深度解读：到底什么是IGBT？（一）
电的发现是人类历史的革命，由它产生的动能每天都在源源不断的释放，人对电的需求不亚于人类世界的氧气，如果没有电，人类的文明还会在黑暗中探索。 然而在电力电子里面，最重要的一个元件就是IGBT。没有IGBT就不会有高铁的便捷生活。 一说起IGBT，半导体制造的人都以为不就是一个分立器件(Power Disceret)嘛，都很瞧不上眼。然而他和28nm/16nm集成电路制造一样，是国家“02专项”的重点扶持项目，这玩意是现在目前功率电子器件里技术最先进的产品，已经全面取代了传统的Power mosFET，其应用非常广泛，小到家电、大到飞机、舰船、交通、电网等战略性产业，被称为电力电子行业里的“CPU”，长期以来，该产品(包括芯片)还是被垄断在少数IDM手上(FairChild、Infineon、TOSHIBA)，位居“十二五”期间国家16个重大技术突破专项中的第二位(简称“02专项”)。 究竟IGBT是何......阅读全文
IGBT的检测方法（一）
IGBT有三个电极，分别称为栅极G（也叫控制极或门极）、集电极C（亦称漏极）及发射极E（也称源极）。 一、用指针式万用表对场效应管进行判别 （1）用测电阻法判别结型场效应管的电极 根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨
IGBT的检测方法（三）
注意事项： （1）VMOS管亦分N沟道管与P沟道管，但绝大多数产品属于N沟道管。对于P沟道管，测量时应交换表笔的位置。 （2）有少数VMOS管在G-S之间并有保护二极管，本检测方法中的1、2项不再适用。 （3）目前市场上还有一种VMOS管功率模块，专供交流电机调速器、逆变器使用。例
IGBT的定义和全名
IGBT的全名为：绝缘栅双极晶体管，是一种在新能源汽车上应用极为广泛的半导体。半导体是什么？良好的金属的导电性叫做导体、塑料、陶瓷、木材的导电性差，称为绝缘体。在导体和绝缘体之间，半导体是导电性能。
IGBT的检测方法（二）
二、场效应管的使用注意事项 （1）为了安全使用场效应管，在线路的设计中不能超过管的耗散功率，最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。 （2）各类型场效应管在使用时，都要严格按要求的偏置接人电路中，要遵守场效应管偏置的极性。如结型场效应管栅源漏之间是PN结，N沟道管栅极不能
IGBT的作用是什么？
IGBT主要用于能量转换和传输，广泛应用于新能源汽车、智能电网、航空航天和通讯等领域。
IGBT短路保护电路的设计
固态电源的基本任务是安全、可靠地为负载提供所需的电能。对电子设备而言，电源是其核心部件。负载除要求电源能供应高质量的输出电压外，还对供电系统的可靠性等提出更高的要求。IGBT是一种目前被广泛使用的具有自关断能力的器件，开关频率高，广泛应用于各类固态电源中。但如果控制不当，它很容易损坏。一般认
IGBT的概念和应用特点
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器
IGBT的应用领域介绍
IGBT的应用领域非常广，如工业领域中的变频器，家用电器领域的变频空调、洗衣机、冰箱，轨道交通领域的高铁、地铁、轻轨，军工航天领域的飞机、舰艇以及新能源领域的新能源汽车、风力发电等都有非常广泛的应用。
深度解读：到底什么是IGBT？（四）
2) 阳极短接(SA: Shorted-Anode)：它的结构是N+集电极间歇插入P+集电极，这样N+集电极直接接触场截止层并用作PN二极管的阴极，而P+还继续做它的FS-IGBT的集电极，它具有增强的电流特性且改变了成本结构，因为不需要共封装反并联二极管了。实验证明，它可以提高饱和电流，降
深度解读：到底什么是IGBT？（二）
