微电子所等研制出国际先进的氮化镓增强型MISHEMT器件
近日，中国科学院微电子研究所氮化镓（GaN）功率电子器件研究团队与香港科技大学教授陈敬团队，西安电子科技大学教授、中科院院士郝跃团队合作，在GaN增强型MIS-HEMT器件研制方面取得新进展，成功研制出具有国际先进水平的高频增强型GaN MIS-HEMT器件。 第三代半导体材料氮化镓具有高禁带宽度、高击穿电场、高饱和电子漂移速度等优异的物理性质，尤其是材料本身的强自发和压电极化效应能在AlGaN/GaN异质结构中诱导出高密度、高迁移率的二维电子气（迁移率可达到2000 cm2/V·s以上），突破了传统Si基功率器件的材料极限。这些优良性质促使GaN功率电子器件在工作频率和电能转换效率上脱颖而出，成为下一代高效节能功率电子器件的最佳候选之一。 增强型，也叫常关型，是电力电子应用的关键要求，其中栅槽刻蚀工艺是最早实现GaN增强型器件的技术之一。传统的刻蚀工艺主要在常温下进行，无法实现刻蚀所造成的晶格损伤的原位恢复和刻蚀残留物......阅读全文
集成光电子器件的发展
如同电子器件那样,光电子器件也要走向集成化。虽然不是所有的光电子器件都要集成,但会有相当的一部分是需要而且是可以集成的。目前正在发展的PLC-平面光波导线路,如同一块印刷电路板,可以把光电子器件组装于其上,也可以直接集成为一个光电子器件。要实现FTTH也好,ASON也好,都需要有新的、体积小的和廉价
真空电子器件的制造步骤简介
表面涂敷 为避免制造过程中氧化、便于焊接或减小使用时的高频损耗，某些零件要在表面镀镍、铜、金或银等。还有的零件须预先涂敷特殊涂层，如微波管内用的衰减器可用碳化、石墨喷涂或真空蒸发、溅射等方法涂敷一层高频衰减材料。有的零件还须涂敷某种材料，如碳化钽等，以提高表面逸出功，降低次级发射。 部件的制
真空电子器件制造相关工艺简介
玻璃封接工艺 玻璃之间和玻璃与金属之间的熔封是常用的工艺之一，多已实现自动化操作。利用这种技术制成电极引线或芯柱，并将管壳与芯柱封接在一起。 铟封工艺 两种膨胀系数相差很大的玻璃或玻璃与各种晶体、玻璃与金属间的真空密封，可用高纯铟作焊料冷压而成。这种工艺常用于摄像管窗口和管壳间的封接。它适
电子元器件早期失效的判断研究
电子元器件是构成航天飞行器、实现地面遥控不可缺少的组成部分,其可靠性是保证飞行器安全升空、长期运行的前提。然而长期在宇宙环境中工作的元器件,不可避免地会受到空间原子氧、热循环和紫外辐照等低地球轨道空间环境因素的作用,可能引起某些元器件的密封破坏、管脚断裂、内引线键合点脱开等而最终失效。研究航天用电子
电子器件EOS的分析与设计
电子产品在使用过程中，或多或少都存在浪涌的干扰，现在的电子产品或者是智能设备有的有使用直流电源＆电池或AC电源的供电系统，系统由于负载电流的增加，在使用过程中可能存在瞬态电流的冲击，瞬间的尖峰电流会对器件产生过高的电压或电流应力。以下器件的内部分析如下：物理分析内部故障情况图片；以下为具体的驱动控制
自旋电子器件节能机制发现
记者8月15日从中国科学院宁波材料技术与工程研究所获悉，该所柔性磁电功能材料与器件团队在新一代自旋电子器件研究领域取得关键突破。研究人员利用“非传统标度律”，将器件内部阻碍电子运动的“绊脚石”，转变成提升性能的“加油站”，为破解自旋电子器件面临的核心瓶颈提供了全新思路。相关研究论文在线发表于《自
电子元器件作用及特点解析
每当我们拆开电子产品时，看到电子线路板上密密麻麻的配件都十分惊讶：电子产品的运行全靠它们！喜欢动手的你对电子元器件肯定不会陌生，就算是叫不出名字，但也能大致了解其功能，但所谓学到老，活到老，好学的我们肯定不会拒绝学习进步的！ 接下来，小编就跟大家来深入地了解电子元器件。电子元器件是电子元件和
2024上海电子元器件展网站首页
电子元器件展，电子仪器仪表展，电子仪器仪表展，电子元器件展，电子设备展，电子设备展，电子元器件展览会，电子仪器展，电子仪器展，电仪器展览会，继电器展，电容器展，连接器展，集成电路展2024上海国际电子元器件材料设备展览会地点：上海国际博览中心2024年11月18-20日【指导单位】中国电子器材有限公
柔性可穿戴电子器件取得进展
