国家标准氮化镓材料中镁含量的测定二次离子质谱法
１国家标准《氮化镓材料中镁含量的测定二次离子质谱法》编制说明（预审稿）一、工作简况1.立项的目的和意义GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SiC、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好（几乎不被任何酸腐蚀）等性质和强的抗辐照能力，在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。GaN单晶的研制，迫切需要对GaN材料中重要杂质进行检测，特别是重要掺杂剂镁元素的测试，因为掺Mg量对生长P型GaN有重要影响：要获得高空穴载流子浓度的P型GaN,Mg的掺杂量必须控制好。掺Mg量较小时,GaN∶Mg单晶膜呈现N型导电,得不到P型层；掺Mg量过大时,会形成与Mg有关的深施主,由于深施主的补偿作用，得不到高空穴浓度的P型......阅读全文
国家标准氮化镓材料中镁含量的测定二次离子质谱法
１国家标准《氮化镓材料中镁含量的测定二次离子质谱法》编制说明（预审稿）一、工作简况1.立项的目的和意义GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SiC、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP
544项推荐性国家标准公布－涉ICP、气相、离子色谱法等
近日，中国国家标准化管理委员会公布《2022年第21号中国国家标准公告》，共544项推荐性国家标准和4项国家标准修改单。本次公布的中国国家标准涉及化工、材料、临床检测、化学、化工、环境、植物、食品等各个领域，检测方法涉及滴定法、红外吸收法、等离子体原子发射光谱法、γ能谱分析、辉光放电质谱法、气相
6月起正式实施的质谱国家标准，涉及ICPMS、GCMS、SIMS、LCMS...
质谱技术作为一种强有力的化合物鉴定手段，已经在多个领域发挥着关键作用。它在有机化学、生物化学、药物代谢、临床医学、环境保护、石油化学等多个学科领域中都得到了广泛应用，对工业、医药和科学研究的进步起到了重要的推动作用。 根据“全国标准信息公共服务平台”的最新信息，小编整理出了一系列即将在今年实施
二次离子质谱法的简介
二次离子质谱法是指当初级离子束（Ar+，O2+，N2+, O-，F-，N -或Cs+等） 轰击固体试样表面时，它可以从表面溅射出各种类型的二次离子，利用离子在电场，磁场或自由空间中的运动规律，通过质量分析器，可以使不同质荷比的离子分开，经分别计数后可得到二次离子强度-质荷比关系曲线的分析方法。
等离子体质谱法联用测定饮料中的阴离子形态溴
水中通常不含溴酸根，但普遍含有溴离子。当用臭氧对水进行消毒时， 溴离子与臭氧反应氧化生成溴酸根。而饮料厂通常用于配制饮料的饮用水也 是通过臭氧消毒制得的，因此导致饮料中可能存在溴酸根。若过量摄入溴酸 根，会损害人体的血液、中枢神经与肾脏，对人体健康有潜在的危害[1-2] ，国 际癌症研究中心
555项拟立项国家标准立项在即－涉光谱、色谱、质谱检测
近日，国家标准委发布关于对《城镇燃气调压器》等555项拟立项国家标准项目征求意见的通知，其中涉有若干仪器检测标准，包括光谱、色谱、质谱等。关于对《城镇燃气调压器》等555项拟立项国家标准项目征求意见的通知各有关单位: 经研究，国家标准委决定对《城镇燃气调压器》等555项拟立项国家标准项目公开征
飞行时间二次离子质谱法
飞行时间二次离子质谱法Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry :TOF-SIMS原理超真空环境下向样品射入1次离子束，从样品的浅表层（1~3nm）释放出2次离子。将2次离子导入飞行时间（TOF型）质谱仪，就可以获得样品最表层的质谱。此时，再通过调
氮化镓的的化学特性
