高功率密度电子器件的制备与性能调控研究”项目启动
国家重点研发计划项目“高功率密度基板材料的制备与性能调控研究”启动会在上海召开。国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项“高功率密度电子器件基板材料的制备与性能调控研究”由中国科学院合肥物质科学研究院牵头，中科院深圳先进技术研究院、半导体研究所、上海硅酸盐研究所、北京有色金属研究总院、上海交通大学、清华大学深圳研究生院和安徽大学8所高校和研究所共同承担，项目负责人为研究员田兴友。 “高功率密度电子器件基板材料的制备与性能调控研究”项目面向高功率密度电子器件的前沿热管理材料，针对高功率密度电子器件散热的瓶颈问题，围绕界面微区特性对载荷传递与能量交换影响机制、空间拓扑结构对宏观力学与热物理性能影响机制、面向多相复合材料的导热理论与性能预测模型完善等关键科学问题，开展深入系统的基础研究，显著提升材料的热物理和力学性能，扩大基板的选材和设计裕度，研制出应用于多维电子器件及电子器件热点处近场、满足不同梯度......阅读全文
真空电子器件概述
真空电子器件按其功能分为实现直流电能和电磁振荡能量之间转换的静电控制电子管；将直流能量转换成频率为300兆赫～3000吉赫电磁振荡能量的微波电子管；利用聚焦电子束实现光、电信号的记录、存储、转换和显示的电子束管；利用光电子发射现象实现光电转换的光电管；产生X射线的X射线管；管内充有气体并产生气体
真空电子器件简介
真空电子器件(vacuumelectronicdevice)指借助电子在真空或者气体中与电磁场发生相互作用，将一种形式电磁能量转换为另一种形式电磁能量的器件。具有真空密封管壳和若干电极，管内抽成真空，残余气体压力为10-4～10-8帕。有些在抽出管内气体后，再充入所需成分和压强的气体。广泛用于广
常见的有源电子器件
有源器件是电路的主要器件，从物理结构、电路功能和工程参数上，有源器件可以分为分立器件和两大类。 1、分立器件 （1）双极型晶体（BipolarTransistor），一般简称三极管，bjt （2）场效应晶体管（FieldEffectiveTransistor） （3）晶闸
美发明可降解电子器件
美国斯坦福大学华人教授鲍哲南领导的团队在最新一期美国《国家科学院学报》上报告说，他们发明了一种柔性有机电子器件，用醋这样的弱酸性物质就可以无毒降解。这种电子器件未来不仅可以减少有害的电子垃圾，还可应用于可穿戴医疗设备、环境监测等方面。 此前，鲍哲南团队成功开发出一种导电性和拉伸性俱佳的高分子材
美发明可降解电子器件
美国斯坦福大学华人教授鲍哲南领导的团队在最新一期美国《国家科学院学报》上报告说，他们发明了一种柔性有机电子器件，用醋这样的弱酸性物质就可以无毒降解。这种电子器件未来不仅可以减少有害的电子垃圾，还可应用于可穿戴医疗设备、环境监测等方面。 近年来，鲍哲南团队在研究模仿人体皮肤功能的柔性电子方面屡
固态电子器件的未来展望
固态电子器件的理论基础是固体物理，技术基础是材料科学。30年代固体电子论的进展和40～50年代锗、硅材料工艺的进展，奠定了后半个世纪固态电子器件飞速发展的基础。Ⅲ、Ⅴ族化合物半导体材料，尤其是砷化镓材料工艺日趋成熟，新的固态电子器件随着材料质量的提高和对材料物理的深入研究而不断出现。在微波晶体管
固态电子器件的历史发展
固态电子器件是20世纪40年代发展起来的一类器件，但就其研究工作来说，可追溯到19世纪。1833年，M.法拉第最早发现硫化银的电导率随温度升高而上升，这和一般的金属导体的性质正好相反。1833年，W.史密斯发现在光照下硒的电导率会改变，这是第一次发现半导体的光电导效应。一年以后，K.F.布劳恩发
真空电子器件制造相关工艺简介
玻璃封接工艺 玻璃之间和玻璃与金属之间的熔封是常用的工艺之一，多已实现自动化操作。利用这种技术制成电极引线或芯柱，并将管壳与芯柱封接在一起。 铟封工艺 两种膨胀系数相差很大的玻璃或玻璃与各种晶体、玻璃与金属间的真空密封，可用高纯铟作焊料冷压而成。这种工艺常用于摄像管窗口和管壳间的封接。它适
真空电子器件的制造步骤简介
表面涂敷 为避免制造过程中氧化、便于焊接或减小使用时的高频损耗，某些零件要在表面镀镍、铜、金或银等。还有的零件须预先涂敷特殊涂层，如微波管内用的衰减器可用碳化、石墨喷涂或真空蒸发、溅射等方法涂敷一层高频衰减材料。有的零件还须涂敷某种材料，如碳化钽等，以提高表面逸出功，降低次级发射。 部件的制
柔性可穿戴电子器件取得进展
本报讯 当前人工智能快速发展，各种类人功能智能机器人层出不穷，触觉感知是人类和未来智能机器探索物理世界的基础性功能之一，发展具有触觉功能的仿生电子皮肤柔性感知器件，并实现器件与柔软组织间的机械匹配性具有重要的科学意义和应用价值。 近日，受指纹能够感知物体表面纹理的启发，中国科学院苏州纳米技术与纳