II族氧化物半导体光电子器件基础研究启动
近日，“973”计划项目“II族氧化物半导体光电子器件的基础研究”启动会在长春召开。中科院长春光机所、物理所、上海光机所和南京大学、中山大学、东南大学、吉林大学等单位将瞄准目前半导体领域的前沿和热点，把II族氧化物半导体作为主要研究对象，以期在短波长激光器件和紫外光电探测器等方面实现突破，建立相关理论和技术创新体系，发展具有我国自主知识产权的短波长光电子器件。 据介绍，以硅为代表的第一代半导体的发展引发了微型计算机、集成电路的出现和整个信息产业的飞跃。第二代半导体砷化镓等的出现促成了信息高速公路的崛起和社会的信息化。宽禁带半导体作为第三代半导体，在固态照明、短波长半导体激光和紫外光电探测等领域有明显优势，其继续发展必将极大改善人们的生活。 作为第三代半导体的典型代表，II族氧化物半导体具有更大的激子结合能，有望实现室温激子型发光器件和低阈值激光器件。 近年来，我国在II族氧化物半导体方面的研究工作取得了一系列......阅读全文
II族氧化物半导体光电子器件基础研究启动
近日，“973”计划项目“II族氧化物半导体光电子器件的基础研究”启动会在长春召开。中科院长春光机所、物理所、上海光机所和南京大学、中山大学、东南大学、吉林大学等单位将瞄准目前半导体领域的前沿和热点，把II族氧化物半导体作为主要研究对象，以期在短波长激光器件和紫外光电探测器等方面实现突
长春光机所在II族氧化物光电材料与器件研究中取得进展
中科院长春光机所发光学及应用国家重点实验室申德振研究员带领的团队在II族氧化物激光材料与器件研究中取得进展，相关成果获得了2015年度吉林省自然科学一等奖，据悉这是该奖项设立以来该所获得的第一个吉林省自然科学一等奖。 以氧化锌为代表的II氧化物为宽禁带半导体，其激子结合能大，有望实
异质结在半导体光电子器件中有哪些作用
半导体异质结构一般是由两层以上不同材料所组成，它们各具不同的能带隙。这些材料可以是GaAs之类的化合物，也可以是Si-Ge之类的半导体合金。按异质结中两种材料导带和价带的对准情况可以把异质结分为Ⅰ型异质结和Ⅱ型异质结两种，两种异质结的能带结构异质结图册，I型异质结的能带结构是嵌套式对准的,窄带材料的
集成光电子器件的发展
如同电子器件那样,光电子器件也要走向集成化。虽然不是所有的光电子器件都要集成,但会有相当的一部分是需要而且是可以集成的。目前正在发展的PLC-平面光波导线路,如同一块印刷电路板,可以把光电子器件组装于其上,也可以直接集成为一个光电子器件。要实现FTTH也好,ASON也好,都需要有新的、体积小的和廉价
集成光电子器件的发展
如同电子器件那样,光电子器件也要走向集成化。虽然不是所有的光电子器件都要集成,但会有相当的一部分是需要而且是可以集成的。目前正在发展的PLC-平面光波导线路,如同一块印刷电路板,可以把光电子器件组装于其上,也可以直接集成为一个光电子器件。要实现FTTH也好,ASON也好,都需要有新的、体积小的和廉价
科技部发布973计划2015年结题项目验收结果
分析测试百科网讯 近日，科技部发布关于发布国家重点基础研究发展计划（973计划）（含重大科学研究计划）2015年结题项目验收结果的通知，包括2010年立项的3个项目、2011年立项的176个项目和2013年立项的1个项目的结题验收。验收结果如下： 1.“主要粮食作物骨干亲本遗传效应和利用的基
上海光电子器件展2024中国(上海)光电子器件展览会—官网
电子元器件展，电子仪器仪表展，电子仪器仪表展，电子元器件展，电子设备展，电子设备展，电子元器件展览会，电子仪器展，电子仪器展，电仪器展览会，继电器展，电容器展，连接器展，集成电路展2024上海国际电子元器件材料设备展览会地点：上海国际博览中心2024年11月18-20日参展咨询：021-5416 3
一文通解基于VLT技术的新型DRAM内存单元（二）
1、半导体产业，设计和制造哪个难度大？制造难度更大些。● 现在兼顾设计和制造的公司比较少；● 只做设计公司很多，一般成为fabless，拥有电脑、软件和设计工程师就可以完成设计，输出设计后交由光罩厂、晶圆流片代工厂、封测厂生产器件。● 只做制造的成为fab厂，门坎较高，一条8英寸晶圆流片生产
半导体器件的开关特性
