SOT型磁性存储器研究领域
近日，中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室在SOT型磁性存储器（MRAM）研究领域取得进展。 实现低功耗、高稳定的数据写入操作是MRAM亟需解决的关键问题之一，其中，消除写入电流的非对称性对于实现写入过程的稳定可控以及简化供电电路设计十分重要。STT-MRAM（Spin-Transfer Torque MRAM）由于在写入过程中，电子自旋在磁性功能层表面的透射和反射效率不同，写入电流本征上是不对称的，而SOT-MRAM（Spin-Orbit Torque MRAM）由于写入机理上不存在自旋透射和反射的差异，因此，长期以来被认为不存在写入电流不对称的问题。但另一方面，SOT-MRAM在写入过程中所施加的辅助磁场则有可能从另一侧面带来写入电流的非对称性。由于目前SOT-MRAM尚处在寻找高效的SOT材料以及通过引入耦合层来提供此辅助场的基础研究阶段，此辅助磁场在器件和电路设计层面可能带来的写入非对称性问题还没有......阅读全文
微电子所在SOTMRAM的关键集成技术领域获进展
磁随机存储器（MRAM）因具有非易失性、低功耗以及高访问速度等特点，在未来新兴存储领域颇具应用前景。尤其是基于自旋轨道矩（SOT）技术的MRAM存储器具有超高速、高耐久性的优势，更适用于高速缓存。然而，在SOT-MRAM集成中存在技术瓶颈，制约了其走向应用。隧道结的刻蚀工艺是关键的技术挑战和难点
微电子所在SOT型磁性存储器研究领域获进展
近日，中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室在SOT型磁性存储器（MRAM）研究领域取得进展。 实现低功耗、高稳定的数据写入操作是MRAM亟需解决的关键问题之一，其中，消除写入电流的非对称性对于实现写入过程的稳定可控以及简化供电电路设计十分重要。STT-MRAM（Spin-Tra
SOT型磁性存储器研究领域
近日，中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室在SOT型磁性存储器（MRAM）研究领域取得进展。 实现低功耗、高稳定的数据写入操作是MRAM亟需解决的关键问题之一，其中，消除写入电流的非对称性对于实现写入过程的稳定可控以及简化供电电路设计十分重要。STT-MRAM（Spin-Tra
电子顺磁共振波谱仪解析自旋电子学
电子自旋学 (Spintronics)，也称磁电子学。它利用电子的自旋和磁矩，使固体器件中除电荷输运外，还加入电子的自旋和磁矩。电子自旋是一门新兴的学科和技术。应用于电子自旋学的材料，需要具有较高的电子极化率，以及较长的电子自旋弛豫时间。许多新材料，例如磁性半导体、半金属等，近年来被广泛的研究，以求
国内首个80纳米STTMRAM器件制备成功
近日，北京航空航天大学与中国科学院微电子研究所联合成功制备国内首个80纳米自旋转移矩——磁随机存储器芯片（STT-MRAM）器件。 STT-MRAM是一种极具应用潜力的下一代新型存储器解决方案。由于采用了大量的新材料、新结构，加工制备难度极大。当前，美韩日三国在该项技术上全面领先，很有可能在继
台积电STTMRAM技术细节（二）
图6．Rap和Rp的电阻分布间距在计入寄生电阻时变小为了感测MTJ的电阻，必须在读取期间将其两端的电压通过晶体管N1和N2钳位到一个低值，以避免读取干扰，并对其进行微调以消除感测放大器和参考电流偏移。参考电阻是1T4R配置R？（R p ＋ R ap）／ 2 ＋ R1T，如图7所示。图7．具有微调能力
台积电STTMRAM技术细节（四）
图15． 在－40度时，1M循环后写入误码率小于1 ppm。图16． 热稳定性势垒Eb控制着数据保持能力的温度敏感度，在150℃（1ppm）下数据保留超过10年。在基于自旋的STT－MRAM的许多应用中，磁场干扰是一个潜在的问题。该解决方案是在封装上沉积0．3mm厚的磁屏蔽层，如图16所示，实验表明
台积电STTMRAM技术细节（三）
MRAM写入操作低阻态Rp和高阻态Rap的MRAM写入操作需要如图9所示的双向写入操作。要将Rap状态写到Rp需要将BL偏置到VPP，WL到VREG＿W0，SL到0以写入0状态。要写入1状态，将Rap变成Rp需要反方向的电流，其中BL为0，SL为VPP，WL为VREG＿W1。图9．平行低电阻状态Rp
