芯片毁于噪声：FinFET使噪声效应叠加
FinFET技术已经成为工艺尺寸继续减小的主要动力。“在可预见的未来，极低的工作电压与漏电流使得FinFET工艺成为CMOS工艺的标准架构，” ANSYS应用工程高级总监Arvind Shanmugavel说道，“但上述优点是有代价的—电源噪声问题变得突出。一方面，10纳米或7纳米的FinFET器件在供电电压（Vsupply）为500mV时也能可靠地工作；另一方面，门限电压（Vt）并没有跟随工艺节点前进而成比例下降。这样一来，电压容限（Vsupply - Vt）急剧减少，设计工程师需要特别注意电源噪声变化。”平面工艺与FinFET（右）比较 FinFET工艺独有的特性带来了更多的麻烦。“FinFET器件温度更高，因此白噪声会增加，” Cadence电源签核（signoff）产品市场总监Jerry Zhao说，“FinFET器件的三维鳍型结构易聚集热量，这些热量会沿垂直方向传导到鳍型结构上面的走线层。温度升高增加......阅读全文
芯片毁于噪声：FinFET使噪声效应叠加
FinFET技术已经成为工艺尺寸继续减小的主要动力。“在可预见的未来，极低的工作电压与漏电流使得FinFET工艺成为CMOS工艺的标准架构，” ANSYS应用工程高级总监Arvind Shanmugavel说道，“但上述优点是有代价的—电源噪声问题变得突出。一方面，10纳米或7纳米的FinF
芯片毁于噪声：环境噪声
上次说到FinFET噪声，这次来聊一聊环境噪声。与环境相关的噪声源于附近数字电路的开关或电源电压的波动（由于耗电大的器件动作可引起电源波动）。 “新技术发展使得晶体管集成密度不断提高，通信速率亦不断提高，环境噪声也相应增大了。” Synopsys的Brain Chen说道，“设
FinFET凭什么应用于新一代ASIC矿机芯片？
中本聪打造比特币的时候，设计的是使用电脑（包括家用电脑）来挖矿，主要依靠CPU去计算。但是随着比特币等数字货币的价值越来越高，挖矿成为了一个产业，竞争越来越激烈，挖矿难度也不断提升，于是逐渐转移到硬件比拼上来。如2018年7月31日，Innosilicon突然宣布其比特币矿机Terminator系列
微芯片人工肾脏有望使患者摆脱透析
据美国范德堡大学最近消息，该校研究人员正在用微芯片滤膜和活的肾脏细胞创造一种可植入的人工肾脏，能将身体产生的废物过滤出去。这一技术或使肾病患者彻底摆脱透析。 该校医学中心肾病学家、医学副教授威廉姆·费塞尔说，他们正在创造一种生物混合设备，能模拟肾脏清除废物、盐和水，让病人不再需要透析。现在
微芯片人工肾脏有望使患者摆脱透析
据美国范德堡大学最近消息，该校研究人员正在用微芯片滤膜和活的肾脏细胞创造一种可植入的人工肾脏，能将身体产生的废物过滤出去。这一技术或使肾病患者彻底摆脱透析。人工肾脏中的微芯片滤膜样本 该校医学中心肾病学家、医学副教授威廉姆·费塞尔说，他们正在创造一种生物混合设备，能模拟肾脏清除废物、盐和水，让
避免中医“毁于中药”，唯有科技创新
中医或将毁于中药！ 国家卫计委副主任、国家中医药管理局局长王国强不久前提出，“再好的大夫，即便是国医大师，开的方子再好，但抓的药不行，百姓吃了没效果，那就是毁掉了中医。” 水流千里总有源，树高千丈总有根。2015年出台的《中药材保护和发展规划(2015-2020年)》(下称规划)指出，中药
后FinFET时代的技术演进（一）
FinFET晶体管架构是当今半导体行业的主力军。但是，随着器件的持续微缩，短沟道效应迫使业界引入新的晶体管架构。在本文中，IMEC的3D混合微缩项目总监Julien Ryckaert勾勒出了向2nm及以下技术节点发展的演进之路。在这条令人振奋的道路上，他介绍了Nanosheet晶体管，For
后FinFET时代的技术演进（二）
需要微缩助推器在6T和5T的低单元高度下，向Nanosheet器件的迁移变得最佳，因为在这种情况下，fin的减少会降低传统基于FinFET的单元中的驱动电流。但是，如果不引入结构化微缩助推器（如埋入式电源轨和环绕式接触），就无法将单元高度从6T减小到5T。电源轨为芯片的不同组件提供电源，并且一般由B
先进的半导体工艺：FinFET简介
