我国高性能硅光电倍增器国产化实现突破
近日，我国高性能硅光电倍增器国产化实现突破。记者从中广核核技术发展有限公司获悉，由其旗下中广核京师光电科技（天津）有限公司打造的硅光电倍增器封装产线成功通线，并提前达成器件良率超90%的目标，标志着国内高性能硅光电倍增器产品实现关键自主化，成功打破国外长期垄断局面。高性能硅光电倍增器。朱丹供图，下同作为核心光电转换器件，硅光电倍增器因其高灵敏度、低噪声、低功耗等显著优势，在核医疗影像、核测控装备、高能物理研究、生物科学等前沿领域应用广泛，潜力巨大。此前，国内硅光电倍增器市场长期被国外企业主导，实现相关核心元器件自主可控已被明确列入国家《核技术应用产业高质量发展三年行动方案（2024-2026）》。记者了解到，此次产线成功通线及高良率目标的达成，有效填补了国内高性能硅光电倍增器产品的空白，为产业链安全稳定提供了有力保障。该产线已顺利通过欧盟RoHS认证，并即将通过ISO三标体系认证，为后续产品大规模应用和市场拓展奠定了坚实基础。“......阅读全文
我国高性能硅光电倍增器国产化实现突破
近日，我国高性能硅光电倍增器国产化实现突破。记者从中广核核技术发展有限公司获悉，由其旗下中广核京师光电科技（天津）有限公司打造的硅光电倍增器封装产线成功通线，并提前达成器件良率超90%的目标，标志着国内高性能硅光电倍增器产品实现关键自主化，成功打破国外长期垄断局面。高性能硅光电倍增器。朱丹供图，下同
硅基光电子领域获重大突破
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/10/510759.shtm
硅基近红外光电转换取得突破
近日，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所陈沁课题组联合东南大学的王琦龙教授紧密合作，在低成本高效硅基热电子红外光电探测器方面取得了系列进展。他们首先提出了Au纳米颗粒修饰Si金字塔结构的方案，实验证明他们制备的这些器件的性能与那些精心设计、成本高昂的Si基近红外光电探测器性能相当，有望应用在
晶能光电推进硅衬底LED产业化
在日前举行的广州国际照明展上，晶能光电公司展出的6英寸硅衬底LED芯片，以及联合晶和照明推出的采用硅衬底大功率LED芯片的硅衬底模组，引起了国内外众多行业人士的广泛关注。 据了解，晶能光电创新性地运用“硅”代替传统的“蓝宝石”或“碳化硅”作为衬底制造氮化镓基LED器件，在全球
新疆理化所硅基光电探测研究取得进展
实现高效光电探测一直是微电子领域和材料领域研究的热点。硅基探测是众多光电探测器中最实用化的一种方法，而构筑于硅基底上的纳米材料光电探测器研究是目前科研人员高度关注的课题。多数的构筑于硅基底上的纳米结构采用的硅基底为表面热氧化的硅片，一般氧化层(SiO2层)结晶性好、漏电流小、避免影响目标纳米结构
科学家开发出石墨烯硅光电混合芯片
据物理学家组织网7月16日(北京时间)报道，美国哥伦比亚大学一项新研究证明石墨烯具有卓越的非线性光学性能，并据此开发出一种石墨烯-硅光电混合芯片。这种硅与石墨烯的结合，让人们离超低功耗光通信近了一步，让该技术在光互连以及低功率光子集成电路领域具有广泛的应用价值。相关论文发表在《自然·光学》杂志网
Photonis－Channeltron电子倍增器
Channeltron®电子倍增器 是电子倍增器的一种特殊形式，两者其主要区别在于其结构和工作原理。Channeltron电子倍增器的特点是在环形电极内嵌入了一个微型的钢管，这个钢管通常由玻璃或陶瓷制成，电子在Channeltron电子 倍增器中被聚集和加速，撞击到通道壁上时会产生二次发射，从而释放
硅太阳能电池光电转换率首超26％
英国《自然·能源》杂志3月20日在线发表的一项重要研究成果，报告了首个光转换效率突破26%的硅太阳能电池。经认证，这种电池实现了26.3%的转换效率，表明硅太阳能电池的效率达到了历史新高，更多效率更高的硅太阳能电池板也将在未来问世。 据《自然·能源》文章估计，到2050年，光伏电力将承担全球一
研究揭示硅基光电极中界面特征对性能的影响
