电池技术术语记忆效应
如果电池属镍镉电池，长期不彻底充、放电，会在电池内留下痕迹，降低电 池容量，这种现象被称为电池记忆效应。......阅读全文
电池技术术语--记忆效应
如果电池属镍镉电池，长期不彻底充、放电，会在电池内留下痕迹，降低电 池容量，这种现象被称为电池记忆效应。
电池技术术语--消除记忆
方法是把电池完全放电，然后重新充满。放电可利用放电器或具有放电功能的充电器，也可以利用手机待机备用模式，如要加速放电可把显示屏及电话按键的照明灯打 开。要确保电池能重新充满，应依照说明书的指示来控制时间，重复充、放电两至三次。
电池技术术语--电池储存
锂电池可贮存在环境温度为-5°C—35°C，相对湿度不大于75%的清洁、干燥、通风的室内，应避免与腐蚀性物质接触，远离火源及热源。电池电量保持标称容量的30%到50%。推荐贮存的电池每6个月充电一次。
电池技术术语--正常充电
不同电池各有特性，用户必须依照厂商说明书指示的方法进行充电。在待机备用状态下，电话也要耗费电池，如果要进行快速充电，宜先将手机关闭或把电池拆下进行充电。
电池技术术语--快速充电
有些自动化的智能型快速充电器当指示灯信号转变时，只表示充满了90%，充电器会自动改用慢速充电将电池完全充满。用户最好将电池完全充满后使用，否则会缩短使用时间。
铅酸蓄电池的记忆效应的优势
1.熟练的和稳定的铅酸蓄电池比锂离子电池更复杂，特别是胶体铅酸蓄电池，它的保护成本更低，而且具有很高的回收价值，没有爆炸或火灾的风险。2.便宜的价格，广泛的规模我国是世界上铅酸蓄电池销量最大的国家。近5亿人正在使用铅酸蓄电池。所有的电池都比较容易买到，更换也比较方便，但是锂离子电池要找正规的厂家或者
手机锂电池的认识记忆效应介绍
电池记忆效应是指电池的可逆失效，即电池失效后可重新恢复的性能。记忆效应是指电池长时间经受特定的工作循环后，自动保持这一特定的倾向。这个最早定义在镍镉电池，镍镉的袋式电池不存在记忆效应，烧结式电池有记忆效应.而镍金属氢(俗称镍氢)电池不受这个记忆效应定义的约束。 因为现代镍镉电池工艺的改进，上述
简述磷酸铁锂电池无记忆效应的性质
锂动力电池的性能主要取决于正负极材料，磷酸铁锂作为锂电池材料是近几年才出现的事，国内开发出大容量磷酸铁锂电池是2005年7月。其安全性能与循环寿命是其它材料所无法相比的，这些也正是动力电池最重要的技术指标。1C充放循环寿命达2000次。单节电池过充电压30V不燃烧，穿刺不爆炸。磷酸铁锂正极材料做
新颖凝固技术制备具有弹热效应的形状记忆合金
相比于传统气体压缩制冷，固态制冷以其在节约能源与保护环境方面的独特优势成为最近十几年来的研究热点。基于可逆马氏体相变材料在外加力的激励作用下的弹热效应制冷非常具有应用潜力。弹热效应的温变大小、临界应力、相变滞后、疲劳特性等关键性能指标，不仅依赖于相变熵和化学键强度等材料内秉属性，也与材料的微观缺
液相色谱法术语概念--管壁效应
管壁效应（ wall effect）组分在流动相内移动的过程中，由于色谱柱中央和边缘部分的流速不一致所产生的径向扩散对柱效的影响。
液相色谱法术语概念--间隔臂效应
间隔臂效应（ spacer arm effect）配位体与基体之间连接的间隔臂分子的间隔长度对配位体与大分子之间的亲和力所产生的影响。
细胞生物学术语--Rab效应子
中文名称Rab效应子英文名称Rab effector定 义能与Rab蛋白特异结合的蛋白质。与Rab蛋白一起参与运输小泡到靶膜的停靠过程。应用学科细胞生物学（一级学科），细胞生理（二级学科）
细胞生物学术语--Rab效应子
中文名称Rab效应子英文名称Rab effector定 义能与Rab蛋白特异结合的蛋白质。与Rab蛋白一起参与运输小泡到靶膜的停靠过程。应用学科细胞生物学（一级学科），细胞生理（二级学科）
液相色谱法术语概念--柱外效应
柱外效应（ extra-column effect）从进样系统到检测器之间色谱柱以外的流路部分，由进样方式、扩散等因素对柱效产生的影响。
质谱分析法术语--基体效应
基体效应（matrix effects）试样的基本化学组成和物理化学状态的变化对待测元素定量分析结果所造成的影响。基体效应包括改变被测元素的蒸发特性，元素分子的不完全解离，已原子化的原子重新复合，被测元素以分子形式逃逸测量区，以及大量基体分子存在造成的散射及对分析谱线的吸收等影响。
测量高浓度样品后容易引发记忆效应
不知道诸位有没有发现：在测量高浓度样品后容易引发记忆效应，就是在下一次测量时的数值仍然很高，有的文献中说可以采用5%的硝酸做载流进行清洗，而不用纯水，这样有利于防止交叉污染，不知道大家都是怎么样处理这样的问题 1. 在做完高浓度的样品后（或配完标准浓度后）用2－5％的盐酸清洗一下就可以了，有程序的
杂交技术相关术语
雄性不育系是一种雄性退化（主要是花粉退化）但雌蕊正常的母水稻，由于花粉无力生活，不能自花授粉结实，只有依靠外来花粉才能受精结实。因此，借助这种母水稻作为遗传工具，通过人工辅助授粉的办法，就能大量生产杂交种子。保持系是一种正常的水稻品种，它的特殊功能是用它的花粉授给不育系后，所产生后代，仍然是雄性不育