FinFET简介 FinFET称为鳍式场效晶体管(FinField-EffectTransistor；FinFET)是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管。闸长已可小于25奈米。该项技术的发明人是加州大学伯克利分校的胡正明教授。Fin是鱼鳍的意思，FinFET命名根据晶体管的形状
后FinFET时代的技术演进（三）
Forksheet：性能和面积的改进IMEC的研究人员最近使用TCAD仿真来量化Forksheet架构的预期PPA潜力。所研究的器件针对IMEC的2nm技术节点，采用42nm的接触栅节距和16nm的金属间距的5T标准单元库。拟议的设计包括一些微缩助推器，例如埋入式电源轨和环绕接触。与Nano
漫谈半导体工艺节点（三）
Brand指出，环形栅极场效应管并没有想象中那么不稳定，它其实非常实用，你甚至可以把它当做FinFET的改良版。实际上它只是在沟道上增加了几个面。Brand不确定环形栅极场效应管是否能在7nm实现，或者在5nm实现，这一切都取决于业界的进展。更决定于公司在降低栅极长度上是否足够激进。
叠加式摇床特点
叠加式恒温摇床广泛应用于对温度、振荡频率、振幅有较高要求的细菌培养、发酵、杂交和生物化学反应及发酵、细胞组织研究等。在医学、生物学、分子学、制药、食品、环保等研究应用领域有着广泛而重要的作用。特点： 1.功能多投资少节能、环保、运行平稳、无噪音、机械免维护。 2.外壳为钢板制作、腔体全镜面不锈
除了低功耗与低成本－FDSOI还有什么优势？（二）
沈磊表示，与FinFET工艺相比，FD-SOI工艺所需掩膜版更少，费用更节省，出片也更快。设计方案从体硅工艺迁移也更简便快捷。 IBS 首席执行官Handel Jones则比较了16/14纳米FinFET与14纳米FD SOI的晶圆成本与单位晶体管成本，根据他的计算，14纳米FD-SO
基准噪声如何影响增量－累加ADC中的DC噪声性能（二）
如何选择一个基准电压源 对于在整个ADC输入范围内实现低噪声/高分辨率性能来说，一个低噪声基准十分重要。基准噪声需求将取决于系统的目标分辨率、输入信号范围和数据速率（而这通常限制了输入和基准噪声带宽）。当噪声带宽受到较慢数据速率限制时，或者输入信号跨度被限制在ADC满量程范围内的一个较
叠加式恒温震荡摇床－又名－叠加式空气浴恒温摇床
叠加式恒温震荡摇床产品简介：叠加式空气浴恒温摇床（又名叠加式恒温摇床、叠加式恒温震荡器、叠加式摇床、叠加式震荡器）广泛应用于对温度、振荡频率有着较高要求的细菌培养、发酵、杂交和生物化学反应以及酶、细胞组织研究等。在医学、生物学、分子学、制药、食品、环保等研究应用领域有着广泛而重要的应用。叠加式恒温震
ATOS叠加阀如何选型？
ATOS叠加阀选型指导：1、根据管道参数选择电磁阀的：通径规格（即DN）、接口方式1）按照现场管道内径尺寸或流量要求来确定通径（DN）尺寸；2）接口方式，一般>DN50要选择法兰接口，≤DN50则可根据用户需要自由选择。2、根据流体参数选择电磁阀的：材质、温度组1）腐蚀性流体：宜选用耐腐蚀电磁阀和全
IBM宣布用最新工艺制造5纳米芯片
IBM日前在日本京都宣布，该公司研究团队在晶体管的制造上取得了巨大的突破——在一个指甲大小的芯片上，从集成200亿个7纳米晶体管飞跃到了300亿个5纳米晶体管。据美国电气和电子工程师协会（IEEE）《光谱》杂志6日报道，这一出色表现有望挽救濒临极限的摩尔定律，使电子元件继续朝着更小、更经济的方向
美研制出迄今最小三维晶体管－效率更高－尺寸仅2.5纳米
美国研究人员研制出一种新的三维晶体管，尺寸不到当今最小商业晶体管的一半。他们为此开发了一种新颖的微加工技术，可以逐个原子地修改半导体材料。 为了跟上“摩尔定律”的步伐，研究人员一直在寻找将尽可能多的晶体管塞入微芯片的方法。最新的趋势是垂直竖立的鳍式三维晶体管，其尺寸约为7纳米，比人类头发还要薄
为什么要使用噪声计测量噪声？
为了统一起见，国际上及国内都制定了一些噪声测量的标准，这些标准中不仅规定了噪声测量的方法，也规定了需要使用噪音计的技术要求，可根据这些标准以便更好的来选择合适的噪音计。 1、声学—环境噪声测量 测量方法可按照GB3222-94《声学环境噪声测量方法》要求测量值有LA、LAeq、 L
