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牛总部设在美国马里兰州银泉的TDI是世界领先的发展生产新型化合物半导体，如GaN，AlN，AlGaN ，InN和InGaN的氢化物气相外延( HVPE )工艺和技术的公司。 这些材料被用于各种应用，最主要的是固态照明，短波长光电子和射频功率电子。 TDI生产的氮化物模板 氢化物气相外延 在HVPE工艺过程中，III族氮化物(如GaN，AlN)是由热的气态金属氯化物(如GaCl或AlCl)与氨气(NH3) (参照如下公式)反应形成的 。 金属氯化物是热的HCl气体通过热的III族金属产生的。 所有反应都是在温度控制的石英炉内进行的。 如，热 HCl (气) + Ga (液) ------> GaCl (气) GaCl (气) + NH3 (气) -------> GaN (固) + HCl (气) + H2 (气) GaN或AlN模板被生长在诸如SiC或蓝宝石的衬底上......阅读全文
TDI，牛津仪器的全资子公司，在氢化物气相外延（HVPE）新型化合物半导体，如GaN、AlN、AlGaN、InN、InGaN等方面处于世界领先地位，刚与FOX集团签订了许可协议。这项协议是收购FOX集团知识产权，牛津仪器可以直接提供LED的硬件和流程和P型掺杂物，除此之外还提供III-V族氮化物
日本SCIOCS有限公司和法政大学曾报导了在氮化镓（GaN）中利用光电化学（PEC）蚀刻深层高纵横比沟槽的进展［Fumimasa Horikiri et al， Appl． Phys． Express， vol11， p091001， 2018］。 该团队希望该技术能够在
牛津仪器欣喜地收到Ostendo信息技术有限公司的订单：在工业领先的PlasmaPro System100 PECVD反应沉积和PlasmaPro System100 ICP备蚀刻设备。Ostendo将多晶圆批量设备用在以显示技术为基础的下一代固态照明的发展(SSL)，还有商业和消费市场的产品方
2015年11月19日，实验室与设备管理处举行了2015年自研自制仪器设备成果认定评审会，专家组共听取了3项成果认定申报项目负责人的汇报，审阅了相关申请材料，经答辩、讨论，最终确定“脉冲喷雾蒸发化学气相沉积系统”、“高压临氢部件氢气循环测试系统”和“大功率IGBT离线测试装置”3项自研自制仪器设
中华人民共和国国家标准批准发布公告 Announcement of Newly Approved National Standards of P.R.China 2009年第12号(总第152号) 2009年11月4日，国家质量监督检验检疫总局批准271项国家标准，现予以公布，