MOS的基本元件是MOS管。MOS管是一种电压控制器件，它的3个电极分别称为栅极(G)、漏极（D）和源极（S），由栅极电压控制漏源电流。MOS管根据结构的不同可分为P型沟道MOS管和N型沟道MOS管两种，每种又可按其工作特性进一步分为增强型和耗尽型两类。 1、静态特性 MOS管作为开
半导体器件有哪些分类
现在被称作半导体器件的种类如下所示。按照其制造技术可分为分立器件半导体、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、存储器等大类，一般来说这些还会被再分成小类。此外，IC除了在制造技术上的分类以外，还有以应用领域、设计方法等进行分类，最近虽然不常用，但还有按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其规模进行分类
氮化铟的结构特点
氮化铟是一种新型的三族氮化物材料。这种材料的引人之处在于它的优良的电子输运性能和窄的能带，有望应用于制造新型高频太拉赫兹通信的光电子器件。氮化铟纳米结构是研制相关量子器件的基础。然而，一直以来，InN纳米材料的生长往往要利用铟的氧化物或氯化物，这会在氮化铟纳米材料中引入许多杂质，致使材料的光学、电学
在半导体异质结隧穿电子调控机制研究中取得进展
中国科学院上海技术物理研究所红外科学与技术重点实验室胡伟达、苗金水团队，与美国宾夕法尼亚大学教授德普·贾瑞拉合作，通过耦合局域场调控二维原子晶体能带，实现硒族半导体/硅半导体异质结隧穿电子的有效操控，为混合维度异质结构在高性能电子与光电子器件研制方面奠定了理论与实验基础。10月28日，相关研究成
光电子器件的可靠性检测
物理特性测试项目1、内部水汽：确定在金属或陶瓷封装的光电子器件内部气体中水汽含量。2、密封性：确定具有内空腔的光电子器件封装的气密性。3、ESD阔值：确定光电子器件受静电放电作用所造成损伤和退化的灵敏度和敏感性。4、可燃性：确定光电子器件所使用材料的可燃性。5、剪切力：确定光电子器件的芯片和无源器件
磁性半导体的发展历史
第一代磁性半导体关于磁性半导体的研究可以追溯到20世纪60年代。我们首先来简单回顾一下关于浓缩磁性半导体（Concentrated Magnetic Semiconductor）的研究进展。所谓浓缩磁性半导体即在每个晶胞相应的晶格位置上都含有磁性元素原子的磁性半导体，例如Eu或Cr的硫族化合物：岩盐
半导体异质结隧穿电子调控机制研究取得进展
中科院上海技物所红外科学与技术重点实验室胡伟达、苗金水团队与宾州大学德普·贾瑞拉教授合作，通过耦合局域场调控二维原子晶体能带，实现硒族半导体/硅半导体异质结隧穿电子的有效操控，为混合维度异质结构在高性能电子与光电子器件研制方面提供了理论与实验基础。相关成果于2022年10月28日以“Heteroju
功率半导体器件有哪些国标
功率半导体是弱电控制与强电运行之间、信息技术与先进制造之间的桥梁，是国民经济的重要基础，在国民经济各领域和国防工业中无所不在。随着世界各国对节能减排的需求越来越迫切，功率半导体器件已从传统的工业控制和4C(通信、计算机、消费电子、汽车)领域迈向新能源、轨道交通、智能电网、变频家电等诸多产业。随着中国
三位清华校友当选2017年度美国物理学会会士
近日，美国物理学会（American Physical Society，APS）公布2017年新增的189名会士（APS Fellow）名单，清华校友汪自强、马振强、邓慧名列其中。 汪自强 波士顿学院物理系教授汪自强的当选理由是：对强相关电子系统，特别是因掺杂引起的局部无序作用的认知贡献；以
国家纳米中心在层状材料光电晶体管方向取得新进展
二维层状材料是近些年兴起的一类新兴材料，通常其层内以较强的共价键或者离子键结合而成，而层间则是依靠较弱的范德华力堆叠在一起。尤其是2004年单原子层石墨烯的发现极大地推动了二维材料的发展，使其迅速成为研究前沿。然而众所周知，本征石墨烯由于受到六重对称性保护几乎没有能隙，限制了其在半导体器件中的应
氧化物半导体的应用特点
氧化物半导体是通常容易成为绝缘体的氧化物，但却具有半导体的性质。在众多物质当中，最受关注的是“透明非晶氧化物半导体（TAOS：Transparent Amorphous Oxide Semiconductors）”。非晶IGZO（In-Ga-Zn-O）就是一个代表性例子。除了三星和LG显示器等韩国企
半导体变流器
