我国高性能硅光电倍增器国产化实现突破

近日，我国高性能硅光电倍增器国产化实现突破。记者从中广核核技术发展有限公司获悉，由其旗下中广核京师光电科技（天津）有限公司打造的硅光电倍增器封装产线成功通线，并提前达成器件良率超90%的目标，标志着国内高性能硅光电倍增器产品实现关键自主化，成功打破国外长期垄断局面。

高性能硅光电倍增器。朱丹供图，下同

作为核心光电转换器件，硅光电倍增器因其高灵敏度、低噪声、低功耗等显著优势，在核医疗影像、核测控装备、高能物理研究、生物科学等前沿领域应用广泛，潜力巨大。此前，国内硅光电倍增器市场长期被国外企业主导，实现相关核心元器件自主可控已被明确列入国家《核技术应用产业高质量发展三年行动方案（2024-2026）》。

记者了解到，此次产线成功通线及高良率目标的达成，有效填补了国内高性能硅光电倍增器产品的空白，为产业链安全稳定提供了有力保障。该产线已顺利通过欧盟RoHS认证，并即将通过ISO三标体系认证，为后续产品大规模应用和市场拓展奠定了坚实基础。

“半导体光敏传感器量产对环境和工艺要求极为严苛，我们斥资建设了最高达百级的高标准洁净厂房，并自主设计、建设了集标准化工艺生产、质量控制等功能于一体的高水平封装产线。”中广核京师光电科技（天津）有限公司总经理王晓峰表示，目前正全力推进在相关领域的市场拓展工作，着力构建核心竞争力，形成自我滚动发展能力。