1)高电压：一般的MOSFET如果Drain的高电压，很容易导致器件击穿，而一般击穿通道就是器件的另外三端(S/G/B)，所以要解决高压问题必须堵死这三端。Gate端只能靠场氧垫在Gate下面隔离与漏的距离(Field-Plate)，而Bulk端的PN结击穿只能靠降低PN结两边的浓度，而
深度解读：到底什么是IGBT？（一）
电的发现是人类历史的革命，由它产生的动能每天都在源源不断的释放，人对电的需求不亚于人类世界的氧气，如果没有电，人类的文明还会在黑暗中探索。 然而在电力电子里面，最重要的一个元件就是IGBT。没有IGBT就不会有高铁的便捷生活。 一说起IGBT，半导体制造的人都以为不就是一个分立器
深度解读：到底什么是IGBT？（三）
另外，这样的结构好处是提高了电流驱动能力，但坏处是当器件关断时，沟道很快关断没有了多子电流，可是Collector(Drain)端这边还继续有少子空穴注入，所以整个器件的电流需要慢慢才能关闭(拖尾电流, tailing current)，影响了器件的关断时间及工作频率。这个可是开
国内最高性能IGBT芯片及模块问世
近日，由中国南车株洲所主持研制的国内最大电压等级、最高功率密度的6500伏高压 IGBT芯片及其模块首次向外界亮相，并通过成果鉴定，刷新了1年前该公司自主研制的3300伏IGBT芯片电压等级和功率密度纪录。鉴定专家一致认为，该项目成果总体技术处于国际领先水平，代表了我国功率半导体器件行业IG
高精度igbt功率模块推拉力测试机
型号：LB：8500L 产品优势：1.采用测试工位自动模式，在软件选择测试工位后，系统自动到达对应工作位。2.三个工作传感器，采用独立采集系统，保证测试精度。3.每项传感器采用独立防碰撞及过力保护系统。4.每项测试工位采用独立安全限位及限速功能。5.人性化的操作界面，人员操作方便。6.高精度传感系
我国研制出世界最大容量压接型IGBT
12月26日，记者从中车时代电气获悉，由公司牵头完成的“3600A/4500V压接型IGBT及其关键技术”项目，日前通过中国电子学会组织的成果鉴定。通过该项目的实施，公司研制出了世界功率等级最高的压接绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。据悉，这也是我国首次实现压接型IGBT技术的零突破。图片来源于网
芯片封装之SIP、POP、IGBT水基清洗工艺技术浅析
前言SIP系统级芯片封装、POP堆叠芯片组装、IGBT功率半导体模块工艺制程中，需要用到锡膏、焊膏进行精密的焊接制程，自然在焊接后会存留下锡膏和焊膏的助焊剂残留物，为了保证器件和组件的电器功能和可靠性技术要求，须将这些助焊剂残留彻底清除。此类制程非常成熟，也非常有必要。水基清洗在业内得到越来越广泛的
基于两级di/dt检测IGBT模块短路策略（一）
为了解决传统VCE在检测大功率绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块的短路故障时存在的问题，在分析了IGBT短路特性的基础上，提出了一种基于两级电流变化率(di/dt)检测IGBT两类短路故障的策略。该策略可以使驱动器更早地采取保护措施，限制IGBT的短路电流和短路功耗，减小关断尖峰电压。基
基于两级di/dt检测IGBT模块短路策略（四）
图5为本文设计的两级di/dt分别检测两类短路的波形。通过观察图5(a)实验波形可知，发生一类短路后开通约2.4 μs时，第二级di/dt已检测出一类短路状态并将短路信号送给前级CPLD，驱动器采取相应的软关断措施将电流最大值限制在3.16 kA，短路持续时间为2 μs，短路损耗
基于两级di/dt检测IGBT模块短路策略（三）
传统使用VCE进行短路检测时，因需兼顾检测一类短路和二类短路的需要，VCE需要较高的阈值，这使得驱动器只能在IGBT退饱和时的VCE快速上升阶段检测到IGBT的短路状态。利用两级di/dt分别检测两类短路，会在VCE检测盲区时间内就检测到两类短路状态。因此，无论是一类短路还是二类短路，利
基于两级di/dt检测IGBT模块短路策略（二）
