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中科院副院长高鸿钧:为高水平科技创新提供有力支撑

创新是引领发展的第一动力。今年《政府工作报告》再次对加强科技创新作出部署,明确提出依靠创新提高发展质量,提升科技创新能力,强化国家战略科技力量。 实现高水平科技自立自强的征程上,中国科学院作为国家战略科技力量主力军,将聚焦哪些重点领域开展科研攻关?如何更好营造良好创新环境激发创新活力?对此,中国科学院副院长、中国科学院院士高鸿钧接受了新华社记者专访。 聚焦“四个面向” 重磅成果持续产出 记者:2021年,中科院主要取得了哪些重大科技进展? 高鸿钧:一年来,中科院聚焦主责主业,围绕“四个面向”,推出了一系列新举措,取得了一批重大创新成果,实现了“十四五”良好开局。 面向国家重大需求方面,为载人航天、探月工程和火星探测等重大工程提供关键支撑,成功发射全球首颗可持续发展目标监测科学卫星。“海斗一号”全海深无人潜水器跨入万米科考应用新阶段。自主研制无液氦稀释制冷机实现10mK以下极低温等。 面向世界科技前沿方面,“人造太......阅读全文

中科院副院长高鸿钧:为高水平科技创新提供有力支撑

  创新是引领发展的第一动力。今年《政府工作报告》再次对加强科技创新作出部署,明确提出依靠创新提高发展质量,提升科技创新能力,强化国家战略科技力量。  实现高水平科技自立自强的征程上,中国科学院作为国家战略科技力量主力军,将聚焦哪些重点领域开展科研攻关?如何更好营造良好创新环境激发创新活力?对此,中

中科院物理所高鸿钧院士当选德国国家科学院院士

  据中科院物理研究所5月10日消息,中国科学院院士高鸿钧近日当选德国国家科学院院士。高鸿钧  高鸿钧是中国科学院物理研究所研究员/中国科学院大学物理科学学院教授、中国科学院院士和第三世界科学院院士。主要从事低维量子结构和物性调控及其原理性应用的研究,获得了一系列居国际前沿和国际领先水平的成果。  

高鸿钧院士:基础研究“长期亏空”状况待改

  全国政协十二届三次会议第三次全体会议3月10日召开。中国科学院大学副校长、中科院院士高鸿钧作大会发言时指出,实施《关于深化中央财政科技计划(专项、基金等)管理改革的方案》(以下简称《方案》),应进一步增强基础研究在创新驱动中的核心引领作用。   最近,国务院印发了该《方案》,同时对财政科

高鸿钧:让科学家安下心来潜心科研

5月30日,中国科学院高鸿钧院士以“原子尺度上‘小分子机器’在固体表面的构筑与物性调控”项目获陈嘉庚数理科学奖。 “民族强科技必须要强,我们很高兴在这样一个大好形势下面,国家高度重视,我们能开展相应的科技创新方面的工作。”高鸿钧说。 作为一名科学家的同时,高鸿钧还有着另外一个身份:中科院前沿科

高鸿钧研究员当选国际纳米科学委员会主席

  日前,在国际纳米科学委员会的选举中,中科院物理研究所研究员当选为主席。    国际纳米科学委员会隶属于国际真空科学、技术与应用联合会(IUVSTA)。今年,由该联合会组织的第十八届国际真空大会于八月底在北京成功举办,诺贝尔奖获得者H. Rohrer等多学科领域的一大批国际顶尖

高鸿钧团队利用STM实现石墨烯纳米结构原子级的可控折叠

  探索新型低维碳纳米材料及其新奇物性一直是当今科技领域的前沿科学问题之一。二维的石墨烯晶格结构被认为是其他众多的碳纳米结构的母体材料。例如,将石墨烯结构沿着某一方向卷曲可以形成一维的碳纳米管,将具有五元环和七元环石墨烯结构弯曲成球型结构即可形成富勒烯。石墨烯在未来纳米学器件的应用,需要构筑具有三维

PRL-高鸿钧谢心澄等-单分子自旋态量子调控研究

量子调控研究是国家中长期科技发展战略规划的重要内容。近日,中科院物理所纳米物理与器件实验室高鸿钧研究组与谢心澄研究员及英国利物浦大学Werner A. Hofer教授合作在单分子自旋态的量子调控研究中取得新进展。他们发现在酞菁铁分子Kondo效应中由于分子中心铁原子在金属表面的吸附位置不同对Kond

高鸿钧在塔吉克斯坦参加国际科学院协会委员会会议

  9月18日至23日,中国科学院副秘书长高鸿钧访问塔吉克斯坦,代表中科院出席国际科学院协会(IAAS)第三十二次委员会会议并访问相关机构。   中科院是IAAS正式成员,IAAS委员会会议是其决策机制。俄罗斯科学院院长谢尔盖耶夫、白俄罗斯科学院院长古萨科夫、吉尔吉斯斯坦科学院院长朱马塔耶夫、波

中科院:率先建成国家高水平科技智库

  学以致用,千余件真知灼见出思想;   谋者治国,六十载科技诤言建国是。   就在一个月前,中共中央总书记、国家主席、中央军委主席习近平考察中国科学院,对中科院提出了“率先建成国家高水平科技智库”的殷切希望。这不仅是沉甸甸的责任,更是对科技国家队的充分信任。   此刻,当我们翻开共和国长长的

高鸿钧团队在二维原子晶体VTe2的近藤效应研究中获进展

  近藤效应来源于非磁金属中微量的磁性杂质散射。由于非磁性主体的传导电子与磁性杂质的局域磁矩相互作用,电阻率在低温下出现极小值。磁性杂质对电阻的贡献与温度成对数关系:Δρ = –clnT,其中T是温度,c是取决于主体金属及磁性杂质的种类和浓度的参数。当温度低于特征温度——近藤温度TK时,磁性杂质的自