WIKI资讯
WIKI资讯
分子束外延设备有很多种。但就其主要结构而论是大同小异的。分子束外延的设备较其他外延技术的设备复杂，要包括超高真空系统努森箱及各种分析仪器。从MBE技术的发展过程看，当初主要是为开发以GaAs为中心的Ⅲ-V族化合物半导体，而后是针对Ⅱ-Ⅵ族和Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体，最近正转向针对Si半导体器件的应用开发。从MBE装置的角度看，逐步从单纯研究用装置向批量生产用装置进展......阅读全文
分子束外延自20世纪60年代末在真空蒸镀的基础上产生以来，发展十分迅速。其中之一是引入气态的分子束源，构成所谓化学束外延(CBE)。用砷烷(AsH3)和磷烷(PH3)生长InGaAsP等四元材料，或将金属有机化合物引入分子束源形成所谓金属有机化合物分子束外延(MOMBE)。这两项新技术是把MBE
Pfeiffer 分子泵应用于分子束外延 MBE 与扫描隧道显微镜 STM 联用系统 --分析生长晶体表面结构 分子束外延 MBE 是一种晶体生长技术, 将半导体衬底放置在超高真空腔体中, 和将需要生长的单晶物质按元素的不同分别放在喷射炉中, 由分别加热到相应温度的各元素喷射出的分子流能
近日，中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室与超晶格国家重点实验室分子束外延(MBE)课题组合作，采用分子束外延技术生长的InGaSb/ AlGaAsSb应变量子阱激光器，实现了高工作温度(T=80℃)连续激射，激射波长2μm出光功率63.7mW，达到国内领先水平。&n
分子束外延技术是在半导体工艺中近十几年来发展起来的一项新技术，它是在超高真空条件下，类似于真空蒸发镀把构成晶体的各个组分和予掺杂的原子(分子)，以一定的热运动速度，按一定的比例从喷射炉中喷射到基片上去进行晶体外延生长而制备单晶膜的一种方法。简称MBE法 分子束外延，就是在超高真空系统中把所需要
高精尖科学仪器的获得是基础前沿科学探索研究及新发现的最重要因素之一。过去一些年里，我国在超高真空-分子束外延及其相关装备的研制方面与发达国家存在着巨大差距，成为我国相关领域科学研究、应用开发水平、重大原创性科研成果产生的重要瓶颈和掣肘。 作为研究低维材料和表面科学的重要工具，扫描隧道显微镜（S
硼烯是指由硼元素构成的二维平面结构，其存在的可能性一直受到理论研究者的强烈关注。由于硼原子只有三个价电子，与石墨烯类似的蜂窝状结构并不是一种能量上稳定存在的硼烯结构。相反，以三角形密堆积晶格为基础的孔洞型结构是可以稳定存在的。2016年，中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心表面物理国
自旋流的产生、操作和探测是自旋电子学研究的最基本问题，其中一个关键目标是在室温以上实现电荷流-自旋流的高效转换。电荷流-自旋流转换效率与材料中的自旋-轨道耦合密切相关，通过逆自旋霍尔效应（Inverse Spin Hall effect）和逆埃德尔施泰因效应（Inverse Edelstein
超晶格由于其精细的几何结构和优异的物理特性，引起了人们广泛的兴趣和关注，也为寻找新材料和新光源开辟了新的领域。分子束外延（MBE）作为一种原子级的加工技术，可实现对生长厚度、结构与成分的精确控制，是制备超晶格的最有利工具。然而其自身也面临诸多问题，例如制备设施昂贵、操作程序复杂、生长条件苛刻、对
一、分子束外延 (Molecular Beam Epitaxy，MBE)简介 在超高真空环境下， 使具有一定热能的一种或多种分子 (原子) 束流喷射到晶体衬底 ，在衬底表面发生反应的过程，由于分子在 "飞行"过程中几乎与环境气体无碰撞 ，以分 子束的形式射向衬底 ，进行外延
（1）生长速率极慢，大约1um/小时，相当于每秒生长一个单原子层，因此有利于实现精确控制厚度、结构与成分和形成陡峭的异质结构等。实际上是一种原子级的加工技术，因此MBE特别适于生长超晶格材料。 （2）外延生长的温度低，因此降低了界面上热膨胀引入的晶格失配效应和衬底杂质对外延层的自掺杂扩散影响。
6月23日下午，中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所与索尼公司半导体材料与器件合作项目启动签约仪式在苏州纳米所举行。研究所所长杨辉代表苏州纳米所与索尼公司高级副总裁熊谷签订合作协议，同时，索尼公司将向苏州纳米所提供分子束外延（MBE）装置的免费使用权。中科院副院长施尔畏，苏州工业园
近年来，在中国科学院知识创新工程和国家自然科学基金委员会的资助下，中科院物理所陈东敏研究组致力于扫描隧道显微技术的创新和研发，在仪器自主研制方面取得了创新性研究进展。他们成功研制出具有对称式机械结构的双探针扫描隧道显微镜(STM)探头，并通过主动降噪技术大大提高了STM系统的信噪比。同时，他们通过多
