WIKI资讯
WIKI资讯
FinFET技术已经成为工艺尺寸继续减小的主要动力。“在可预见的未来，极低的工作电压与漏电流使得FinFET工艺成为CMOS工艺的标准架构，” ANSYS应用工程高级总监Arvind Shanmugavel说道，“但上述优点是有代价的—电源噪声问题变得突出。一方面，10纳米或7纳米的FinFET器件在供电电压（Vsupply）为500mV时也能可靠地工作；另一方面，门限电压（Vt）并没有跟随工艺节点前进而成比例下降。这样一来，电压容限（Vsupply - Vt）急剧减少，设计工程师需要特别注意电源噪声变化。”平面工艺与FinFET（右）比较 FinFET工艺独有的特性带来了更多的麻烦。“FinFET器件温度更高，因此白噪声会增加，” Cadence电源签核（signoff）产品市场总监Jerry Zhao说，“FinFET器件的三维鳍型结构易聚集热量，这些热量会沿垂直方向传导到鳍型结构上面的走线层。温度升高增加......阅读全文
上次说到FinFET噪声，这次来聊一聊环境噪声。与环境相关的噪声源于附近数字电路的开关或电源电压的波动（由于耗电大的器件动作可引起电源波动）。 “新技术发展使得晶体管集成密度不断提高，通信速率亦不断提高，环境噪声也相应增大了。” Synopsys的Brain Chen说道，“设