近日，中国科学院大连化学物理研究所李灿院士、副研究员姚婷婷等在光电催化分解水研究方面取得重要进展，以单晶硅光电极为模型，识别了金属—氧化物—半导体（MOS）结构光阳极中制约其性能的关键界面因素，并针对性地引入相关界面调控策略，有效地促进了光生电荷分离提取和利用效率，实现了对光电转化器件的理性设计和优
晶澳多晶硅电池光电转化率达17.8％
近日，晶澳公司成功克服太阳能电池工艺行业难题，将多晶产品光电转化率提高到17.8%这一世界级水平，对推进我国“太阳能屋顶计划”意义重大。 在太阳能电池领域，光电转化率是一项极其重要的技术指标。目前，国内光伏企业同类太阳能电池产品的光电转化率在17.1%至17.3%之间。决定光电转化率的关键
李灿：硅基光电极中界面特征对性能的影响
近日，中国科学院大连化学物理研究所李灿院士、副研究员姚婷婷等在光电催化分解水研究方面取得重要进展，以单晶硅光电极为模型，识别了金属—氧化物—半导体（MOS）结构光阳极中制约其性能的关键界面因素，并针对性地引入相关界面调控策略，有效地促进了光生电荷分离提取和利用效率，实现了对光电转化器件的理性设计
石墨烯—硅太阳能电池光电转换效率实现突破
近日，由美国麻省理工学院、中国国家纳米科学中心和清华大学的研究小组合作揭示了高效率石墨烯-硅肖特基势垒太阳能电池中界面氧化物的作用，并将其能量转化率大幅提升。 石墨烯具有高的电导率和透光率，是理想的光电材料。石墨烯对所有光几乎是透明的，可用于制备高导电率的透明导电膜。例如作
我国C波段能量倍增器通过验收
近日，由中科院高能所为意大利国家核物理研究院(INFN)研制的C波段5712MHz能量倍增器通过验收。意大利国家核物理研究院专家Roberto Boni教授和David Alesini博士对中国研制的能量倍增器各项测试数据表示满意，并愿意开展更深入的合作。 据了解，C波段5712MHz
我所揭示硅基光电极中界面特征对性能的影响
近日，我所太阳能研究部（DNL16）李灿院士、姚婷婷副研究员等在光电催化分解水研究方面取得重要进展，以单晶硅光电极为模型，识别了金属—氧化物—半导体（MOS）结构光阳极中制约其性能的关键界面因素，并针对性地引入相关界面调控策略，有效地促进了光生电荷分离提取和利用效率，实现了对光电转化器件的理性设
Nature－Photonics：高速高效率硅光电二极管！
高速、高效率的光电探测器在光通信技术中扮演者十分重要的角色，是构建大带宽、高通量光链路的核心原件之一。从现有技术条件来看，无论为了节约制造和组装分离元部件的成本，还是为了降低系统寄生阻抗带来的损耗，实现光通信模块与其他相关电子信号处理模块的硅基单片集成（monolithic integratio
新款晶圆问世|硅基化合物光电集成技术大突破
据中国光谷消息，全球首片8寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆在九峰山实验室下线。此项成果使用8寸SOI硅光晶圆键合8寸铌酸锂晶圆，单片集成光电收发功能，为目前全球硅基化合物光电集成最先进技术。近年来，由于5G通信、大数据、人工智能等行业的强力驱动，光子集成技术得到极大关注。公开资料显示，光子集成的概念类可
华中科大数字PET核心器件获欧洲名校点赞
近日，国际权威期刊《物理研究中的核仪器和方法》在线发表了比萨大学医学物理学院院长阿尔贝托教授的一篇综述论文。在这篇题为《硅光电倍增器的医学应用》的文章结尾，阿尔贝托教授指出，（华中科技大学的）基于标准CMOS工艺集成片上微电子学电路的硅光电倍增器是新一代的方向，一旦成功应用，将使基于越来越定量的
浙江绍兴：建设创新策源地－锻造转化“倍增器”
近年来，浙江省绍兴市积极推动大院名校共建研究院工作，通过促成研究院与创新企业开展产学研协同攻关，以企业出题、研究院解题模式，推动创新链产业链资金链人才链深度融合，持续提升研发产出率、技术转化率、成果落地率，有效推动产业转型升级和技术进步。 截至目前，绍兴共有天津大学浙江研究院（绍兴）、上海大学
高能所首台C波段能量倍增器通过验收
6月17日至20日，意大利国家核物理研究院(INFN)直线加速器微波专家Prof. Roberto Boni和Dr. David Alesini一行对中科院高能物理研究所为INFN研制的国内首台C波段5712MHz能量倍增器进行了验收测试。INFN专家对高能所研制的能量倍增器各项测试数据表示
