高功率密度电子器件的制备与性能调控研究”项目启动
国家重点研发计划项目“高功率密度基板材料的制备与性能调控研究”启动会在上海召开。国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项“高功率密度电子器件基板材料的制备与性能调控研究”由中国科学院合肥物质科学研究院牵头，中科院深圳先进技术研究院、半导体研究所、上海硅酸盐研究所、北京有色金属研究总院、上海交通大学、清华大学深圳研究生院和安徽大学8所高校和研究所共同承担，项目负责人为研究员田兴友。 “高功率密度电子器件基板材料的制备与性能调控研究”项目面向高功率密度电子器件的前沿热管理材料，针对高功率密度电子器件散热的瓶颈问题，围绕界面微区特性对载荷传递与能量交换影响机制、空间拓扑结构对宏观力学与热物理性能影响机制、面向多相复合材料的导热理论与性能预测模型完善等关键科学问题，开展深入系统的基础研究，显著提升材料的热物理和力学性能，扩大基板的选材和设计裕度，研制出应用于多维电子器件及电子器件热点处近场、满足不同梯度......阅读全文
真空电子器件简介
真空电子器件(vacuumelectronicdevice)指借助电子在真空或者气体中与电磁场发生相互作用，将一种形式电磁能量转换为另一种形式电磁能量的器件。具有真空密封管壳和若干电极，管内抽成真空，残余气体压力为10-4～10-8帕。有些在抽出管内气体后，再充入所需成分和压强的气体。广泛用于广
真空电子器件概述
真空电子器件按其功能分为实现直流电能和电磁振荡能量之间转换的静电控制电子管；将直流能量转换成频率为300兆赫～3000吉赫电磁振荡能量的微波电子管；利用聚焦电子束实现光、电信号的记录、存储、转换和显示的电子束管；利用光电子发射现象实现光电转换的光电管；产生X射线的X射线管；管内充有气体并产生气体
常见的有源电子器件
有源器件是电路的主要器件，从物理结构、电路功能和工程参数上，有源器件可以分为分立器件和两大类。 1、分立器件 （1）双极型晶体（BipolarTransistor），一般简称三极管，bjt （2）场效应晶体管（FieldEffectiveTransistor） （3）晶闸
电子器件检验工工作内容
从事的工作主要包括：（1）抽取样品；（2）使用仪器设备检测电子元件的电学、热学、光学、力学性能及稳定性、可靠性性能；（3）检验原材料外购件的外观及理化性能；（4）测试半导体分立器件、集成电路；（5）检验压电石英晶体、石英晶体元器件；（6）检验继电器成品；（7）检验电子陶瓷成品；（8）分测、检验铁氧体
美发明可降解电子器件
美国斯坦福大学华人教授鲍哲南领导的团队在最新一期美国《国家科学院学报》上报告说，他们发明了一种柔性有机电子器件，用醋这样的弱酸性物质就可以无毒降解。这种电子器件未来不仅可以减少有害的电子垃圾，还可应用于可穿戴医疗设备、环境监测等方面。 近年来，鲍哲南团队在研究模仿人体皮肤功能的柔性电子方面屡
固态电子器件的未来展望
固态电子器件的理论基础是固体物理，技术基础是材料科学。30年代固体电子论的进展和40～50年代锗、硅材料工艺的进展，奠定了后半个世纪固态电子器件飞速发展的基础。Ⅲ、Ⅴ族化合物半导体材料，尤其是砷化镓材料工艺日趋成熟，新的固态电子器件随着材料质量的提高和对材料物理的深入研究而不断出现。在微波晶体管
美发明可降解电子器件
美国斯坦福大学华人教授鲍哲南领导的团队在最新一期美国《国家科学院学报》上报告说，他们发明了一种柔性有机电子器件，用醋这样的弱酸性物质就可以无毒降解。这种电子器件未来不仅可以减少有害的电子垃圾，还可应用于可穿戴医疗设备、环境监测等方面。 此前，鲍哲南团队成功开发出一种导电性和拉伸性俱佳的高分子材
固态电子器件的历史发展
固态电子器件是20世纪40年代发展起来的一类器件，但就其研究工作来说，可追溯到19世纪。1833年，M.法拉第最早发现硫化银的电导率随温度升高而上升，这和一般的金属导体的性质正好相反。1833年，W.史密斯发现在光照下硒的电导率会改变，这是第一次发现半导体的光电导效应。一年以后，K.F.布劳恩发
自旋电子器件节能机制发现
