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CMP（Chemical Mechanical Polishing，化学机械抛光）是机械削磨和化学腐蚀的组合技术，它借助超微粒子的研磨作用以及浆料的化学腐蚀作用在被研磨的介质表面（如单晶硅片、集成电路上氧化物薄膜、金属薄膜等）上形成光洁的平面，它克服了传统的化学抛光所具有的抛光速度慢、容易导致抛光雾斑以及机械抛光所具有的易产生机械损伤、抛光精度低的缺点，并且可以根据需要对抛光的要素进行适当的控制，现已成为半导体加工行业的主导技术。 图1是一种CMP设备简图。其基本组成部件是一个转动着的圆盘和一个圆晶片固定装置，两者都可施力于圆晶片并使其旋转，在研浆的帮助下完成抛光，研浆供应系统可以保证抛光垫的润湿程度均匀，适当供应新的研浆保证其成分不变。 &nb......阅读全文
CMP（Chemical Mechanical Polishing，化学机械抛光）是机械削磨和化学腐蚀的组合技术，它借助超微粒子的研磨作用以及浆料的化学腐蚀作用在被研磨的介质表面（如单晶硅片、集成电路上氧化物薄膜、金属薄膜等）上形成光洁的平面，它克服了传统的化学抛光所具有的抛光速度慢、容易导致抛
化学机械抛光（英语：Chemical-Mechanical Polishing，缩写CMP），又称化学机械平坦化（英语：Chemical-Mechanical Planarization），是半导体器件制造工艺中的一种技术，用来对正在加工中的硅片或其它衬底材料进行平坦化处理。 CMP工艺的基本
初半导体基片大多采用机械抛光的平整方法,但得到的表面损伤极其严重，基于淀积技术的选择淀积、溅射玻璃SOG(spin-on-glass)、低压CV D(chemicalvaporde-posit)、等离子体增强CVD、偏压溅射和属于结构的溅射后回腐蚀、热回流、淀积-腐蚀-淀积等方法也曾在IC工艺中
化学机械研磨/ 化学机械抛光（ CMP ， Chemical MechanicalPlanarization）是集成电路制造过程中实现晶圆表面平坦化的关键工艺。与传统的纯机械或纯化学的抛光方法不同，CMP 工艺是通过表面化学作用和机械研磨的技术结合来实现晶圆表面微米/纳米级不同材料的去除，从而达
有机硅橡胶的性能优越，在航天航空、电子电气、汽车制造、医疗、整容、婴儿用品等领域广泛应用。近年来，随着科学技术的迅速发展，硅橡胶的应用领域进一步扩大，对高硬度硅橡胶的需求与日俱增。目前市售的硅橡胶硬度只有70，远远不能满足使用的要求。随着硅橡胶硬度的增加，硅橡胶的力学性能、耐热性能下降，当硅橡胶的硬
二氧化硅的测定方法有多种，下面逐一将不同方法作简单介绍。1 挥散法若某个试样中二氧化硅的含量在98%以上，应用氢氟酸挥发重量差减法（即挥散法）来测定SiO2含量。具体测定步骤如下：将铂坩埚中测定过烧失量的试样，用少量水润湿，加入4～5滴硫酸及5～7mL氢氟酸，放在电炉上低温加热，挥发至近干时，取下放
有机硅橡胶的性能优越，在航天航空、电子电气、汽车制造、医疗、整容、婴儿用品等领域广泛应用。近年来，随着科学技术的迅速发展，硅橡胶的应用领域进一步扩大，对高硬度硅橡胶的需求与日俱增。目前市售的硅橡胶硬度只有70，远远不能满足使用的要求。随着硅橡胶硬度的增加，硅橡胶的力学性能、耐热性能下降，
硅钼黄分光光度法 1.主要内容本标准规定了用硅钼黄分光光度法测定水中可溶性二氧化硅。适用于天然水样分析，也用于一般环境水样分析。适用的浓度范围为0.04~20mg/L。本方法二氧化硅最小检出浓度为0.04mg/L，检出上限为25mg/L。1.1干扰及消除1.1.1色度干扰测定，可以采用补偿法予以消除
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溶胶-凝胶工艺经常用于制备介孔材料，介孔材料由于具有特殊的性能已经应用于多各行业，例如建筑、绝缘材料、特殊玻璃或陶瓷等。它们的制备通常需要两步工艺：步聚合形成凝胶（添加引发剂），第二步干燥凝胶获得硬质材料。 在步中，配方（引发剂浓度、单体性质）和凝胶过程（温度条件）决定了最终的凝胶性质