分子束外延（MBE）的发展前景
分子束外延自20世纪60年代末在真空蒸镀的基础上产生以来，发展十分迅速。其中之一是引入气态的分子束源，构成所谓化学束外延(CBE)。用砷烷(AsH3)和磷烷(PH3)生长InGaAsP等四元材料，或将金属有机化合物引入分子束源形成所谓金属有机化合物分子束外延(MOMBE)。这两项新技术是把MBE和发展很快的金属有机化合物气相沉积(MOCVD)技术相结合，进一步改进了MBE的生长和控制能力。 把分子束外延和脉冲激光结合起来，发展成所谓激光分子束外延(L-MBE)技术。它是用激光照射靶来代替分子(原子)束源，更容易实现对蒸发过程精确的控制，显示了比常规分子束外延更加广阔的应用前景。 分子束外延可能的应用领域由：在高温超导薄膜和器件的研究和应用方面将由于L-MBE能够人工控制原子层的有秩序堆积，可以外延生长发挥重要作用，出含有几个原子层组成绝缘层(I)的YBCO/I/YBCO夹心结构，具备研制三层夹心型超导隧道结的条件； 外延......阅读全文
分子束外延（MBE）的发展前景
分子束外延自20世纪60年代末在真空蒸镀的基础上产生以来，发展十分迅速。其中之一是引入气态的分子束源，构成所谓化学束外延(CBE)。用砷烷(AsH3)和磷烷(PH3)生长InGaAsP等四元材料，或将金属有机化合物引入分子束源形成所谓金属有机化合物分子束外延(MOMBE)。这两项新技术是把MBE
分子束外延（MBE)
分子束外延设备有很多种。但就其主要结构而论是大同小异的。分子束外延的设备较其他外延技术的设备复杂，要包括超高真空系统努森箱及各种分析仪器。从MBE技术的发展过程看，当初主要是为开发以GaAs为中心的Ⅲ-V族化合物半导体，而后是针对Ⅱ-Ⅵ族和Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体，最近正转向针对Si半导体器件的应用
分子束外延（MBE）装置
MBE装置由样品进样室、预处理分析室和牛K窜等组成。窜间用闸扳阀隔开，以确保生长室的超高真空与清洁。 根据MBE系统的几何结构相应地配置真空系统。根据要求，3个室的真空配置的配置泵的系统并非一样： (1)进样室。真空度为1.33 x10-6~1 33 x10-8Pa。在l 33×10-6~1
分子束外延（MBE）的特点
（1）生长速率极慢，大约1um/小时，相当于每秒生长一个单原子层，因此有利于实现精确控制厚度、结构与成分和形成陡峭的异质结构等。实际上是一种原子级的加工技术，因此MBE特别适于生长超晶格材料。 （2）外延生长的温度低，因此降低了界面上热膨胀引入的晶格失配效应和衬底杂质对外延层的自掺杂扩散影响。
影响分子束外延（MBE）的因素
1、外延温度 为了引起外延，基片的温度应达到某一温度值，即有必要加热到外延温度以上，当温度低于外延温度时则不能引起外延。而且外延温度还与其他条件有关，不同条件下的外延温度是不同的。 2、基片结晶的臂开 在过去的常规研究方面，基片结晶是在大气下臂开(机械折断产生结晶面)而后放入真空装置中来制
分子束外延（MBE）解析及原理
分子束外延技术是在半导体工艺中近十几年来发展起来的一项新技术，它是在超高真空条件下，类似于真空蒸发镀把构成晶体的各个组分和予掺杂的原子(分子)，以一定的热运动速度，按一定的比例从喷射炉中喷射到基片上去进行晶体外延生长而制备单晶膜的一种方法。简称MBE法 分子束外延，就是在超高真空系统中把所需要
涡轮分子泵分子束外延－MBE－与扫描隧道显微镜－STM－联用
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分子束外延要点解析
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分子束外延碲镉汞薄膜中VOID缺陷的研究
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南方科技大学采购激光氧化还原分子束外延联合系统
公告信息：采购项目名称物理系激光-氧化-还原分子束外延联合系统采购项目（重新采购第1次品目货物/通用设备/仪器仪表/其他仪器仪表采购单位南方科技大学行政区域广东省公告时间2022年11月21日 16:40获取招标文件时间2022年11月22日至2022年11月28日每日上午:8:00 至 12:00
稀磁性半导体的制备方法
分子束外延法分子束外延（MBE）技术由于其在原子尺度上精 确控制外延膜厚、掺杂和界面平整度的特点，明显优 于液相外延法和气相外延生长法，更有利于生长高质 量DMS薄膜。采用低温分子束外延（LT-MBE）技术， 能够有效的抑制新相的析出，同时辅助以高能电子衍 射仪（RHEED），监控生长过程中的表面再
半导体所制成高温连续激射2微米波段锑化物量子阱激光器
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化合物半导体材料的制备方法
通常采用水平布里奇曼法(HB)、液封直拉法(LEC)、高压液封直拉法(HPLEC)、垂直梯度凝固法(VGF)制备化合物半导体单晶，用液相处延(LPE)、气相处延(VPE)、分子束外延(MBE)、金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)等制备它们的薄膜和超薄层微结构化合物材料。
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仪器设备预算超3500万元！复旦大学公开8月政府采购意向
近日，复旦大学公开了2022年8月政府采购意向，本次预算总金额超3500万元，采购内容包括原子层薄膜气相沉积系统、超高空间分辨电子束诱导电流谱、高分辨晶体衍射仪、傅立叶红外光谱仪、红外探测器高精度测试表征系统、II-VI族化合物半导体分子束外延系统等仪器设备。采购项目名称采购品目采购需求概况预算
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6月23日下午，中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所与索尼公司半导体材料与器件合作项目启动签约仪式在苏州纳米所举行。研究所所长杨辉代表苏州纳米所与索尼公司高级副总裁熊谷签订合作协议，同时，索尼公司将向苏州纳米所提供分子束外延（MBE）装置的免费使用权。中科院副院长施尔畏，苏州工业园
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《科学仪器评论》—陈东敏小组—扫描隧道显微技术研发
近年来，在中国科学院知识创新工程和国家自然科学基金委员会的资助下，中科院物理所陈东敏研究组致力于扫描隧道显微技术的创新和研发，在仪器自主研制方面取得了创新性研究进展。他们成功研制出具有对称式机械结构的双探针扫描隧道显微镜(STM)探头，并通过主动降噪技术大大提高了STM系统的信噪比。同时，他们通过多
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