台积电STTMRAM技术细节（一）
在ISSCC 2020上台积电呈现了其基于ULL 22nm CMOS工艺的32Mb嵌入式STT－MRAM。该MRAM具有10ns的读取速度，1M个循环的写入耐久性，在150度下10年以上的数据保持能力和高抗磁场干扰能力。ULL 22nm STT－MRAM的动机与闪存相比，TSMC的嵌入式STT－MR
我国成功研制80纳米“万能存储器”核心器件
想必大家都曾经遭遇过电脑突然断电，因数据未及时保存后悔不已；或是因为手机待机时间太短而莫名焦虑……这些尴尬有望避免。记者日前获悉，北京航空航天大学电子信息工程学院教授赵巍胜与中科院微电子所集成电路先导工艺研发中心研究员赵超联合团队经过三年攻关，成功制备国内首个80纳米自旋转移矩-磁随机存储器器件
凝胶渗透色谱仪溶剂储存器和过滤脱气装置
溶剂储存器和过滤脱气装置溶剂储存器用来存储凝胶渗透色谱的流动相，一般由玻璃、不锈钢或聚四氟乙烯塑料等耐腐蚀材料做成，容积为0.5～2L，常用一根带有铸铁过滤头(1Oμm)的聚四氟乙烯导管将溶剂引入泵系统。过滤脱气装置的作用是去除溶剂中溶解的气体。溶剂中通常会溶有一些气体，当溶剂进入泵或分离柱后，由于
微电子所在高性能选通管研究中获进展
近日，2019 Symposia on VLSI Technology and Circuits（简称VLSI国际研讨会）在日本召开。中国科学院院士、中国科学院微电子研究所研究员刘明团队在会上展示了高性能选通管的最新研究进展。 交叉阵列中的漏电流问题是电阻型存储器（如RRAM、MRAM、PCM
全线性的电流诱导多态自旋轨道耦合磁性存储器件研究
近期，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心研究员罗军课题组与中科院半导体研究所研究员王开友课题组合作，研制出全线性的电流诱导多态自旋轨道耦合（SOT）磁性存储器件，并实现了低能耗、可编辑的突触功能，为基于SOT-MRAM的低功耗存算一体逻辑和神经形态计算提供了一种新方法。 存算一体及
微电子所与中兴微电子技术有限公司签署战略合作协议
4月28日，中国科学院微电子研究所与深圳市中兴微电子技术有限公司在北京举行战略合作协议签字仪式。微电子所所长叶甜春、深圳市中兴微电子技术有限公司总经理王晓明代表双方签署战略合作协议。 仪式上，叶甜春代表微电子所对王晓明一行的到来表示欢迎。所长助理王文武介绍了研究所的战略定位、组织结构和相关科研
微电子所与中兴微电子技术有限公司签署战略合作协议
4月28日，中国科学院微电子研究所与深圳市中兴微电子技术有限公司在北京举行战略合作协议签字仪式。微电子所所长叶甜春、深圳市中兴微电子技术有限公司总经理王晓明代表双方签署战略合作协议。 仪式上，叶甜春代表微电子所对王晓明一行的到来表示欢迎。所长助理王文武介绍了研究所的战略定位、组织结构和相关科研
阴和俊调研微电子所
7月6日，中科院副院长阴和俊调研中国科学院微电子研究所。 微电子所所长叶甜春、党委书记李培金、副所长周玉梅、副所长周也方及所属各部门负责人、千人计划学者、百人计划学者和部分科研骨干80余人参加了座谈会。叶甜春所长首先从微电子所概况、未来科研发展重点、产业化发展重点、新方向拓展
微电子自旋共振波谱仪
微电子自旋共振波谱仪是一种用于化学、自然科学相关工程与技术、材料科学、环境科学技术及资源科学技术领域的分析仪器，于2018年7月11日启用。 技术指标 灵敏度：8*1013 spin/T；分辨率 0.006mT；最大磁场强度0.7T；扫描宽度10-4-0.65T；波段范围：X波段；微波功率：
北京微电子国际研讨会举行
7月19日，由北京市经信局、北京经济技术开发区联合主办的2023北京微电子国际研讨会暨IC WORLD大会新闻发布会在北京经开区举行，现场发布2023北京微电子国际研讨会暨IC WORLD大会将于9月25日至27日在北京经开区举办。 2023北京微电子国际研讨会暨IC WORLD大会将以“凝芯
微电子工艺实习实践教学研究
1 开展微电子专业实习实践的必要性实践教学对于大多数工科课程都具有十分重要的作用，微电子学是基于半导体工艺的工程技术学科，直到21世纪前10年，半导体器件发展基本遵循摩尔定律，加工技术突飞猛进。尤其是集成电路课程相对于其他学科更加偏重于对微米甚至纳米级物理效应的研究，知识体系复杂，学生理解和掌握的难
