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电的发现是人类历史的革命，由它产生的动能每天都在源源不断的释放，人对电的需求不亚于人类世界的氧气，如果没有电，人类的文明还会在黑暗中探索。 然而在电力电子里面，最重要的一个元件就是IGBT。没有IGBT就不会有高铁的便捷生活。 一说起IGBT，半导体制造的人都以为不就是一个分立器件(Power Disceret)嘛，都很瞧不上眼。然而他和28nm/16nm集成电路制造一样，是国家“02专项”的重点扶持项目，这玩意是现在目前功率电子器件里技术最先进的产品，已经全面取代了传统的Power mosFET，其应用非常广泛，小到家电、大到飞机、舰船、交通、电网等战略性产业，被称为电力电子行业里的“CPU”，长期以来，该产品(包括芯片)还是被垄断在少数IDM手上(FairChild、Infineon、TOSHIBA)，位居“十二五”期间国家16个重大技术突破专项中的第二位(简称“02专项”)。 究竟IGBT是何......阅读全文
固态电源的基本任务是安全、可靠地为负载提供所需的电能。对电子设备而言，电源是其核心部件。负载除要求电源能供应高质量的输出电压外，还对供电系统的可靠性等提出更高的要求。IGBT是一种目前被广泛使用的具有自关断能力的器件，开关频率高，广泛应用于各类固态电源中。但如果控制不当，它很容易损坏。一般认
为了解决传统VCE在检测大功率绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块的短路故障时存在的问题，在分析了IGBT短路特性的基础上，提出了一种基于两级电流变化率(di/dt)检测IGBT两类短路故障的策略。该策略可以使驱动器更早地采取保护措施，限制IGBT的短路电流和短路功耗，减小关断尖峰电压。基
近日，中国“自主芯”首次进入柔性直流输电领域。这个“自主芯”即是中车株洲所自主生产的IGBT模块。 “短短7年，我们从一片空白跻身世界一流。”谈及IGBT产业的发展，中车株洲所旗下子公司时代电气半导体事业部副总经理刘国友说。 现代机车车辆装备要实现高速和重载，关键是机车要有一个强大的“心脏”
9月12日，一名技术人员展示装有IGBT芯片的模块。 中国科技网讯 我国自主研发的高压大功率3300V/50A IGBT(绝缘栅双极型晶体管)芯片及由此芯片封装的大功率1200A/3300V IGBT模块，今天(12日)通过专家鉴定。中国自此有了完全自主的IGBT“中国芯”。 由中国
传统使用VCE进行短路检测时，因需兼顾检测一类短路和二类短路的需要，VCE需要较高的阈值，这使得驱动器只能在IGBT退饱和时的VCE快速上升阶段检测到IGBT的短路状态。利用两级di/dt分别检测两类短路，会在VCE检测盲区时间内就检测到两类短路状态。因此，无论是一类短路还是二类短路，利
我们用混动汽车和电动汽车的80kW牵引电机逆变器电源模块做了一个SIC MOSFET与硅IGBT的对比测试，结果显示，在许多关键参数方面，650V SIC MOSFET远胜硅IGBT。这个三相逆变器模块采用双极性PWM控制拓扑，具有同步整流模式。两种器件都是按照结温小于绝对最大额定结温80％
IGBT发生短路时的电流是额定电流的8~10倍[4]。如果不能够快速地检测到短路故障，同时配合适当的软关断保护措施，IGBT将会被损坏。 2、 两级di/dt检测短路原理 封装后的IGBT模块内部有两个发射极，一个是辅助e极，另一个是功率E极，辅助e极和功率E极之间有一个小于10 n
2) 阳极短接(SA: Shorted-Anode)：它的结构是N+集电极间歇插入P+集电极，这样N+集电极直接接触场截止层并用作PN二极管的阴极，而P+还继续做它的FS-IGBT的集电极，它具有增强的电流特性且改变了成本结构，因为不需要共封装反并联二极管了。实验证明，它可以提高饱和电流，降
