WIKI资讯
WIKI资讯
14nm 继续FinFET。下面是英特尔的14nm晶体管的SEM横截面图，大家感受一下，fin的宽度平均只有9nm。当然，在所有后代的技术节点中，前代的技术也是继续整合采用的。所以现在，在业界和研究界，一般听到的晶体管，都被称作high-k/metal gate Ge-strained 14 nm FinFET，整合了多年的技术精华。而在学术界，近些年陆续搞出了各种异想天开的新设计，比如隧穿晶体管，负电容效应晶体管，碳纳米管，等等。所有这些设计，基本是4个方向：材料、机理、工艺、结构。而所有的设计方案，其实可以用一条简单的思路概括，就是前面提到的那个SS值的决定公式，里面有两项相乘组成:因此，要么改善晶体管的静电物理(electrostatics)，这是其中一项，要么改善沟道的输运性质(transport)，这是另一项。而晶体管设计里面，除了考虑开关性能之外，还需要考虑另一个性能，就是饱和电流问题。很多人对这个问题有误解......阅读全文
14nm 继续FinFET。下面是英特尔的14nm晶体管的SEM横截面图，大家感受一下，fin的宽度平均只有9nm。当然，在所有后代的技术节点中，前代的技术也是继续整合采用的。所以现在，在业界和研究界，一般听到的晶体管，都被称作high-k/metal gate Ge-strained 14
第二个问题，为什么现在的技术节点不再直接反应晶体管的尺寸呢？原因也很简单，因为无法做到这个程度的缩小了。有三个主要原因：首先，原子尺度的计量单位是埃，为0.1nm。10nm的沟道长度，也就只有不到100个硅原子而已。未来晶体管物理模型是这样的：用量子力学的能带论计算电子的分布，但是用经典的电
半导体制造工艺节点是如何演进的？晶体管的架构是怎样发展成如今模样的？下面告诉你...半导体制造的工艺节点，涉及到多方面的问题，如制造工艺和设备，晶体管的架构、材料等。下面，我们就具体介绍并分析一下，供大家参考。首先，技术节点是什么意思呢？常听说的，诸如，台积电16nm工艺的Nvidia GP
第三个问题，技术节点的缩小过程中，晶体管的设计是怎样发展的。首先要搞清楚，晶体管设计的思路是什么。主要的无非两点：第一提升开关响应度，第二降低漏电流。为了讲清楚这个问题，最好的方法是看图。晶体管物理的图，基本上搞清楚一张就足够了，就是漏电流-栅电压的关系图，比如下面这种：横轴代表栅电压，纵轴
有朋友补充说，这种金属是钨，我查阅到资料也提到是钨；钨本身也用在后端的via中； 但是在这个问题上我有些保留，主要原因是4点：第一， 我自己上课的时候，有多位教授都明确提到过，关于这个metal gate的资料外界知之甚少，至少他们自己不知道，或因为某种原因而不愿意说；第二，从原理上说，对于
自动化测试设备（ATE，Automatic Test Equipment）是一种通过计算机控制进行器件、电路板和子系统等测试的设备。通过计算机编程取代人工劳动，自动化的完成测试序列。自动化测试设备（ATE）已是全球半导体设备产业之中的重要组成部分。 自动化测试设备（ATE）的应用场合涵盖集成电
CSS3 渐变使您能够是你的背景颜色在两个或多个颜色之间平滑过渡。早些时候，你必须使用图像实现这些效果。 然而， 通过使用CSS3渐变可以减少下载时间和带宽的使用． 此外，缩放的元素在缩放时看起来更好，因为渐变是由浏览器生成的。一、浏览器支持表中的数字指定完全支持该属性的第一个浏览器版本。（来源于百
物联网的快速发展对无线通信技术提出了更高的要求，专为低带宽、低功耗、远距离、大量连接的物联网应用而设计的LPWAN（low-power Wide-Area Network，低功耗广域网）也快速兴起。NB-IoT与LoRa是其中的典型代表，也是最有发展前景的两个低功耗广域网通信技术
电子元件知识——电阻器 电阻：导电体对电流的阻碍作用称为电阻，用符号R表示，单位为欧姆、千欧、兆欧，分别用Ω、KΩ、MΩ表示。 电阻的型号命名方法：国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻） ①主称 ②材料 ③分类 ④序号 电阻器的分类： ①线绕电阻器 ②薄膜电阻器：碳膜电阻器、合成
一、居中1． 居中对齐元素将块元素水平居中对齐（像 ＜div＞） ， 使用 margin： auto；设置元素的宽度将阻止它伸展到容器的边缘。然后元素将占用指定的宽度，剩下的空间将平分在两个边距之间：这个div是居中的。．center ｛ margin： auto； &nb