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可能的选择 短期内，芯片制造商们明确地会在FinFet和二维的FD-SOI技术上将节点推进到10nm。到了7nm之后，沟道上的的“门”就会上去控制，这就亟待一种全新的晶体管架构。 7nm上的一个领先竞争者就是高电子迁移率的FinFet，也就是在沟道上使用III-V 材料的FinFet。III-V族 FinFET则可能会在PFET时采用锗（Ge）作为沟道材料，在NFET时采用InGaAs作为沟道材料。 锗无疑会是一个好选择。由于III-V族本身的特性，我们还需要在上面花费更多功夫。 实际上，III-V族材料已经受到了很多的关注，且可能会在5nm的时候推出。而在7nm的时候，锗和III-V族材料会是最有可能的竞争者。但是这些材料的窄能带隙也会给低漏电的晶体管带来麻烦。为此，对III-V族材料的期待从7nm迁移到5nm。但这并不排除近期会在源极和漏极上使用这种材料。 因此，由于III-V族 FinFE......阅读全文
可能的选择 短期内，芯片制造商们明确地会在FinFet和二维的FD-SOI技术上将节点推进到10nm。到了7nm之后，沟道上的的“门”就会上去控制，这就亟待一种全新的晶体管架构。 7nm上的一个领先竞争者就是高电子迁移率的FinFet，也就是在沟道上使用III-V 材料的FinFet
近来，GlobalFoundries宣布将会推进7nm FinFET工艺，引发了行业对工艺节点、光刻等技术的探讨。本文是来自SemiEngineering 2014年的一篇报道，带领大家了解7nm工艺及以后的半导体业界的发展方向。（由于推测是2014年的，事实上可能有点过时，希望
Brand指出，环形栅极场效应管并没有想象中那么不稳定，它其实非常实用，你甚至可以把它当做FinFET的改良版。实际上它只是在沟道上增加了几个面。Brand不确定环形栅极场效应管是否能在7nm实现，或者在5nm实现，这一切都取决于业界的进展。更决定于公司在降低栅极长度上是否足够激进。
FinFET简介 FinFET称为鳍式场效晶体管(FinField-EffectTransistor；FinFET)是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管。闸长已可小于25奈米。该项技术的发明人是加州大学伯克利分校的胡正明教授。Fin是鱼鳍的意思，FinFET命名根据晶体管的形状
1)原材料控制。包括对掩膜版、化学试剂、光刻胶、特别对硅材料等原材料的控制。控制不光采用传统的单一检验方式，还可对关键原材料采用统计过程控制(statisticalprocesscontrol，SPC)技术，确保原材料的质量水平高，质量一致性好。 2)加工设备的控制。除采用先进的设备进行工艺加
集成电路在大约5mm×5mm大小的硅片上，已集成了一台微型计算机的核心部分，包含有一万多个元件。集成电路典型制造过程见图1。从图1,可以看到，已在硅片上同时制造完成了一个N+PN晶体管,一个由 P型扩散区构成的电阻和一个由N+P结电容构成的电容器,并用金属铝条将它们连在一起。实际上,在一个常用的
近年来，二维范德华材料如石墨烯、二硫化钼等由于其独特的结构、物理特性和光电性能而被广泛研究。在二维材料的研究领域中，磁性二维材料具有更丰富的物理图像，并在未来的自旋电子学中有重要的潜在应用，越来越受到人们的关注。掺杂是实现二维半导体能带工程的重要手段，如果在二维半导体材料中掺杂磁性原子，则这些材
三星电子近日宣布，三星先进技术研究所(SAIT)与韩国成均馆大学合作开发出一种新合成方法，可大面积制备应用于半导体的晶圆级单晶石墨烯。应用该方法制备的半导体单晶，具有优异的电性能和机械性能。该研究负责人说，“我们预计这一发现将加速石墨烯的商业化，并可能开创消费电子技术的新时代。” 石墨烯具
从市场上看COF 从工艺上来说,COF分为单层COF和双层COF两种。普遍来说单层COF比双层成本上要低5倍,但一般的机台的精准度无法满足单层COF,对技术要求很高;双层COF拥有更好的解析度,但打两层COF,需要更多bonding(芯片打线及邦定)设备,成本高昂。 产业链数据显示,COF比COG
图3在左轴上显示了按年份和公司分类的串堆叠，在右轴上显示了每个单元的最大比特数。图3．堆叠层数，每单元比特数。图4展示了我们对按曝光类型，公司和年份划分的掩模数量的分析。虚线是每年的平均掩模数，从2017年的42张增加到2025年的73张，这与层数从2017年的平均60个增加到2025年的512个相