ITO半导体导电膜
掺锡氧化铟（IndiumTinOxide），一般简称为ITO。因此，它是液晶显示器（LCD）、等离子显示器（PDP）、电致发光显示器（EL/OLED）、触摸屏（TouchPanel）、太阳能电池以及其他电子仪表的透明电极zui常用的薄膜材料。 二、发展 真正进行ITO薄膜的研究工作还是19世纪末，当时是在光电导的材料上获得很薄的金属薄膜。关于透明导电材料的研究进入一个新的时期还是应该在第二次世界大战期间，主要应用于飞机的除冰窗户玻璃。在1950年，第二种透明半导体氧化物In2O3被制成，特别是在In2O3里掺入锡以后，使这种材料在透明导电薄膜方面得到了普遍的应用，并具有广阔的应用前景。 三、基本性能 (1)、ITO薄膜的基本性能ITO（In2O3:SnO2=9:1）的微观结构，In2O3里掺入Sn后，Sn元素可以代替In2O3晶格中的In元素而以SnO2的形式存在，因为In2O3中的In元......阅读全文
半导体变流器
导体变流器是使用半导体阀器件的一种电力电子变流器，使电源系统的电压、频率、相数和其他电量或特性发生变化的电器设备。 定义 使用半导体阀器件的一种电力电子变流器。 术语 ①类似术语也适用于由具体类型的半导体或其他电子阀件组成的变流器或具体类型的变流器。例如晶闸管变流器，
半导体所揭示半导体界面电荷转移机理
与传统的太阳能电池相比，染料敏化太阳能电池具有原材料丰富、生产过程中无毒无污染、生产成本较低、结构简单、易于制造、生产工艺简单、易于大规模工业化生产等优势，在清洁能源领域具有重要的应用价值。在过去二十多年里，染料敏化太阳能电池吸引了世界各国众多科学家的研究，在染料、电极、电解质等各方面取得了很大
半导体的特性
半导体的导电性能比导体差而比绝缘体强。实际上，半导体与导体、绝缘体的区别在不仅在于导电能力的不同，更重要的是半导体具有独特的性能（特性）。 1． 在纯净的半导体中适当地掺入一定种类的极微量的杂质，半导体的导电性能就会成百万倍的增加—-这是半导体zui显著、zui突出的特性。例如，晶体管就是利用这种特
解析半导体晶闸管
认识半导体晶闸管晶闸管又被称做可控硅整流器，以前被简称为可控硅。1957年美国通用电气公司开发出世界上第一款晶闸管产品，并于1958年将其商业化。晶闸管是PNPN四层半导体结构，形成三个PN结，分别称：阳极，阴极和控制极。图 晶闸管的结构晶闸管在工作过程中，它的阳极（A）和阴极（K）与电源和负载连接
半导体电学测量
对于半导体材料的电阻率，一般采用四探针、三探针和扩展电阻。 四探针法是经常采用的一种，原理简单，数据处理简便。测量范围为10-3-104 防 米， 能分辨毫米级材料的均匀性，适用于测量半导体材料、异型层、外延材料及扩散层、离 子注入层的电阻率，并能够提供一个迅速的、不破坏的、较准确的测量
AFM测半导体
半导体加工通常需要测量高纵横比结构,像沟槽和孔洞,确定刻蚀深度。然而如此信息用SEM 技术是无法直接得到的,除非将样品沿截面切开。AFM 技术则恰恰弥补了SEM 的这一不足,它只扫描试样的表面即可得到高度信息,且测量是无损的,半导体材料在测量后即可返回到生产线。AFM 不仅可以直观地看到光栅的形貌,
半导体参数仪
半导体参数仪是一种用于物理学领域的科学仪器，于2015年9月17日启用。 4200-SCS/F半导体特性分析系统主机，2个高分辨率中功率SMU 最大电流100mA，最大电压200V，最大功率2W 4200-SMU高分辨率中功率SMU（源测量单元） 最大电流100mA；最大电压200V；最大功能
聚焦半导体 韩国启动半导体产业人才培养工程
韩国《中央日报》发布消息称，韩国产业通商资源部近日举办了“半导体原材料、零件、技术装备人才培养工程”启动仪式。产业部表示，将开展培养半导体原材料、零件、技术装备等相关人才培养的教育课程，并计划通过该工程在5年间培养300名（每年60人）高级研发人员。 据了解，该人才培养工程由韩国半导体产业协会
半导体粉末电阻率测试可以测量固体半导体材料
本仪器是为了适应当前迅速发展中的高分子半导电纳米材料电阻率测试需要,参照有关国际标准设计的。仪器的电流输出为 10 μA - 100 mA,电阻率测试范围为10-2 -105Ωcm ，直接采用数字显示。仪器的可靠性和稳定性大大增强，更方便于用户， 而且价格低廉、实惠。配置不同的测试架可以对半导体粉末
半导体所二维半导体磁性掺杂研究取得进展
近年来，二维范德华材料如石墨烯、二硫化钼等由于其独特的结构、物理特性和光电性能而被广泛研究。在二维材料的研究领域中，磁性二维材料具有更丰富的物理图像，并在未来的自旋电子学中有重要的潜在应用，越来越受到人们的关注。掺杂是实现二维半导体能带工程的重要手段，如果在二维半导体材料中掺杂磁性原子，则这些材