记者8月15日从中国科学院宁波材料技术与工程研究所获悉，该所柔性磁电功能材料与器件团队在新一代自旋电子器件研究领域取得关键突破。研究人员利用“非传统标度律”，将器件内部阻碍电子运动的“绊脚石”，转变成提升性能的“加油站”，为破解自旋电子器件面临的核心瓶颈提供了全新思路。相关研究论文在线发表于《自
真空电子器件的制造步骤简介
表面涂敷 为避免制造过程中氧化、便于焊接或减小使用时的高频损耗，某些零件要在表面镀镍、铜、金或银等。还有的零件须预先涂敷特殊涂层，如微波管内用的衰减器可用碳化、石墨喷涂或真空蒸发、溅射等方法涂敷一层高频衰减材料。有的零件还须涂敷某种材料，如碳化钽等，以提高表面逸出功，降低次级发射。 部件的制
集成光电子器件的发展
如同电子器件那样,光电子器件也要走向集成化。虽然不是所有的光电子器件都要集成,但会有相当的一部分是需要而且是可以集成的。目前正在发展的PLC-平面光波导线路,如同一块印刷电路板,可以把光电子器件组装于其上,也可以直接集成为一个光电子器件。要实现FTTH也好,ASON也好,都需要有新的、体积小的和廉价
真空电子器件制造相关工艺简介
玻璃封接工艺 玻璃之间和玻璃与金属之间的熔封是常用的工艺之一，多已实现自动化操作。利用这种技术制成电极引线或芯柱，并将管壳与芯柱封接在一起。 铟封工艺 两种膨胀系数相差很大的玻璃或玻璃与各种晶体、玻璃与金属间的真空密封，可用高纯铟作焊料冷压而成。这种工艺常用于摄像管窗口和管壳间的封接。它适
柔性可穿戴电子器件取得进展
本报讯 当前人工智能快速发展，各种类人功能智能机器人层出不穷，触觉感知是人类和未来智能机器探索物理世界的基础性功能之一，发展具有触觉功能的仿生电子皮肤柔性感知器件，并实现器件与柔软组织间的机械匹配性具有重要的科学意义和应用价值。 近日，受指纹能够感知物体表面纹理的启发，中国科学院苏州纳米技术与纳
电子器件EOS的分析与设计
电子产品在使用过程中，或多或少都存在浪涌的干扰，现在的电子产品或者是智能设备有的有使用直流电源＆电池或AC电源的供电系统，系统由于负载电流的增加，在使用过程中可能存在瞬态电流的冲击，瞬间的尖峰电流会对器件产生过高的电压或电流应力。以下器件的内部分析如下：物理分析内部故障情况图片；以下为具体的驱动控制
集成光电子器件的发展
如同电子器件那样,光电子器件也要走向集成化。虽然不是所有的光电子器件都要集成,但会有相当的一部分是需要而且是可以集成的。目前正在发展的PLC-平面光波导线路,如同一块印刷电路板,可以把光电子器件组装于其上,也可以直接集成为一个光电子器件。要实现FTTH也好,ASON也好,都需要有新的、体积小的和廉价
用于雷达的新型真空电子器件（一）
摘要：真空电子器件在雷达的发展历程中发挥了重要作用，是雷达系统的核心器件，两者相辅相成、相互促进。随着设计仿真能力的不断提升，以及新材料新工艺的出现，真空电子器件出现了一些新的发展动向。器件性能不断提升，也出现了一些新型真空电子器件，这都为新型雷达探测技术的发展提供了很好的器件支撑。该文从微波毫米波
真空电子器件制造的重要步骤简介
钎焊及氩弧焊 金属间的连接，常采用在氢炉或真空炉中钎焊的工艺。如果部件需多次钎焊，则应先用高熔点焊料后用低熔点焊料进行递级钎焊。若部件的配合设计成具有翻边的法兰结构，则可直接用氩弧焊加以连接。 测试 有些高频系统的部件，如谐振腔、慢波电路等，制成后应先进行“冷测”，以检验其电气性能。必要时
自旋电子器件制造工艺获新突破
美国明尼苏达双城大学研究人员和国家标准与技术研究院（NIST）的联合团队开发了一种制造自旋电子器件的突破性工艺，该工艺有可能成为半导体芯片新的行业标准。半导体芯片是计算机、智能手机和许多其他电子产品的核心部件，新工艺将带来更快、更高效的自旋电子设备，并且使这些设备比以往更小。研究论文发表在最近的《先
用于雷达的新型真空电子器件（四）
诺格公司在2016年还首次将行波管工作频率提高到1 THz[41]。该行波管采用深反应离子刻蚀加工的折叠波导慢波结构，在表面电镀铜以降低太赫兹波的传输损耗，折叠波导电路如图 23所示。利用VDI公司的倍频源作为行波管的激励，测试图如图 24所示。固态倍频源最大输出功率0.7 mW。工作电压12 kV
用于雷达的新型真空电子器件（二）