变频器逆变模块损坏多半是由于驱动电路损坏致使1个桥臂上的2个开关器件同一时间导通所造成的。变频器逆变功率模块损坏是不管在矢量变频器还是节能变频器等其他变频设备上常见到的故障，解决这种问题只有查到损坏的根本原因，并首先消除再次损坏的可能，才能更换逆变模块，否则换上去的新模块会再损坏。 一
1.驱动电路损坏的原因及检查 造成驱动损坏的原因有各种各样的，一般来说出现的问题也无非是U，V，W三相无输出，或者输出不平衡，再或者输出平衡但是在低频的时候抖动，还有启动报警等等。当一台变频器大电容后的快熔开路，或者是IGBT逆变模块损坏的情况下，驱动电路基本都不可能完好无损，切不可换上好
图5为本文设计的两级di/dt分别检测两类短路的波形。通过观察图5(a)实验波形可知，发生一类短路后开通约2.4 μs时，第二级di/dt已检测出一类短路状态并将短路信号送给前级CPLD，驱动器采取相应的软关断措施将电流最大值限制在3.16 kA，短路持续时间为2 μs，短路损耗
据中国半导体行业协会的相关人士透露，有关促进集成电路发展的纲要性文件已草拟完毕，目前正在进行部际协调。上证报资讯获悉，政策扶持的重点将主要集中于集成电路的设计和制造方面，尤其是本土自主核心产业龙头企业，功率半导体将迎来重要战略机遇期和黄金发展期。 功率半导体是节能减排的关键技术和基础技
据中国半导体行业协会的相关人士透露，有关促进集成电路发展的纲要性文件已草拟完毕，目前正在进行部际协调。上证报资讯获悉，政策扶持的重点将主要集中于集成电路的设计和制造方面，尤其是本土自主核心产业龙头企业，功率半导体将迎来重要战略机遇期和黄金发展期。 功率半导体是节能减排的关键技术和基础技术，
6月20日，我国电力电子行业迎来一个具有里程碑意义的时刻。当天上午，在来自电力、交通等领域的多位院士专家见证下，中国南车宣布由其自主设计建造的国内首条、世界第二条8英寸IGBT专业芯片生产线在湖南株洲全面建成并即将投产；同时，一块编号为00001的IGBT芯片被中国科技馆永久收藏。这标志着我国大
注意事项： （1）VMOS管亦分N沟道管与P沟道管，但绝大多数产品属于N沟道管。对于P沟道管，测量时应交换表笔的位置。 （2）有少数VMOS管在G-S之间并有保护二极管，本检测方法中的1、2项不再适用。 （3）目前市场上还有一种VMOS管功率模块，专供交流电机调速器、逆变器使用。例
作为国家科技重大专项——智能电网高压芯片封装与模块技术研发及产业化项目的中国北车永济电机公司以其研制的3300V IGBT器件产品，日前中标国家智能电网项目，成为我国首个高压大功率IGBT产品批量进入国家电网系统的企业，打破欧美等国家对我国在这一市场领域的技术垄断，加快了国家智能电网“中国芯”国
近日，由中国南车株洲所主持研制的国内最大电压等级、最高功率密度的6500伏高压 IGBT芯片及其模块首次向外界亮相，并通过成果鉴定，刷新了1年前该公司自主研制的3300伏IGBT芯片电压等级和功率密度纪录。鉴定专家一致认为，该项目成果总体技术处于国际领先水平，代表了我国功率半导体器件行业IG
随着自动化、信息化地不断发展，各行业对电力需求越来越旺盛，对电力保护要求越来越高，模块化UPS作为保障供电稳定性和连续性的重要设备，已广泛应用到各个领域。UPS发展到现在，市场上有着各种各样的机型，其中工频机、高频机、模块化机型是目前UPS市场上最常见的三种机型，本文从基本原理及应用特点介绍这3种机
摘要由于电动马达佔工业大部分的耗电量，工业传动的能源效率成为一大关键挑战。因此，半导体製造商必须花费大量心神，来强化转换器阶段所使用功率元件之效能。意法半导体（ST）最新的碳化硅金属氧化物半导体场效电晶体（SiC MOSFET）技术，为电力切换领域立下全新的效能标准。本文将强调出无论就能源效率、
