半导体所等实现晶圆级高质量InAs纳米结构的维度调控
最近，国际期刊《纳米快报》（Nano Letters, DOI: 10.1021/acs.nanolett.8b04561）报道了中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室研究员赵建华团队与合作者在晶圆级高质量InAs纳米结构维度调控方面的最新研究成果。 InAs是一种重要的III-V族窄禁带半导体，具有电子迁移率高、有效质量小及自旋轨道耦合强等特征，是制备高速低功耗电子器件、红外光电子器件及自旋电子器件的理想材料，特别是近年来一维InAs纳米线在拓扑量子计算研究方面的应用也引起了人们的重视。而立式InAs纳米片是典型的二维体系，通过厚度调节，可以实现能带结构从三维到二维的精确控制。二维InAs纳米片优异的物理性质及独特的几何造型，使其成为研制高性能堆叠的纳米片场效应晶体管的重要选择。最近，二维InAs在拓扑量子计算研究中的编织操作及干涉测量方面也展现出美好的前景。然而要实现InAs材料这些应用，需要在InAs制备......阅读全文
半导体所等实现晶圆级高质量InAs纳米结构的维度调控
最近，国际期刊《纳米快报》（Nano Letters, DOI: 10.1021/acs.nanolett.8b04561）报道了中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室研究员赵建华团队与合作者在晶圆级高质量InAs纳米结构维度调控方面的最新研究成果。 InAs是一种重要的III-V
高质量InAs(Sb)/GaSb核壳异质结纳米线阵列外延生长获进展
一维半导体纳米线凭借其优越、独特的电学、光学、力学等特性，在材料、信息与通讯、能源、生物与医学等重要领域展现出广阔的应用前景。尤其是，基于半导体纳米线的晶体管具有尺寸小、理论截止频率高等优点，为未来在微处理器芯片上实现超大规模集成电路开拓了新的方向。在III-V族半导体材料中，InAs具有小的电
半导体所等在纳米线量子点单光子发射研究中获得新发现
半导体自组织InAs量子点因其具有“类原子”特性，是目前量子物理和量子信息器件研究最重要的固态量子结构之一。基于InAs量子点的高品质单光子的发射、读取、操纵、存储以及并行计算等是热点研究方向。而InAs单量子点的可控制备(如精确定位、有序扩展、与光学谐振腔耦合等)是目前面临的挑战性问题。
上海技物所在纳米线红外探测器研究中取得进展
近日，中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室研究员胡伟达、陈效双、陆卫课题组在新型纳米线红外光电探测器研究中取得进展。该实验室相关研究人员在已有的窄禁带InAs纳米线反常光电响应研究基础上，进一步利用该反常效应提出基于可见光诱导Photogating辅助的单根纳米线红外响应机理，并成
《纳米快报》：一维半导体纳米结构光子学
在基金委青年基金、纳米重点项目和国家纳米测试基金及973课题的支持下，湖南大学纳米技术研究中心潘安练、邹炳锁教授等团队成员和北京大学、国家纳米中心以及德国马普研究所合作，在一维半导体纳米结构光子学的研究上取得了重大突破：首次正式提出了半导体一维纳米结构中光子输运的概念，建立光传播的理论模型，并在实验
中科院实现硅基异质集成的片上量子点发光
近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所硅光课题组研究员武爱民团队/龚谦团队与浙江大学副教授金毅课题组合作，在硅基衬底上研制出超小尺寸的包含InAs量子点的纳米共振结构，基于准BIC原理实现了O波段的片上发光。7月28日，相关研究成果以Heterogeneously integrated quan
半导体所在锑化物纳米线研究中取得系列进展
III-V族半导体纳米线凭借其独特的准一维结构和物理特性在纳米晶体管、纳米传感器和纳米光电探测器等方面有着重要潜在应用，是当前国际研究的热点。特别是，三元合金InAsSb纳米线除了具有超高的载流子迁移率和极小的有效质量外，其可调的带隙以及电、光学性能使其成为红外探测器的理想材料。目前，国际上广泛
苏州纳米所阵列无机半导体纳米结构研究获系列进展
无机半导体纳米结构电极在太阳能电池、光解水及能量存储等器件中有着非常广泛的应用。电极的比表面积以及电荷输运能力是决定这些器件性能的关键因素。最近，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员封心建课题组在高性能无机半导体纳米电极的研究中取得了系列新进展。 电极材料的微观结构对其电学性能有着重要
“纳米画笔”勾勒未来低维半导体器件
如今人们的生活节奏在加快，对电子设备的要求也越来越高。各种新款电子设备都在变着法子表明自己功能更强大、体型更轻薄。然而，电子设备的功能越丰富、性能越强大，意味着这些设备单位体积中容纳的电子元件数目越多；体型越小意味着这些电子元件功能单元的体积越来越小。 就像我们每天都使用的手机，它的中央处理
III-V族纳米线材料为新一代芯片赋予光学特性
IBM苏黎世研究实验室(IBM Research of Zurich)开发出一种尺寸极其微小的纳米线，具有一般标准材料所没有的光学特性，从而为开发出基于半导体纳米线的“新一代晶体管”电路研究而铺路。 该研究实验室与挪威科技大学(Norwegian University of Science