叠加式恒温摇床性能特点
1.独特的SPM软启动功能，有效避免样品抛洒污染。2.多种保护模式：超温报警、电机过热保护、压缩机过热/过流保护等。3.上下开门方式，气弹簧支撑，抽拉式托盘，人性化设计方便操作。4.内胆为镜面不锈钢材质，外壳为防静电防老化喷塑，使用寿命长。5.两至三台恒温摇床组合而成，每层可单独控温、单独调速，拓展
叠加式振荡摇床控制介绍
叠加式振荡摇床控制介绍：1、采用具有超温偏差保护、超速保护、液晶显示的微电脑P.I.D温度控制器，带有定时功能，2、控制转速的线路确保摇床缓缓启动、平稳加速，保证实验样品的安全、控速精准可靠。3、升级版声光报警环境扫描微电脑芯片，具有更强大的数据处理功能4、具有压缩机启动延时功能，有效保证压缩机使用
叠加阀的工作原理介绍
叠加阀可以缩小安装空间，减少配管、油漏和管道振动等引起的故障，能简单的改变回路、更换元件，维修很方便。 插装阀的优点是： 1、结构简单，通流能力大，适合于各种高压大流量系统； 2、改变不同的先导控制阀及盖板，便可轻易地实现不同阀的功能，而插装主阀的结构不变，便于标准化； 3、不同
如何利用参考设计解决TypeC开发过程中的疑难杂症？2
“多年以后我们写半导体发展史的话，28纳米节点一定是浓墨重彩的一笔，它背后有很多的故事。”在2016 FD-SOI论坛上，复旦微电子总工程师沈磊如是说。的确，28纳米以后逻辑工艺开始分岔：立体工艺FinFET由于获得英特尔与台积电的主推成为主流，14/16纳米都已量产，10纳米工艺也
除了低功耗与低成本－FDSOI还有什么优势？（一）
“多年以后我们写半导体发展史的话，28纳米节点一定是浓墨重彩的一笔，它背后有很多的故事。”在2016 FD-SOI论坛上，复旦微电子总工程师沈磊如是说。的确，28纳米以后逻辑工艺开始分岔：立体工艺FinFET由于获得英特尔与台积电的主推成为主流，14/16纳米都已量产，10纳米工艺也
生物芯片的进步使下一代测序技术成为可能
生物芯片基本上是设计用于生物体内部的微小实验室，它们正在推动下一代DNA测序技术的发展。这种强大的组合能够解决独特和重要的生物学问题，例如单细胞，稀有细胞或稀有分子分析，这些分析是新一代测序本身无法做到的。 现在生物芯片技术的规模和吞吐能力已经出现，生物芯片的下一个趋势将涉及能够提供广泛的应用
噪声计分类
1、从测量对象来分，可分为环境噪声( 声场)的特征测量和声源特征的测量。 2、从声源或声场的时间特性来分， 可分为稳态噪声测量和非稳态噪声测量。 非稳态噪声又可分为周期性变 化噪声、无规则变化噪声和脉冲声等。 3、从声源或声场的频率特性来分， 可分为宽带噪声、窄带噪声和含有突出纯音成分的噪音
噪声计分类
1、从测量对象来分，可分为环境噪声(声场)的特征测量和声源特征的测量。 2、从声源或声场的时间特性来分，可分为稳态噪声测量和非稳态噪声测量。非稳态噪声又可分为周期性变化噪声、无规则变化噪声和脉冲声等。 3、从声源或声场的频率特性来分，可分为宽带噪声、窄带噪声和含有突出纯音成分的噪音。 4、
噪声计分类
1、从测量对象来分，可分为环境噪声(声场)的特征测量和声源特征的测量。 2、从声源或声场的时间特性来分，可分为稳态噪声测量和非稳态噪声测量。非稳态噪声又可分为周期性变化噪声、无规则变化噪声和脉冲声等。 3、从声源或声场的频率特性来分，可分为宽带噪声、窄带噪声和含有突出纯音成分的噪音。 4、
噪声计测量
为了统一起见，国际上及国内都制定了一些噪声测量的标准，这些标准中不仅规定了噪声测量的方法，也规定了需要使用噪音计的技术要求，可根据这些标准以便更好的来选择合适的噪音计。 1、声学—环境噪声测量 测量方法可按照GB3222-94《声学环境噪声测量方法》 要求测量值有LA、LAeq、LN（L5
噪声等效功率
噪声等效功率(Noise Equivalent Power )简称为NEP。但参数NEP不符合人们的传统认知习惯。为此定义NEP的倒数为光电器件的探测度，作为衡量光电器件探测能力的一个重要指标，噪声等效功率的定义是：信噪比为1时所需的入射红外辐射功率。也就是说投射到微测辐射热计上的红外辐射功率所产生