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国家标准氮化镓材料中镁含量的测定二次离子质谱法

１国家标准《氮化镓材料中镁含量的测定二次离子质谱法》编制说明（预审稿）一、工作简况1.立项的目的和意义GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SiC、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好（几乎不被任何酸腐蚀）等性质和强的抗辐照能力，在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。GaN单晶的研制，迫切需要对GaN材料中重要杂质进行检测，特别是重要掺杂剂镁元素的测试，因为掺Mg量对生长P型GaN有重要影响：要获得高空穴载流子浓度的P型GaN,Mg的掺杂量必须控制好。掺Mg量较小时,GaN∶Mg单晶膜呈现N型导电,得不到P型层；掺Mg量过大时,会形成与Mg有关的深施主,由于深施主的补偿作用，得不到高空穴浓度的P型......阅读全文