IGBT发生短路时的电流是额定电流的8~10倍[4]。如果不能够快速地检测到短路故障，同时配合适当的软关断保护措施，IGBT将会被损坏。 2、 两级di/dt检测短路原理 封装后的IGBT模块内部有两个发射极，一个是辅助e极，另一个是功率E极，辅助e极和功率E极之间有一个小于10 n
高压大功率IGBT中标国家智能电网－打破国际技术垄断
作为国家科技重大专项——智能电网高压芯片封装与模块技术研发及产业化项目的中国北车永济电机公司以其研制的3300V IGBT器件产品，日前中标国家智能电网项目，成为我国首个高压大功率IGBT产品批量进入国家电网系统的企业，打破欧美等国家对我国在这一市场领域的技术垄断，加快了国家智能电网“中国芯”国
2024上海.深圳国际精密陶瓷暨IGBT产业链展览会
电子元器件展，电子仪器仪表展，电子仪器仪表展，电子元器件展，电子设备展，电子设备展，电子元器件展览会，电子仪器展，电子仪器展，电仪器展览会，继电器展，电容器展，连接器展，集成电路展2024上海国际电子元器件材料设备展览会地点：上海国际博览中心2024年11月18-20日参展咨询：021-5416 3
「官网」2025深圳13届国际IGBT封装材料展「半导体展会」
「官网」2025深圳13届国际CMP抛光材料展「半导体展会」展会时间：2025年4月9日-11日论坛时间：2025年4月9日-11日举办地点：深圳福田会展中心 (深圳市福田中心区福华三路)展会规模： 面积10万平米，展商1800余家，展位3600多个，观众近10万人次展会报名：136 （李先生）中间
2024上海国际精密陶瓷暨IGBT产业链展览会
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首件国产IGBT芯片通过鉴定－高铁等可配备“中国芯”
9月12日，一名技术人员展示装有IGBT芯片的模块。 中国科技网讯 我国自主研发的高压大功率3300V/50A IGBT(绝缘栅双极型晶体管)芯片及由此芯片封装的大功率1200A/3300V IGBT模块，今天(12日)通过专家鉴定。中国自此有了完全自主的IGBT“中国芯”。 由中国
2024上海半导体材料展「2024中国大型IGBT封装材料博览会」
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
七年发展进程－中国“自主芯”从一片空白跻身世界一流
近日，中国“自主芯”首次进入柔性直流输电领域。这个“自主芯”即是中车株洲所自主生产的IGBT模块。 “短短7年，我们从一片空白跻身世界一流。”谈及IGBT产业的发展，中车株洲所旗下子公司时代电气半导体事业部副总经理刘国友说。 现代机车车辆装备要实现高速和重载，关键是机车要有一个强大的“心脏”
我国大功率电力电子技术研制取得重大突破
6月20日，我国电力电子行业迎来一个具有里程碑意义的时刻。当天上午，在来自电力、交通等领域的多位院士专家见证下，中国南车宣布由其自主设计建造的国内首条、世界第二条8英寸IGBT专业芯片生产线在湖南株洲全面建成并即将投产；同时，一块编号为00001的IGBT芯片被中国科技馆永久收藏。这标志着我国大
冷冻离心机电机驱动板工作原理
1工作原理 电路组成见图1，主要由电压、电流保护及驱动联锁电路，主电源过压保护，电机变频调速IGBT功率模块组成。在输入电路和IGBT驱动模块之间，插入了光电耦合器，使微处理机输出的弱电信号与IGBT驱动模块上施加的300V（Up）直流高压隔离，保护主板与微处理机的安全。为了隔离更彻底，光耦
节能核心技术获国家扶持－功率半导体产业进黄金发展期
据中国半导体行业协会的相关人士透露，有关促进集成电路发展的纲要性文件已草拟完毕，目前正在进行部际协调。上证报资讯获悉，政策扶持的重点将主要集中于集成电路的设计和制造方面，尤其是本土自主核心产业龙头企业，功率半导体将迎来重要战略机遇期和黄金发展期。 功率半导体是节能减排的关键技术和基础技