在室温下，GaN不溶于水、酸和碱，而在热的碱溶液中以非常缓慢的速度溶解。NaOH、H2SO4和H3PO4能较快地腐蚀质量差的GaN，可用于这些质量不高的GaN晶体的缺陷检测。GaN在HCL或H2气下，在高温下呈现不稳定特性，而在N2气下最为稳定。
氮化镓的的电学特性
GaN的电学特性是影响器件的主要因素。未有意掺杂的GaN在各种情况下都呈n型,最好的样品的电子浓度约为4×1016/cm3。一般情况下所制备的P型样品，都是高补偿的。很多研究小组都从事过这方面的研究工作，其中中村报道了GaN最高迁移率数据在室温和液氮温度下分别为μn=600cm2/v·s和μn= 1
氮化镓的的光学特性
人们关注的GaN的特性，旨在它在蓝光和紫光发射器件上的应用。Maruska和Tietjen首先精确地测量了GaN直接隙能量为3.39eV。几个小组研究了GaN带隙与温度的依赖关系，Pankove等人估算了一个带隙温度系数的经验公式：dE/dT=－6.0×10－4eV/k。 Monemar测定了基本的
氮化镓的的化学特性
在室温下，GaN不溶于水、酸和碱，而在热的碱溶液中以非常缓慢的速度溶解。NaOH、H2SO4和H3PO4能较快地腐蚀质量差的GaN，可用于这些质量不高的GaN晶体的缺陷检测。GaN在HCL或H2气下，在高温下呈现不稳定特性，而在N2气下最为稳定。
氮化镓的的结构特性
结构特性GaN纤锌矿结构图GaN的晶体结构主要有两种，分别是纤锌矿结构与闪锌矿结构。
国家及省市推进大规模仪器设备更新行动－看仪器最新标准
近期，为加速科研、工业、农业等领域的技术进步和产业升级，国家和各省市纷纷出台了大规模仪器设备更新的政策与实施方案。这些政策旨在通过设备更新和技术改造，提高生产效率、产品质量，并最终促进经济的全面发展。 国家层面的行动方案 在国家层面，国务院近期发布了《推动大规模设备更新和消费品以旧换新行动方
氮化镓的的计算化学数据
1、疏水参数计算参考值（XlogP）：无2、氢键供体数量：03、氢键受体数量：14、可旋转化学键数量：05、互变异构体数量：无6、拓扑分子极性表面积：23.87、重原子数量：28、表面电荷：09、复杂度：1010、同位素原子数量：011、确定原子立构中心数量：012、不确定原子立构中心数量：013、
氮化镓的的合成方法
1、即使在1000℃氮与镓也不直接反应。在氨气流中于1050～1100℃下加热金属镓30min可制得疏松的灰色粉末状氮化镓GaN。加入碳酸铵可提供气体以搅动液态金属，并促使与氮化剂的接触。2、在干燥的氨气流中焙烧磨细的GaP或GaAs也可制得GaN。
色谱技术真的“到头了”吗？这些即将实施的色谱国标告诉你答案
在分析化学的工作中，大多数被分析物需要分离后才能检测；分离技术中以色谱技术最为成熟，被成为分析测试行业的“老兵。”但是，经常有人唱衰这位“老兵”，认为“色谱技术已经到头了”。 分析测试百科网整理了截止目前即将实施和23年已经实施的色谱技术相关标准，期望可以解答色谱技术的发展现状。即将实施的色谱
氮化镓的的结构和应用特点
氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性
国标委发布1537项拟立项项目意见，涉及多种检测仪器
分析测试百科网讯 近日，中国国家标准化管理委员会发布了关于对常见毒品检测、天然气、化妆品测定等1537项拟立项国家标准项目公开征求意见的通知。据统计，此次发布的通知涉及红外光谱、真空计 四极质谱仪、高效液相色谱、分光光度计、激光拉曼光谱、微波等离子体原子发射光谱等分析检测仪器。 现附部分摘录如
国家标准委拟立项266项标准－20项涉仪器与化学检测
分析测试百科网讯 近日，国家标准化管理委员会发布《化妆品色谱分析方法验证通则》等266项拟立项国家标准项目公开征求意见。 本批计划共计266项，其中包括化学分析推荐性国家标准20项，涉及《生物检材中11种生物碱的检测 液相色谱质谱法》、《有机化工产品试验方法 第10部分 有机液体化工产品微量硫