1 电力电子技术的具体内涵电力电力技术，简单来说，指的是电力发展领域中电力技术的统称。它是由电路以及一系列的电子元件整合而成，其中半导体材料是电力电子元器件中为基本的原材料，且电子学是电路的基础理论。电力电力技术的稳步发展为我国电能源事业的发展提供了必要的条件，它可以通过交流变频器变化控制
1工作原理 电路组成见图1，主要由电压、电流保护及驱动联锁电路，主电源过压保护，电机变频调速IGBT功率模块组成。在输入电路和IGBT驱动模块之间，插入了光电耦合器，使微处理机输出的弱电信号与IGBT驱动模块上施加的300V（Up）直流高压隔离，保护主板与微处理机的安全。为了隔离更彻底，光耦
“株洲又新增两张‘国字号’名片。”9月15日，记者从株洲科技平台建设情况新闻发布会上获悉，在科技部近期公布的第三批75家企业国家重点实验室名单中，湖南省有3家，其中两家在株洲。 我市新增的两家重点实验室，分别为依托中车株洲电力机车有限公司建设的“大功率交流传动电力机车系统集成国家重点实验室”，
12月26日，记者从中车时代电气获悉，由公司牵头完成的“3600A/4500V压接型IGBT及其关键技术”项目，日前通过中国电子学会组织的成果鉴定。通过该项目的实施，公司研制出了世界功率等级最高的压接绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。据悉，这也是我国首次实现压接型IGBT技术的零突破。图片来源于网
摘要：传统硅基MOSFET技术日趋成熟，正在接近性能的理论极限。宽带隙半导体的电、热和机械特性更好，能够提高MOSFET的性能，是一项关注度很高的替代技术。商用硅基功率MOSFET已有近40年的历史，自问世以来，MOSFET和IGBT一直是开关电源的主要功率处理控制组件，被广泛用于电源、电机驱动等电
2015年11月19日，实验室与设备管理处举行了2015年自研自制仪器设备成果认定评审会，专家组共听取了3项成果认定申报项目负责人的汇报，审阅了相关申请材料，经答辩、讨论，最终确定“脉冲喷雾蒸发化学气相沉积系统”、“高压临氢部件氢气循环测试系统”和“大功率IGBT离线测试装置”3项自研自制仪器设
前言SIP系统级芯片封装、POP堆叠芯片组装、IGBT功率半导体模块工艺制程中，需要用到锡膏、焊膏进行精密的焊接制程，自然在焊接后会存留下锡膏和焊膏的助焊剂残留物，为了保证器件和组件的电器功能和可靠性技术要求，须将这些助焊剂残留彻底清除。此类制程非常成熟，也非常有必要。水基清洗在业内得到越来越广泛的
Heraeus Biofuge Stratos型冷冻离心机 内部糊味故障排除郭 剑，高艳艳(军事医学科学院实验仪器厂，北京 100850)在医学研究中，离心机是常用的实验设备，Heraeus Biofuge Stratos型冷冻离心机具有转头自动识
前言全球功率半导体市场风起云涌，行业整合步伐加速。作为电力控制／节能减排核心半导体器件，功率半导体器件广泛应用于从家电、消费电子到新能源汽车、智能电网等诸多领域。随全球半导体产业洗牌大势，近年来功率半导体产业整合步伐急速提升，新能源全产业链势头正旺，IGBT等高端器件迎来需求爆发期。功率器件
近年来，在政策支持和市场需求的双重拉动下，我国集成电路设计产业得到了快速发展。2019年，在全球半导体市场比较低迷的背景下，我国集成电路设计产业仍然保持稳步增长态势。根据中国半导体行业协会设计分会统计数据，2019年我国集成电路销售收入达7,562.3亿元，同比增长15.8%。 为推动我国集成
电力电子智能模块以其高电能变换效率、高可靠性、控制性能好等突出优点，成为电力电子装置及系统的核心元件，广泛应用于新能源发电、数据中心和云计算、工业自动化和节能、航空航天和国防等领域。大功率储能系统是应对突发性灾害提供不间断电源的关键技术，是我国重大工程可靠供电的关键基础设施，其具有可靠性要求高