导体变流器是使用半导体阀器件的一种电力电子变流器，使电源系统的电压、频率、相数和其他电量或特性发生变化的电器设备。 定义 使用半导体阀器件的一种电力电子变流器。 术语 ①类似术语也适用于由具体类型的半导体或其他电子阀件组成的变流器或具体类型的变流器。例如晶闸管变流器，汞弧整流器，晶体管
著名半导体光电子学家王圩逝世
1月26日，中科院半导体所发布王圩院士讣告。 以下为讣告全文：讣告 中国共产党优秀党员、中国科学院院士，中国科学院半导体研究所研究员、我国著名半导体光电子学家王圩先生因病医治无效，不幸于2023年1月26日18点11分在北京逝世，享年86岁。 王圩院士1937年12月25日生于河北文安，1
有它助阵，集成光电子器件加工不再难
兰州大学物理科学与技术学院教授田永辉课题组与澳大利亚皇家墨尔本理工大学教授阿南?米切尔课题组及上海交通大学教授苏翼凯课题组合作，通过在薄膜铌酸锂晶圆表面沉积一层氮化硅，利用传统的刻蚀技术仅仅刻蚀氮化硅层形成亚波长光栅波导，有效应对了薄膜铌酸锂集成光电子器件难以加工制作的挑战，降低了器件尺寸、提升了芯
氮族元素的氮氧化物的理化性质
种类：N₂O（俗称 笑气）， NO， N₂Oз（可遇水生成HNO₂）， NO₂ ，N₂O4，N₂O5（遇水生成HNOз）NO物理性质：无色无味有毒气体 密度略大于空气 难溶于水。化学性质：2NO+O₂=2NO₂制备：实验室制法，3Cu+8HNO3（稀）=3Cu(NO3)2+2NO↑+4H2O NO₂
氮化铟的应用特点
氮化铟是一种新型的三族氮化物材料。这种材料的引人之处在于它的优良的电子输运性能和窄的能带，有望应用于制造新型高频太拉赫兹通信的光电子器件。氮化铟(InN)是氮化物半导体材料的一种。常温常压下的稳定相是六方纤锌矿结构,是一种直接带隙半导体材料。
元器件展会|2024上海国际半导体分立器件展览会「上海元器件展」
展会概况展会名称：2024中国（上海）国际电子展览会展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际博览中心展会规模：50,000平方米、800家展商、90,000名专业观众 展会介绍： 电子产业是电子信息产业的基础支撑，中国电子元器
二维材料载流子动力学测试方案
自石墨烯被发现以来，二维材料引起了物理、化学、以及材料等学界的广泛关注。有代表性的二维材料包括过渡金属硫族化合物、过渡金属氧化物、六方氮化硼、磷烯等。这些单原子层或单分子层材料具有一些独特的性质，有望成为下一代光电子技术的重要材料。首先，随着原子层数的减少，二维材料（如石墨烯、过渡金属硫族化合物、磷
氧化物半导体的定义和应用
氧化物半导体（oxide semiconductor）具有半导体特性的一类氧化物。氧化物半导体的电学性质与环境气氛有关。氧化物半导体ZnO、CdO、SnO2等常用于制造气敏元件，Fe2O3、Cr2O3、Al2O3等常用于制造湿敏元件；SnO2膜用于制做透明电极等。
什么是半导体材料？常见半导体材料有哪些？
半导体材料是什么？半导体材料（semiconductor material）是一类具有半导体性能（导电能力介于导体与绝缘体之间，电阻率约在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围内）、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。自然界的物质、材料按导电能力大小可分为导体、半导体和绝缘体三大类。半导体的电阻率在1
“纳米画笔”勾勒未来低维半导体器件
如今人们的生活节奏在加快，对电子设备的要求也越来越高。各种新款电子设备都在变着法子表明自己功能更强大、体型更轻薄。然而，电子设备的功能越丰富、性能越强大，意味着这些设备单位体积中容纳的电子元件数目越多；体型越小意味着这些电子元件功能单元的体积越来越小。 就像我们每天都使用的手机，它的中央处理
常见的功率半导体器件有哪些？（一）
功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。按照分类来看，功率半导体可以分为功率IC和功率分立器件两大类，其中功率分立器件主要包括二极管、晶闸管、晶体管等产品。近年来，功率半导体的应用领域已从工业控制和消费电子拓展至新能源、轨道交通、智能