短毫米波行波管近年来也渐趋成熟，并初步形成了相关的系列产品。美国L-3公司针对通讯开发了E波段MPM，在5 GHz带宽范围内功率大于200 W[14]。为W波段毫米波功率模块所研制的W波段脉冲行波管。器件工作中心频率为94 GHz，得到了大于100 W的脉冲输出功率，工作带宽大于4 GHz，外形尺寸
自旋电子器件制造工艺获新突破
美国明尼苏达双城大学研究人员和国家标准与技术研究院（NIST）的联合团队开发了一种制造自旋电子器件的突破性工艺，该工艺有可能成为半导体芯片新的行业标准。半导体芯片是计算机、智能手机和许多其他电子产品的核心部件，新工艺将带来更快、更高效的自旋电子设备，并且使这些设备比以往更小。研究论文发表在最近的
用于雷达的新型真空电子器件（三）
4 太赫兹真空电子器件太赫兹波由于具有频率高、宽带宽、波束窄等特点，使得其在雷达探测领域具有重大的应用潜力。频率高意味着具有较高的多普勒带宽，具有良好的多普勒分辨力，测速精度更高；由于太赫兹波对目标形状细节敏感，因而具有很好的反隐身功能；在相同天线孔径下，太赫兹波束更窄，具有极高的空间分辨力，跟踪精
上海光电子器件展2024中国(上海)光电子器件展览会—官网
电子元器件展，电子仪器仪表展，电子仪器仪表展，电子元器件展，电子设备展，电子设备展，电子元器件展览会，电子仪器展，电子仪器展，电仪器展览会，继电器展，电容器展，连接器展，集成电路展2024上海国际电子元器件材料设备展览会地点：上海国际博览中心2024年11月18-20日参展咨询：021-5416 3
木质晶体管让电子器件长在树上
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/4/499338.shtm ?由轻木制成的木制晶体管。图片来源：Van Chinh Tran一种由导电木材制成的电气开关，可能成为未来嵌入活树和其他植物中的电子设备的基石。相关研究成果近日发表于美国
光电子器件的可靠性检测
物理特性测试项目1、内部水汽：确定在金属或陶瓷封装的光电子器件内部气体中水汽含量。2、密封性：确定具有内空腔的光电子器件封装的气密性。3、ESD阔值：确定光电子器件受静电放电作用所造成损伤和退化的灵敏度和敏感性。4、可燃性：确定光电子器件所使用材料的可燃性。5、剪切力：确定光电子器件的芯片和无源器件
石墨烯薄膜可冷却高功率电子器件
随着设备和组件变得越来越小，在未来超高效电子系统的开发中，电子和光电子的散热是一个严重问题。现在，瑞典查尔姆斯理工大学的研究人员开发出一种通过功能化石墨烯纳米薄片高效冷却电子器件的技术，或可为解决这一问题铺平道路。相关研究成果发表在最新一期的《自然·通讯》杂志上。 在实验中，科学家研究了被固
硅纳米线将绘电子器件新版图
虽然我国目前已经初步实现了硅纳米晶体管、传感器等纳米器件的部分功能，但是离纳米器件的大规模集成还有相当大的距离。 美国斯坦福大学研究人员已经研发出用硅纳米线制成的“纸电池”。 当全世界的科学家一窝蜂地关注碳纳米管时，殊不知，另一种一维纳米材料硅纳米线同样能给人带来意想不到的惊喜。
柔性瞬态电子器件有望实现低成本制造
电子芯片激光蒸镀技术 用注射器将微型电子芯片注入人体，发挥功用后的芯片自动溶解在人体之中，这是有如科幻电影的场景，而如今柔性瞬态电子器件的开发将这一想象变为可能。近日，天津大学精仪学院生物微流体和柔性电子实验室的黄显教授与密苏里科技大学Heng Pan教授合作，在瞬态电子制造领域取得重大突破，
氮化镓半导体材料新型电子器件应用
GaN材料系列具有低的热产生率和高的击穿电场，是研制高温大功率电子器件和高频微波器件的重要材料。目前，随着 MBE技术在GaN材料应用中的进展和关键薄膜生长技术的突破，成功地生长出了GaN多种异质结构。用GaN材料制备出了金属场效应晶体管（MESFET）、异质结场效应晶体管(HFET)、调制掺杂场效
DNA支架能自组装成单电子器件
据美国电气和电子工程师协会《光谱》杂志官网近日报道，芬兰科研人员研究发现，DNA（脱氧核糖核酸）支架无需低温环境，就能够自组装成固定模型，并将纳米颗粒融合到功能性结构中，集成单电子器件。相关成果发表在近期《纳米通讯》杂志上。 DNA支架技术是纳米生物学的重要组成部分。DNA分子除具有基因的