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高分辨核磁共振谱仪主要是研究通知磁性核在外磁场作用下产生的微小变化,这些变化来源于核的磁屏蔽,它起因于分子中电子环形运动所产生的次级磁场。而在高分辨NMR实验中所得到的共振信号大多又是裂分谱线。造成裂分谱线分的原因是磁性核之间的自旋——自选相互作用。化学位移和偶合常数是核磁共振波谱中反映化合物结构的两个重要参数。一、化学位移1)定义因质子在分子中所处的化学环境不同而需要在不同的磁场强度下发生共振的现象叫做化学位移。(质子周围基团性质不同,使它的共振频率不同。)2)化学位移的产生理想化的、裸露的氢核满足共振条件:,产生单一的吸收峰。实际上,氢核受到周围不断运动着的电子影响。在外磁场作用下,运动着的电子产生相对于外磁场的感应磁场,起到屏蔽作用,使氢核实际收到的外磁场作用减小,则有效磁场强度式为:,:屏蔽常数,屏蔽常数越大,屏蔽效应越大,由于屏蔽作用的存在,氢核产生共振需要更大的外磁场强度(相对于裸露的氢核),来抵消屏蔽影响。核外电子......阅读全文
高分辨核磁共振谱仪主要是研究通知磁性核在外磁场作用下产生的微小变化,这些变化来源于核的磁屏蔽,它起因于分子中电子环形运动所产生的次级磁场。而在高分辨NMR实验中所得到的共振信号大多又是裂分谱线。造成裂分谱线分的原因是磁性核之间的自旋——自选相互作用。化学位移和偶合常数是核磁共振波谱中反映化合物结构的
四大波谱是:核磁共振（NMR）,物质粒子的质量谱-质谱（MS）,振动光谱-红外/拉曼(IR/Raman）,电子跃迁-紫外（UV）。紫外：四个吸收带，产生、波长范围、吸光系数红外：特征峰，吸收峰影响因素、不同化合物图谱联系与区别核磁：N+1率，化学位移影响因素，各类化合物化学位移质谱：特征离子、重排、
1、原子质量2、键能(同素异形体)3、晶格(多晶型)4、空间结构
在核磁共振氢谱中,影响化学位移的因素主要包括局部屏蔽效应、远程屏蔽效应、氢键效应和溶剂效应等。此外,分子结构中存在的对称性(对称元素与核的化学位移等价性密切相关。1.局部屏蔽效应通过影响所研究的质子的核外成键电子的电子云密度而产生的屏蔽效应称为局部屏蔽效应。局部屏蔽效应可分为两个组成部分,其一是核外
化学位移是核磁共振中的一种术语，是化学环境所引起的核磁共振信号位置的变化，具体是用数字来进行表达(相对的，通常使用四甲基硅烷作为基准)。如果你是大学生，有空去帮师兄师姐做做实验你就会很了解，核磁共振是化合物结构解析的常用手段。影响因素可以表示为内因:有吸电子基团的向低场移动(因为屏蔽作用减少，弛豫所
1、缺陷的磁导率：缺陷的磁导率越小、则漏磁越强。 2、磁化磁场强度(磁化力)大小：磁化力越大、漏磁越强。 3、被检工件的形状和尺寸、缺陷的形状大小、埋藏深度等：当其他条件相同时，埋藏在表面下深度相同的气孔产生的漏磁要比横向裂纹所产生的漏磁要小。
北京心理危机研究与干预中心发布的《我国自杀状况及其对策》报告显示，中国是世界上自杀人数最多的国家，全世界每年大约有100万人死于自杀，其中超过1/4为中国人。中国每年有28.7万人死于自杀，200万人自杀未遂。自杀是中国总人口的第5位死因，是15-34岁人群的首位死因。在自杀者中，80%的人患有
当频率为ν0的单色辐射照射到物质上时,大部分入射辐射透过物质或被物质吸收,只有一小部分辐射被样品分子散射。入射的光子和物质分子相碰撞时,可发生弹性碰撞和非弹性碰撞,在弹性碰撞过程中,光子与分子之间不发生能量交换,光子只改变运动方向而不改变频率(ν0),这种散射过程叫弹性散射,亦称为瑞利散射(Rayl
1.原子核在磁场中的能级分裂质子有自旋,是微观磁矩,磁矩的方向与旋转轴重合。在磁场中,这种微观磁矩的两种自旋态的取向不同,能量不再相等,磁矩与磁场同向平行的自旋态能级低于磁矩与磁场反向平行的自旋态,两种自旋态间的能量差△E与磁场强度H0成正比: 式中,h为普朗克常数;H0为磁场的磁场强度,单位为T(
与独立的质子不同,分子中的各个质子都分别处于特定的化学环境。化学环境主要是指质子的核外电子以及与该质子距离相近的其他原子核或官能团的有关电子的分布、运动及其对周围空间的影响情况;这些电子在磁场的影响下产生了感应磁场,对质子所处环境中的磁场起了一个正的或负的屏蔽(shielding)影响导致不同的质子