中科大潘建伟团队已实现50公里远程量子储存器纠缠
近日，Nature发表了中国科学技术大学潘建伟团队的最新重磅成果：两个量子存储器通过光纤跨越数十公里实现远程纠缠。 在这项最新研究中，潘建伟、包小辉及其同事利用一种名为腔增强的量子效应，来制备纠缠原子和光子，再将这些纠缠原子和光子转换为适合于电信传输的频率，最后在两个由 50 公里长光纤连接的
全自动点胶机在微电子领域的优势
微电子是微米及以下级别的电子。例如led灯，手机逻辑块，电脑cpu，这些都是微电子。微电子内部的元件都很脆弱，所以在微电子上点胶对全自动点胶机是极大的考验。那么全自动点胶机在微电子上有哪些应用呢？全自动点胶机在微电子上使用的重要功能是传递电能。传递电能能完成电源电压的分配与导通。另外还可以完成传递电
徕卡微电子类样品电镜制样方法
电子类样品检测手段多种多样，其中扫描电子显微镜检测不仅观察样品表观形貌，通过制样设备可实现对内部指定点或区域的观察分析，就目前来说电镜观察手段及观察方法渐趋成熟，但制样手段及手法仍有许多值得探究，在这里简单介绍下简单易操作的制样方法。下图是经常遇到的几个电子类材料的类型，线路板PCB,LED,OLE
深圳算力微电子产业联盟启动
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/11/512376.shtm11月15日下午，在第25届高交会高性能芯片设计与制造高峰论坛暨重大项目签约仪式上，深圳算力微电子产业联盟正式启动，深圳理工大学（筹）算力微电子学院也正式成立，为深圳、粤港澳大湾区乃
微电子所硅光子平台开发取得进展
近日，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心研究员闫江团队在硅光子平台开发方面取得新进展，完成硅基波导集成的锗探测器和硅基调制器的流片并取得优良结果。 硅光子技术是集成电路后摩尔时代的发展方向之一，旨在利用基于CMOS工艺的大规模集成电路技术在硅基衬底上进行光子器件和芯片的开发，最终实
TEM－与－SAED－联用在微电子领域－－的应用
TEM 与 SAED 联用在微电子领域的应用纳米电子学是以纳米粒子的量子效应为基础，通过精密加工技术来设计并制备纳米量子器件的全新领域． 其中金纳米线具有独特的光学和电学性质［10］ ，在微电子学、光电子学和纳米电子器件等领域有着广泛的应用． Gu 等［11］ 以有机酸为溶剂，N-甲基吡咯烷酮为共沸
德国启动微电子与纳米电子研究工厂项目
德国弗劳恩霍夫协会的11家研究所和莱布尼茨学会的2家研究所近日共同制定并启动了跨地区“微电子与纳米电子研究工厂”的项目方案。德国教研部为该项目方案提供经费支持，弗劳恩霍夫协会将获得2.8亿欧元，莱布尼茨学会获7000万欧元。 合作方来自弗劳恩霍夫模块化固体物理研究组（EMFT）、电子纳米系统
国内首个算力微电子学院成立
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/11/512379.shtm
我国科学家在阻变存储器集成应用研究获进展
中国科学院微电子研究所刘明团队在1Mb 28nm嵌入式阻变存储器测试芯片以及8层堆叠的高密度三维阻变存储器阵列研究方面取得新进展。（a）28nm RRAM 1Mb芯片版图；（b）28nm RRAM单元TEM界面图8层堆叠RRAM截面图 以RRAM和MRAM为代表的新型存储器被认为是28nm及后
日本开发新一代内存性能提升技术
日本东北大学的研究组开发了基于新一代内存——磁阻式随机存取内存（MRAM）提升读写性能的技术。读写信息所需的磁性隧道结（MTJ）元件的输出大约提高到了以前的2倍（200毫伏）。研究组在元件构成材料组合方面反复研究，实现了薄而均一的层叠技法，有望对MRAM产业化所需的容量和高集成化做出贡献。
中国工程院外籍院士施敏去世
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/11/511979.shtm 中国工程院院士馆网站 图中国工程院官网“院士馆”栏目近日更新信息显示，中国工程院外籍院士、美国国家工程院院士、国际知名的微电子科学技术与半导体器件专家和教育家施敏于2023