微流控芯片技术在细胞趋化性和记忆效应研究中获进展
近期，中国科学院合肥物质科学研究院应用技术研究所研究员刘勇课题组与加拿大曼尼托巴大学教授 Francis Lin 课题组合作，基于微流控芯片技术在细胞趋化性和记忆效应研究中取得新进展，相关成果以封底文章形式发表在 Integrative Biology 杂志上（2017， DOI：10.1039
引入应变记忆效应的双场激励磁制冷
随着人民生活水平的提高，制冷需求量急剧上涨，导致用于制冷的能耗大幅增加。传统气体压缩制冷技术使用的工质破坏大气臭氧层，加剧全球变暖。全球气候巴黎公约颁布以来，寻找一种替代传统气体压缩制冷的技术成为人们的迫切需求。基于磁热效应的固态制冷技术具有节能环保的特点，有望成为传统气体压缩制冷的替代技术。其
数控技术常用术语
1）计算机数值控制 （Computerized Numerical Control, CNC） 用计算机控制加工功能，实现数值控制。2）轴（Axis）机床的部件可以沿着其作直线移动或回转运动的基准方向。3）机床坐标系（ Machine Coordinate Systern ）固定于机床上，以机床零点
电子天平--技术术语
电子天平可读性： 天平的可读性是指可在显示屏上读取的两个称量值的zui小差别。当使用数字显示屏时，这是指zui小的数值增量，又称为“分度值”。提示:“变量程(DeltaRange)”与“双量程(DualRange)”天平具有两种不同类型的可读性，具有较高的性价比。电子天平准确度： 测试结果是否可
自动进样器如何消除样品的记忆效应
在气相色谱分析中，记忆效应是指当前分析的色谱图上有的峰是来自前次分析的样品。记忆效应的存在，会导致出现不正确的色谱峰，影响分析结果的性。本文自动进样器厂家克莱克特就来说说如何消除样品的记忆效应。一般来说，自动进样器可以通过执行溶剂洗针、样品洗针以及样品抽取（上下推拉针芯）来控制消除样品的记忆效应。这
研究揭示光学记忆效应本质是空间平移不变性
中科院上海光学精密机械研究所量子光学重点实验室与加州理工学院教授汪立宏合作，揭示了光学记忆效应本质就是空间平移不变性，从微观过程描述了不同散射成分对记忆效应的贡献。相关论文近日发表于《光子学研究》。 透过散射介质成像是从生物医学到大气光学广泛研究的课题，而散斑自相关成像因其简单、快速、无损等特
电子天平的技术术语
电子天平可读性 天平的可读性是指可在显示屏上读取的两个称量值的zui小差别。当使用数字显示屏时，这是指zui小的数值又称为“分度值”。提示:“变量程(DeltaRange)”与“双量程(DualRange)”天平具有两种不同类型的可读性，具有较高的性价比。电子天平准确度 测试结果是否可修正或近似
微量天平的技术术语（二）
线性(非线性)线性表示天平在遵循加载量m与显示值W(示值误差)之间线性关系方面的能力。在这里，假定理想曲线为一条位于零与最大载荷之间的直线(请见：示值误差)。相反，非线性定义称量值与理想曲线出现正负偏差所在频带的宽度。例如：对于梅特勒-托利多超越系列XP分析天平XP205DR而言，在200g的整个称
热敏电阻技术术语相关介绍
1. 居里点 “POSISTOR®”在达到某一温度前，电阻值是恒定的，一旦超过这一温度，电阻值也会急剧上升。这一电阻值的变化点成为“居里点 (也称为居里温度) ”，村田制作对其的定义是25℃时电阻值的2倍电阻值所处的温度。 2. 温度补偿 是由温度变化导致仪器、测量器等产生误差，经过特别设
微量天平的技术术语（一）
可读性天平的可读性是指可在显示屏上读取的两个称量值的最小差别。当使用数字显示屏时，这是指最小的数值增量，又称为“分度值”。提示: “变量程(DeltaRange)”与“双量程(DualRange)”天平具有两种不同类型的可读性，具有较高的性价比。准确度测试结果是否可修正或近似参考值的程度的定义，依照
上海光机所等在光学记忆效应范围扩大成像研究获进展
近期，中国科学院上海光学精密机械研究所量子光学重点实验室散射成像课题组与香港理工大学合作，提出利用空间滤波扩展记忆效应范围进而增大散斑自相关成像技术的成像视场新方案。相关论文在线发表于[Optics Letters 44, 5997(2019)]。 作为新兴的透过散射介质成像方法，散斑自相关成
光磁电效应的技术原理
光磁电效应，为1931年提出的一条物理学理论，即在垂直光照方向上（z向）再加一磁场，则在半导体的两侧端面间产生电位差，称为光磁电效应。光磁电效应的机制是光照射到半导体表面后生成非平衡载流子的浓度梯度，使载流子产生定向扩散速度，磁场作用在载流子上的洛仑兹力使正负载流子分离，形成端面电荷累积的电位差和横
光磁电效应的技术原理
光磁电效应，为1931年提出的一条物理学理论，即在垂直光照方向上（z向）再加一磁场，则在半导体的两侧端面间产生电位差，称为光磁电效应。光磁电效应的机制是光照射到半导体表面后生成非平衡载流子的浓度梯度，使载流子产生定向扩散速度，磁场作用在载流子上的洛仑兹力使正负载流子分离，形成端面电荷累积的电位差和横