利用光注入提升硅异质结太阳电池光电转换效率物理机制
近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所微系统技术重点实验室新能源技术中心刘正新团队在非晶硅/晶体硅异质结（SHJ）太阳电池的掺杂非晶硅（a-Si:H）薄膜中发现反常Staebler-Wronski效应，并证明该反常效应是利用光注入提升SHJ太阳电池光电转换效率的物理本质。5月13日，相关研究成果
实验室分析仪器其他类型的离子检测装置结构原理
1、闪烁光电倍增器闪烁光电倍增器也称戴利（Daly）倍增器，因1960年戴利（Daly）首次使用闪烁晶体和光电倍增管检测带电粒子而得名。和电子倍增器的区别为:入射离子先打到一个离子电子转换电极上，产生和入射离子强度相对应的电子，再由电子去轰击一块闪烁晶体，使其产生和电子强度相对应的光子，最后通过光电
大连化物所硅基材料用于光电化学分解水研究获新进展
近日，中国科学院大连化学物理研究所催化基础国家重点实验室、洁净能源国家实验室（筹）李灿团队在硅基半导体材料用于光电化学分解水的光阳极研究中取得新进展，发现了单晶硅基光电极中的界面施主态缺陷能级是制约光电极效率的因素之一，成功对异质结的界面能带结构进行了精细调控，有效提高光电极的电荷分离及水氧化效
怎样检测硅铁的硅含量
检测硅铁的硅含量最简单的方法是：重量法测定硅铁中硅含量。在重量法测定硅含量中，又具体分为三种方法，即：1、 高氯酸脱水重量法测定硅量；2、 盐酸脱水重量法测定硅量；3、 挥硅减量重量法。硅铁的硅含量的测定方法有多种。用以测定硅铁合金中硅测定的化学分析方法主要有重量法和氟硅酸钾容量法。现代仪器分析中，
大化所等制备出光电转化效率达27％的钙钛矿硅叠层电池
近日，中国科学院大连化学物理研究所薄膜硅太阳电池研究组（DNL1606）研究员刘生忠团队联合陕西师范大学研究员杨栋，通过将半透明钙钛矿电池与高效硅异质结薄膜电池结合，组成光电转化效率达到27.0%的四端钙钛矿-硅叠层太阳能电池。 晶硅太阳能电池是第一代太阳能电池，经过数十年发展，技术已经非常成
质谱仪的离子检测器分类
无机和同位素质谱的离子检测器通常有法拉第杯、分离打拿极电子倍增器、通道式电子倍增器、微通道板以及闪烁光电倍增器（Daly）等，加速器质谱中还可能用到对离子能量敏感的探测器。
实验室分析仪器质谱仪的离子检测器分类及结构原理
质谱仪中离子检测器用于检测和记录离子流的强度。无机和同位素质谱的离子检测器通常有法拉第杯、分离打拿极电子倍增器、通道式电子倍增器、微通道板以及闪烁光电倍增器（Daly）等，加速器质谱中还可能用到对离子能量敏感的探测器。在这些探测器中，法拉第杯直接收集离子的电荷，结合其对二次电子逸出的抑制，其线性动态
硅与非硅材料“混搭”难题解决
美国加州大学戴维斯分校的科学家最近展示了一种具有三维结构的纳米线晶体管，并借助该技术成功将硅与非硅材料集成到了一个集成电路中。研究人员称，该技术有望帮助硅材料突破瓶颈，为更快、更稳定的电子和光子设备的制造铺平道路。 硅是目前最常见的一种电子材料，但它并不是万能的。建立在传统蚀刻工艺基础的硅集成
单晶硅的单晶硅制备与仿真
主要有两种方法：直拉法（Cz法）、区熔法（FZ法）；1）直拉法其优点是晶体被拉出液面不与器壁接触，不受容器限制，因此晶体中应力小，同时又能防止器壁沾污或接触所可能引起的杂乱晶核而形成多晶。此法制成的单晶完整性好，直径和长度都可以很大，生长速率也高。所用坩埚必须由不污染熔体的材料制成。因此，一些化学性
硅与非硅材料“混搭”难题解决
美国加州大学戴维斯分校的科学家最近展示了一种具有三维结构的纳米线晶体管，并借助该技术成功将硅与非硅材料集成到了一个集成电路中。研究人员称，该技术有望帮助硅材料突破瓶颈，为更快、更稳定的电子和光子设备的制造铺平道路。 硅是目前最常见的一种电子材料，但它并不是万能的。建立在传统蚀刻工艺基础的硅集成
氟电极法测定硅铁试样中的硅
一、方法要点硅铁试样先经碱熔，随后用热水及HCl浸取，定容后，吸取部分试液放入50mL烧杯中，在微酸性介质中，用过量KF(或NaF+KCl)溶液沉淀硅酸为K2SiF6，然后用氟电极法测定溶液中NaF的余量来换算硅的含量。在掩蔽剂存在下，可以排除共存的Fe3+、Al3+、Mn2+、Ni2+等离子的干扰