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近日，中科院上海技术物理研究所王建禄研究员,胡伟达研究员与中科院微电子所刘琦研究员等人合作，设计出一种极陡峭亚阈值摆幅的场效应晶体管，并基于该结构实现了极高灵敏光电探测功能，综合利用了铁电负电容效应、铁电极化诱导局域场效应及“photogating”效应，基于铁电局域静电场和铁电负电容效应的共同作用，实现极高探测率的室温光电探测。 该光电晶体管的工作电压设定为器件在暗态下的阈值电压点，此时栅介质铁电层极化方向向下，铁电局域静电场将MoS2半导体沟道电子耗尽，有效抑制器件暗电流，提高器件信噪比。研究发现在光照下器件转移特性曲线阈值电压点发生左移，如图所示。该现象源于光照多层MoS2吸收光子激发电子-空穴对，其中大量空穴被栅极铁电局域静电场捕获，从而产生强的“photogating”效应。通过综合运用铁电负电容效应实现的极陡峭转移特性（极低亚阈值摆幅）、辅以铁电极化局域强场对半导体沟道背景载流......阅读全文
近日，中科院上海技术物理研究所王建禄研究员,胡伟达研究员与中科院微电子所刘琦研究员等人合作，设计出一种极陡峭亚阈值摆幅的场效应晶体管，并基于该结构实现了极高灵敏光电探测功能，综合利用了铁电负电容效应、铁电极化诱导局域场效应及“photogating”效应，基于铁电局域静电场
中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室胡伟达、王建禄等研究人员在利用铁电聚合物极化对二维半导体带隙调控及其高性能光电探测方面取得新进展。相关成果发表在Advanced Materials（Advanced Materials 27, 6575–6581 (2015)，DOI: 10.
近年来，半导体纳米线因为其准一维的结构特征，在能源、生物、微电子、微机械等众多领域受到广泛的关注。特别是以纳米线作为功能材料的光电器件，如光电探测器、太阳能电池等已经展现出一定的优势。在光电转换的核心要素中，纳米线由于陷光效应可以在低占空比条件下实现高效光吸收，而其中的电子(空穴)迁移率等也逐渐
随着科学技术日新月异的发展，人们对便携化、娱乐化、健康化的可穿戴式电子设备不断追求，促使其相应的柔性传感器件向着高效、低成本、大面积制造等方向发展。近些年，为了实现光电探测器的便携化和可移植化，柔性光电探测器的设计与制备受到了研究人员的广泛关注。柔性光探技术的快速发展对敏感材料的敏感性与柔韧性要
近日，中国科学院上海技术物理研究所研究员黄志明等采用窄禁带半导体成功实现了0.3-3.0 太赫兹的宽波段、高灵敏度、低噪声等效功率和快速响应的太赫兹探测器件，并成功证明了通过光子的波动性产生新型光电效应规律实现高灵敏度太赫兹探测的可行性，该项工作为太赫兹探测技术的突破提供了重要技术途径。 黄志
由无锡中微晶园电子有限公司牵头承担的国家重点研发计划“重大科学仪器设备开发”重点专项“高灵敏硅基雪崩探测器研发及其产业化技术研究”项目经过近两年的努力，突破了低抖动、大光敏面硅单光子探测芯片设计、界面电场调控的离子注入和氧化层制备、低噪声芯片封装等关键技术，开发出硅单光子探测器样机。近日，项目顺
近期，中国科学院上海应用物理研究所研究人员基于界面精确自组装技术实现了质子驱动的DNA纳米泵。相关结果发表于Adv. Mater.（2016,28,DOI: 10.1002/adma.201506407），并被Nature Reviews Materials 杂志作为研究亮点，以Pump fic
由无锡中微晶园电子有限公司牵头承担的国家重点研发计划“重大科学仪器设备开发”重点专项“高灵敏硅基雪崩探测器研发及其产业化技术研究”项目经过近两年的努力，突破了低抖动、大光敏面硅单光子探测芯片设计、界面电场调控的离子注入和氧化层制备、低噪声芯片封装等关键技术，开发出硅单光子探测器样机。近日，项目顺
烷烃是石油、天然气等化石资源的重要组成体，是量大价廉的基础化工原料。随着页岩气大规模发掘和开采，烷烃产量大幅增长。目前烷烃的主要用途是作为燃料，通过燃烧与氧气反应产生能量并释放二氧化碳，使用价值有限；不同于不饱和烃如烯炔和芳香化合物，烷烃在合成化学中的应用鲜有报道。这主要是由烷烃的化学惰性所决定
激光陶瓷材料具有优异的化学、热学、机械和光学性能，被认为是下一代高性能新兴激光增益材料。近期，中国科学院上海光学精密机械研究所激光与红外材料实验室在碱土氟化物激光陶瓷研究方面取得进展。相关成果发表于《美国陶瓷学会会刊》（Journal of the American Ceramic Societ