氮化镓衬底晶片实现“中国造”
苏州纳维生产的4 英寸GaN 单晶衬底 一枚看似不起眼、“又轻又薄”的晶片，却能做出高功率密度、高效率、宽频谱、长寿命的器件，是理论上电光、光电转换效率最高的材料体系。这个“小身体大能量”的晶片叫作氮化镓（GaN）衬底晶片，是苏州纳维科技有限公司（以下简称苏州纳维）的主打产品。 “不会游泳的
氮化镓半导体材料的应用前景
对于GaN材料，长期以来由于衬底单晶没有解决，异质外延缺陷密度相当高，但是器件水平已可实用化。1994年日亚化学所制成1200mcd的 LED，1995年又制成Zcd蓝光（450nmLED），绿光12cd(520nmLED);日本1998年制定一个采用宽禁带氮化物材料开发LED的 7年规划，其目标是
氮化镓功率芯片的应用领域
1）手机充电器。主要有2 个原因，①手机电池容量越来越大，从以前的可能2 000 mA·H 左右，到现在已经到5 000 mA·H。GaN 可以减少充电时间，占位体积变小。②手机及相关电子设备使用越来越多，有USB-A 口、USB-C 口，多头充电器市场很大，这也是GaN 擅长的领域。2）电源适配器
质谱分析法术语二次离子质谱法
二次离子质谱法（ secondary ion mass spectrometry， SIMS）采用二次离子质谱仪进行质析的方法，该法依赖于所用不同二次离子质譜仪，可划分为四极杆二次离子质（quasSenary ion nmss spectrometr）、高分辩二次离子质谱仪（ high resolu
氮化镓的的性质与稳定性
如果遵照规格使用和储存则不会分解。避免接触氧化物，热，水分/潮湿。GaN在1050℃开始分解：2GaN(s)=2Ga(g)+N2(g)。X射线衍射已经指出GaN晶体属纤维锌矿晶格类型的六方晶系。在氮气或氦气中当温度为1000℃时GaN会慢慢挥发，证明GaN在较高的温度下是稳定的，在1130℃时它的蒸
如何测定饲料中氟的含量
GB 13078 NY 5072 HG 2636饲料中氟的测定 离子选择性电极法GB/T 13083
三硅酸镁的含量测定方法
氧化镁取本品1.5g,精密称定,精密加硫酸滴定液(0.5mol/L)50ml,置水浴上加热15分钟,放冷,加甲基橙指示液1滴,用氢氧化钠滴定液(1mol/L)滴定。每ml硫酸滴定液(0.5mol/L)相当于20.15mg的MgO。二氧化硅取本品约0.4g,精密称定,置瓷皿中,加硫酸ml与硝酸5ml的
丙戊酸镁的含量测定方法
取本品约0.4g,精密称定,加水50ml,溶解后,加乙醚30ml,照电位滴定法(通则0701),用玻璃-饱和甘汞电极,用盐酸滴定液(0.lmol/L)滴定至pH3.8,即得。每1ml的盐酸滴定液(0.1mol/L)相当于15.54mg的C16H3oMgO
硫酸镁的含量测定方法
含量测定取本品约0.25g,精密称定,加水30ml溶解后,加氨氯化铵缓冲液(pH10.0)10m与铬黑T指示剂少许,用乙二胺四醋酸二钠滴定液(0.05mol/L)滴定至溶液由紫红色转变为纯蓝色。每1ml乙二胺四醋酸二钠滴定液(0.05mol/L)相当于6.018mg的MgSO4
三硅酸镁的含量测定方法
总核苷酸照紫外可见分光光度法(通则0401)测定供试品溶液取本品适量,精密称定,加0.1mol/L磷酸盐缓冲液(取磷酸氢二钠35.8g,加水至1000ml,无水磷酸.氢钾13.6g,加水至1000ml,两液互调pH值至7.0)使溶解并定量稀释制成每1ml中约含20μg的溶液。测定法取供试品溶液,在2
氮化镓功率芯片的发展趋势分析
GaN 功率芯片主要以2 个流派在发展，一个是eMode 常开型，纳微代表的是另一个分支——eMode 常关型。相比传统的常关型的GaN 功率器件，纳微又进一步做了集成，包括驱动、保护和控制的集成。GaN 功率芯片集成的优势如下。1）传统的Si 器件参数不够优异，开关速率、开关频率都受到极大限制，通