敏感，为了达成晶圆表面无污染物的目标，必须移除表面的污染物并避免在制程前让污染物重新残余在晶圆表面。因此半导体晶圆在制造过程中，需要经过多次的表面清洗步骤，以去除表面附着的金属离子、原子、有机物及微粒。 目前晶圆清洗技术大致可分为湿式与干式两大类，仍以湿式清洗法为
PlasmaQuant®－MS－分析晶圆表面金属杂质
分析背景简介 硅片是半导体制造业的基础材料，硅片表面及少量的金属污染都可能导致器件功能的失效，所以硅片表面金属杂质测试是不可或缺的步骤。VPD跟ICPMS 联用检测硅片表面金属杂质是目前最常见的一种手段。目前 VPD也是有成熟的全自动化仪器，它的过程就是利用机械管先将硅片暴露于HF蒸气部分，以
半导体产业的根基：晶圆是什么？
在半导体的新闻中，总是会提到以尺寸标示的晶圆厂，如 8 寸或是 12 寸晶圆厂，然而，所谓的晶圆到底是什么东西？其中 8 寸指的是什么部分？要产出大尺寸的晶圆制造又有什么难度呢？以下将逐步介绍半导体最重要的基础——“晶圆”到底是什么。 何谓晶圆？ 晶圆（wafer），是制造各式电脑芯
晶圆制备——如何从沙子到wafer？（一）
我们所讲的半导体制造，它的载体一定是晶圆(Wafer)，这个东西是怎么来的？我们今天就来好好讲讲。 前面讲N-Si和P-Si掺杂的时候讲过了，我们的Si一定都是单晶晶格的，而掺杂的原子必须跑到它的晶格上与Si形成共用电子对的共价键后多出电子或空穴而参与导电，如果我们用了多晶或者非晶，这
晶圆制备——如何从沙子到wafer？（三）
4. 抛光(Lapping)：因为刚刚切下来的wafer，表面一定有很多损伤，而且表面粗糙，所以这一步类似CMP功效用slurry去磨平，所以我们的wafer有时候也叫polish wafer。 5. 湿法蚀刻(wet etch)：因为刚才的抛光还是机械的磨平，所以还是无法完全去除损伤
2024晶圆制造展上海。展会日期:2024
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
2024硅晶圆展上海。展会日期:2024
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
晶圆清洗设备的两种形式
按照清洗方式的不同，清洗设备可分为两种，分别是单片式和槽式。 一、单片式清洗机是由几个清洗腔体组成，再通过机械手将每一片晶圆送至各个腔体中进行单独的喷淋式清洗，清洗效果较好，避免了交叉污染和前批次污染后批次，但缺点是清洗效率较低，成本偏高。 二、槽式清洗机是将晶圆放在花篮中，再利用机械手依次
晶圆制备——如何从沙子到wafer？（二）
1. 多晶硅提纯： 先是沙子(SiO2)与碳在高温下(2000C)置换反应，生成硅和CO2。此时的硅为冶金级别的(MGS: Metallic Grade Silicon)，也就是粗制的多晶硅。 然后再用MGS的硅与HCl在300C下反应生成TCS(SiHCl3)，然后经过过滤和冷凝可
－晶圆制造及封装展|2024上海国际硅晶圆及IC封装载板展览会「官网」
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
植物耐受热性测量仪的技术参数
电导测量参数：电导/温度曲线、电导临界点 荧光测量参数：Ft、ΦPSII（T）、荧光/温度曲线及4个荧光临界点 荧光激发光源：460nm，提供饱和光和测量光，光强可设 加热速度：1-3℃/min，线性加热，用户可自行设定 温度控制范围：20-70℃，用户可自行设定 温度测量分辨率：0.
晶圆检测显微镜OLYMPUS－MX63L
晶圆检测显微镜OLYMPUS MX63L 进入21世纪以来，电子产品的发展速度日新月异，电子产品被设计的越来越小，功能越来越强大，这离不开高精尖的技术支持，芯片的大小决定了我们的电子产品的大小，薄厚等做工，芯片的都厉不拍晶圆片作为载体俗称硅片。 硅片的发展从4寸到6寸，再到现在的8
【解决方案】不可思议的晶圆厚度测量
Measuring the Nearly Immeasurable 在柏林费迪南德布劳恩研究所生产的半导体激光和高频放大器晶圆必须达到一个极度精密的层厚度。洁净室工人使用WERTH多传感器坐标测量机监督这个过程。该机配有色差传感器，的无接触捕捉所需的测量元素。 在柏林的费迪南德
EVG－510晶圆键合机有哪些特征？
EVG 510-晶圆键合机（晶圆键合机）是一种高度灵活的晶圆键合系统，可以处理从碎片到200 mm的基板尺寸。该工具支持所有常见的晶圆键合工艺，例如阳极，玻璃粉，焊料，共晶，瞬态液相和直接法。易于使用的键合腔室和工具设计允许对不同的晶圆尺寸和工艺进行快速便捷的重新工具化，转换时间不到5分钟。
为什么晶圆表面需要做金属元素分析？
硅片加工过程中会带来各种金属杂质沾污，进而导致后道器件的失效，轻金属(Na、Mg、Al、K、Ca等)会导致器件击穿电压降低，重金属(Cr、Mn、Fe、Ni、Cu、Zn等)会导致器件寿命降低。因此，硅片作为器件的原材料，其表面金属含量会直接影响器件的合格率。特定的污染问题可导致半导体器件不同的缺陷
主办EXPO－2024上海晶圆级封装展官网」
展会名称：2024中国(上海)国际电子封装测试展览会英文名称：China (Shanghai) International Electronic Packaging and Testing Exhibition 2024大会负责人：李经理 136 5198 3978（同微）展会时间：2024年11月