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在俄歇电子能谱(AES)仪超高真空分析室中利用氩离子溅射沉积方法将Al沉积在U基体上。对不同Al沉积量的铀表面实时采集AES和低能电子损失谱(EELS),以研究沉积Al原子与U表面原子间的相互作用以及Al膜的生长过程。将实验样品进行退火处理后进行深度剖析。研究结果表明:Al沉积在U基体上是以岛状方式生长的;室温下,沉积Al原子与U表面原子间存在界面作用,两者在界面处相互扩散形成了合金相。退火促使界面扩散速率增大,界面结合力增强,并有可能形成化合物UAlx。 ......阅读全文
在俄歇电子能谱(AES)仪超高真空分析室中利用氩离子溅射沉积方法将Al沉积在U基体上。对不同Al沉积量的铀表面实时采集AES和低能电子损失谱(EELS),以研究沉积Al原子与U表面原子间的相互作用以及Al膜的生长过程。将实验样品进行退火处理后进行深度剖析。研究结果表明:Al沉积在U基体上是以岛状方
本论文主要利用表面分析技术俄歇电子能谱（AES）较系统的研究了铝薄膜在铀基体上的生长行为特征以及膜基界面反应,并采用密度泛函方法,模拟计算了铝原子在金属铀和UO2（001）面上的吸附能,对实验结果从理论上进行了合理的解释和推论。主要研究结果有: 1) 室温下,在金属铀表面逐步沉积铝原子的过程中,沉
在俄歇电子能谱仪超高真空室内,采用离子束溅射沉积方法在多晶Cu上沉积了铀薄膜,采用俄歇电子能谱技术(AES)研究铀薄膜的生长方式,铀、铜的相互作用及退火引起U膜成分结构变化。沉积初期观察到铀与铜发生相互作用,随着铀薄膜厚度的增加,UOPV/CuLMM俄歇跃迁峰强度值变化说明铀薄膜为层状+岛状生长。
室温下在俄歇电子能谱(AES)分析仪超高真空室中,通入适量O2,促使基底U表面氧化,生成UO2,然后利用Ar+枪溅射铝箔,使铝沉积在UO2表面形成Al薄膜。沉积过程中实时采集UO2表面的AES谱和低能电子损失谱(EELS),原位分析铝薄膜在UO2表面的生长过程和膜间界面反应。研究表明,室温下,UO
由于贫铀特有的化学性质,其表面在大气中始终存在一层影响界面结合的氧化层。为了增强薄膜与铀基体之间的有效结合,需要采用先进的辉光放电技术对铀基体进行薄膜沉积前的原位清洗。铀样品经金相砂纸逐级打磨并抛光,将样品放入俄歇电子能谱仪(AES)预制室,充入Ar气进行辉光放电清洗,清洗后用俄歇电子能谱仪对表面
主要利用俄歇电子能谱(AES)原位分析了室温下铀与UO2表面铝薄膜的生长行为。在俄歇电子能谱仪超高真空室中,利用Ar+枪溅射铝靶,使其沉积到铀基体上,然后利用电子枪适时采集表面俄歇电子能谱, 原位分析铝薄膜的生长过程。在UO2表面沉积铝膜时,先往真空室中充入氧气,将清洁铀表面氧化成UO2, 然后再
金属铀在核燃料领域有着非常重要的应用,然而由于铀拥有特殊的外层电子,因此性质非常活泼,极易遭受腐蚀,铀的使用过程中必须考虑腐蚀防护。通过物理气相沉积的方法在铀表面制备防腐蚀薄膜是一种有效地防腐蚀手段,但是实际工艺中,铀易氧化的特性使得膜基界面形成氧化层,影响长期应用中的膜基结合力。本文采用离子氮化
中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家（联合）实验室固体原子像研究部研究员马秀良、朱银莲，博士刘颖、博士生李爽近来在铁电薄膜异质界面和同质界面的可控生长、调控以及微观结构性能方面获得系列新进展。 铁电材料由于丰富的物理性能和在铁电器件领域广泛的应用前景得到研究人员的广泛关注。由于电子器件小
通过正确测定和解释AES的特征能量、强度、峰位移、谱线形状和宽度等信息，能直接或间接地获得固体表面的组成、浓度、化学状态等多种情报。定性分析定性分析主要是利用俄歇电子的特征能量值来确定固体表面的元素组成。能量的确定在积分谱中是指扣除背底后谱峰的最大值，在微分谱中通常规定负峰对应的能量值。习惯上用微分
镁合金在汽车、电子以及航空航天工业上的应用日益广泛,但较差的耐蚀性限制了其在这些领域的推广应用。气相沉积技术作为一种绿色防腐技术正开始受到镁合金表面处理工作者的关注。本文采用磁控溅射、离子注入等现代化技术手段在AZ31镁合金表面制备了多种防护性膜层,利用场发射扫描电镜（FESEM）、原子力显微镜（