对可控开关器件傻傻分不清这篇文章让你不再困惑
你是否看见这些可控开关器件傻傻的分不清呢？你是不是真的爱这些器件呢？可我们不懂它，又怎么称的上爱它呢？那就让我们走进它们，了解它们。下面我们从器件对触发信号波形的要求、开关频率、单双极、主要优、缺点方面考虑，七种可控开关器件BJT、SCR、GTO、P-MOSFET、IGBT、MCT、SIT。 BJT：电流型全控器件；正持续基极电流控制开通，基极电流为0则关断；开关频率适中；双极；主要优点：通态压降小，通态损耗小；主要缺点：驱动功率大，频率低。 SCR：电流型半控器件；正脉冲门极电流控制开通，触发信号不能控制开断；开关频率低；双极；主要优点：通态压降小，通态损耗小；主要缺点：驱动功率大，频率低。 GTO：电流型全控器件；正脉冲门极电流控制开通，负脉冲门极电流（较大）控制关断；开关频率低；双极；主要优点：通态压降小，通态损耗小；主要缺点：驱动功率大，频率低。 P-MOSFET：电压型全控器件；正持......阅读全文
IGBT的检测方法（一）
IGBT有三个电极，分别称为栅极G（也叫控制极或门极）、集电极C（亦称漏极）及发射极E（也称源极）。 一、用指针式万用表对场效应管进行判别 （1）用测电阻法判别结型场效应管的电极 根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨
IGBT的检测方法（二）
二、场效应管的使用注意事项 （1）为了安全使用场效应管，在线路的设计中不能超过管的耗散功率，最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。 （2）各类型场效应管在使用时，都要严格按要求的偏置接人电路中，要遵守场效应管偏置的极性。如结型场效应管栅源漏之间是PN结，N沟道管栅极不能
IGBT的检测方法（三）
注意事项： （1）VMOS管亦分N沟道管与P沟道管，但绝大多数产品属于N沟道管。对于P沟道管，测量时应交换表笔的位置。 （2）有少数VMOS管在G-S之间并有保护二极管，本检测方法中的1、2项不再适用。 （3）目前市场上还有一种VMOS管功率模块，专供交流电机调速器、逆变器使用。例
IGBT短路保护电路的设计
固态电源的基本任务是安全、可靠地为负载提供所需的电能。对电子设备而言，电源是其核心部件。负载除要求电源能供应高质量的输出电压外，还对供电系统的可靠性等提出更高的要求。IGBT是一种目前被广泛使用的具有自关断能力的器件，开关频率高，广泛应用于各类固态电源中。但如果控制不当，它很容易损坏。一般认
深度解读：到底什么是IGBT？（三）
另外，这样的结构好处是提高了电流驱动能力，但坏处是当器件关断时，沟道很快关断没有了多子电流，可是Collector(Drain)端这边还继续有少子空穴注入，所以整个器件的电流需要慢慢才能关闭(拖尾电流, tailing current)，影响了器件的关断时间及工作频率。这个可是开
深度解读：到底什么是IGBT？（四）
2) 阳极短接(SA: Shorted-Anode)：它的结构是N+集电极间歇插入P+集电极，这样N+集电极直接接触场截止层并用作PN二极管的阴极，而P+还继续做它的FS-IGBT的集电极，它具有增强的电流特性且改变了成本结构，因为不需要共封装反并联二极管了。实验证明，它可以提高饱和电流，降
深度解读：到底什么是IGBT？（一）
电的发现是人类历史的革命，由它产生的动能每天都在源源不断的释放，人对电的需求不亚于人类世界的氧气，如果没有电，人类的文明还会在黑暗中探索。 然而在电力电子里面，最重要的一个元件就是IGBT。没有IGBT就不会有高铁的便捷生活。 一说起IGBT，半导体制造的人都以为不就是一个分立器
深度解读：到底什么是IGBT？（二）
1)高电压：一般的MOSFET如果Drain的高电压，很容易导致器件击穿，而一般击穿通道就是器件的另外三端(S/G/B)，所以要解决高压问题必须堵死这三端。Gate端只能靠场氧垫在Gate下面隔离与漏的距离(Field-Plate)，而Bulk端的PN结击穿只能靠降低PN结两边的浓度，而
高精度igbt功率模块推拉力测试机
型号：LB：8500L 产品优势：1.采用测试工位自动模式，在软件选择测试工位后，系统自动到达对应工作位。2.三个工作传感器，采用独立采集系统，保证测试精度。3.每项传感器采用独立防碰撞及过力保护系统。4.每项测试工位采用独立安全限位及限速功能。5.人性化的操作界面，人员操作方便。6.高精度传感系
国内最高性能IGBT芯片及模块问世
近日，由中国南车株洲所主持研制的国内最大电压等级、最高功率密度的6500伏高压 IGBT芯片及其模块首次向外界亮相，并通过成果鉴定，刷新了1年前该公司自主研制的3300伏IGBT芯片电压等级和功率密度纪录。鉴定专家一致认为，该项目成果总体技术处于国际领先水平，代表了我国功率半导体器件行业IG