最近，《科学》发表了中科院物理研究所/北京凝聚态物理国家实验室（筹）表面物理实验室马旭村研究组与清华大学物理系薛其坤研究组合作，在铁基超导体FeSe电子配对对称性研究中取得的新进展。这是我国科学家首次在Science杂志上刊登该领域的研究成果。 铁基超导体是继铜
早于1916年，爱因斯坦（Albert Einstein）已提出受激发射作用的假设。可是，首次以红宝石棒为产生激光媒介的激光器，却要到1960年，才由梅曼（Theodore H. Maiman）在休斯实验研究所建造出来。总共相隔了44年。使用激光来熔化物料的历史，要追溯到1962年，布里奇（Br
自石墨烯发现以来，二维材料受到了广泛关注，寻找类似石墨烯的新型二维晶体材料，并探索其特殊物理化学性质是当前一个令人关注的研究方向。二维材料性质各异，且易于调控和集成，其丰富多彩的电子态和物理效应为构筑新型的电子器件提供了新机遇。其中，单元素二维材料由于结构简单、易于分析和调控，可以视为模型化的二
近日从中科院获悉，中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家实验室(筹)表面室吴克辉研究组的博士生冯宝杰、钟青在研究员吴克辉、副研究员陈岚的指导下，率先利用超高真空分子束外延（MBE）直接进行单原子层构筑的方法，在Ag(111)衬底上获得了理论期待已久的单层硼烯。实验上实现学术界期待已
中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家实验室（筹）表面物理国家重点实验室马旭村研究员领导的研究组与清华大学物理系薛其坤教授领导的研究组合作，在三维拓扑绝缘体薄膜的外延生长、电子结构及有限尺寸效应方面进行研究，取得一系列进展。 拓扑绝缘体是最近几年发现的一种新的
自1800年William Herschel发现红外辐射后，红外探测逐渐成为现代光电技术领域的重要分支。以诺贝尔物理学奖获得者Wilhelm Wien, Max Planck等人为代表的科学家们建立了远场范畴的红外物理学基础（图1）。基于人们对远场红外物理学的科学认识，红外探测技术的发展经过了漫
教学仪器设备指由学校发起的在教学、科研单位中使用方向为教育、教学、科研、技术攻关的仪器设备。《固定资产分类与代码》中确定的专用教学设备包括：幻灯机、黑白板（包括磁板和电子版）、电子投影仪、教师试验台、其他教学设备，随着院校科研工作的开展教学设备的范畴越来越广，应当讲已包含了各种专业或院系对应的专
金属-氧化物界面（Metal-oxide interface）在很多先进的应用材料中起着非常重要的作用,有时甚至起着决定性的作用,比如:功能金属陶瓷材料、氧化物弥散强化合金、金属的氧化物防护、催化剂等等。众所周知,材料的宏观性质是由其微观结构所决定的,因此,为了改善材料的宏观性能,有必要弄清楚材料的
近日从中科院获悉，中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家实验室(筹)表面室吴克辉研究组的博士生冯宝杰、钟青在研究员吴克辉、副研究员陈岚的指导下，率先利用超高真空分子束外延（MBE）直接进行单原子层构筑的方法，在Ag(111)衬底上获得了理论期待已久的单层硼烯。实验上实现学术界期待已久的硼烯，为
新兴的自旋电子学领域利用电子自旋延长电池寿命，从而增强诸如硬盘驱动器、手机组件等固态设备的性能。不过，自旋电子学的发展正在遭遇被称为斯莱特—鲍林极限的阻碍。斯莱特—鲍林极限是指一种材料所能包含的磁化强度的最大值。如今，一种新的薄膜有望突破这个持续了几十年的基准。图片来源于网络 近日，一个由美国
据美国每日科学网站7月27日报道，美国科学家成功制造出了超纯的砷化镓，并让其呈现出某种特殊的状态，在这种状态下，电子不再遵守单粒子的物理学法则而被它们之间的相互作用（由量子力学法则来解释）所掌控，这种超纯材料和状态都有望用于高速量子计算机的研究中。 量子计算机使用电子的量子力
摘要：真空电子器件在雷达的发展历程中发挥了重要作用，是雷达系统的核心器件，两者相辅相成、相互促进。随着设计仿真能力的不断提升，以及新材料新工艺的出现，真空电子器件出现了一些新的发展动向。器件性能不断提升，也出现了一些新型真空电子器件，这都为新型雷达探测技术的发展提供了很好的器件支撑。该文从微波毫米波
原文地址：http://www.cas.cn/syky/202103/t20210318_4781439.shtml 上世纪60年代，有学者从理论上预测了固体材料中一种新的复合粒子，由空穴与等离激元的强耦合而产生的等离激元极化子，为凝聚态领域的复杂多体理论拓展了一个重要的研究分支。但是，普通金属中
挪威科技大学的研究人员近日成功开发出一种新型半导体工业复合材料“砷化镓纳米线”，并申请了技术专利，该复合材料基于石墨烯，具有优异的光电性能，在未来半导体产品市场上将极具竞争性，这种新材料被认作有望改变半导体工业新型设备系统的基础。该项技术成果刊登在美国科学杂志纳米快报上。 以Helge W