本报讯 当前人工智能快速发展，各种类人功能智能机器人层出不穷，触觉感知是人类和未来智能机器探索物理世界的基础性功能之一，发展具有触觉功能的仿生电子皮肤柔性感知器件，并实现器件与柔软组织间的机械匹配性具有重要的科学意义和应用价值。 近日，受指纹能够感知物体表面纹理的启发，中国科学院苏州纳米技术与纳
集成光电子器件的发展
如同电子器件那样,光电子器件也要走向集成化。虽然不是所有的光电子器件都要集成,但会有相当的一部分是需要而且是可以集成的。目前正在发展的PLC-平面光波导线路,如同一块印刷电路板,可以把光电子器件组装于其上,也可以直接集成为一个光电子器件。要实现FTTH也好,ASON也好,都需要有新的、体积小的和廉价
电子电度表功率表工作原理
电子电度表功率表当电度表接入被测电路后，被测电路电压U加在电压线圈上，在其铁芯中形成一个交变的磁通，这个磁通的一部分ΦU由回磁极穿过铝盘到回到电压线圈的铁芯中；同理，被测电路电流I通过电流线圈后，也要在电流线圈的U形铁芯中形成一个交变磁通Φi，这个磁通由U形成铁芯的一端由下至上穿过铝盘，然后又由上至
电子元件应对高功率电平的途径
它能处理多大的功率？这是对发射机中的大多数元件不可避免要问的一个问题，而且通常问的是无源元件，比如滤波器、耦合器和天线。但随着微波真空管(如行波管(TWT))和核心有源器件(如硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管和氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET))的功率电平的日益增加，当安装在精心设
新研究有助催生低功率电子设备
很长时间以来，科学家就预测，电子可像水一样流动，但电子的这种行为一直未被观察到。现在，以色列科学家在最新一期《自然》杂志刊文称，他们首次观测到电子的这一奇特行为，这一最新研究有望催生低功率电子设备。 魏兹曼科学研究所的沙哈尔·伊拉尼教授说：“理论表明，液态电子可以做到其他类电子做不到的事情。但
元器件展会|2024上海国际电子显示器件展览会「上海元器件展」
展会概况展会名称：2024中国（上海）国际电子展览会展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际博览中心展会规模：50,000平方米、800家展商、90,000名专业观众 展会介绍： 电子产业是电子信息产业的基础支撑，中国电子元器
中国电子元器件展|2024上海国际光电子器件展览会「点击咨询」
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2024中国·电子元器件展|2024中国国际电子元器件展览会
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高功率射频及微波无源器件中的考虑和限制－（一）
RF和微波无源元件承受许多设计约束和性能指标的负担。根据应用的功率要求，对材料和设计性能的要求可以显着提高。例如，在高功率电信和军用雷达/干扰应用中，需要高性能水平以及极高功率水平。许多材料和技术无法承受这些应用所需的功率水平，因此必须使用专门的组件，材料和技术来满足这些极端的应用要求。
高功率射频及微波无源器件中的考虑和限制－（二）
适配器和终端 由于每个适配器和终端都会引入不必要的插入损耗和反射，因此仔细选择正确的组件可以防止不必要的信号降级并可能对敏感电子设备造 适配器和终端有多种形式，通常是同轴或波导，用于高功率应用。另外，适配器可能更复杂，因为适配器任一端的尺寸和类型可能不同。此外，适配器本身可
电子工程师必会十大电子元器件（二）
5.半导体二极管 半导体二极管是由一个PN结焊上两根电极引线，再加上外壳封装而构成的。二极管的单向导电特性可用伏-安特性曲线表示。半导体二极管种类很多，按材料分有锗二极管，硅二极管和砷化镓二极管等；按结构分有点接触二极管和面接触二极管；按工作原理分隧道二极管，雪崩二极管，变容二极管等；按用途分
电子工程师必会十大电子元器件（一）
谈到电阻器，相信很多人首先想到的是中学时老师课桌上放着的那个大大的滑动变阻器，其实今天的电子技术早已今非昔比。当看到手机上那密密麻麻的黑色器件时，你会认出它就是电阻器吗？贴片封装的元器件早已走进我们的生活，下面的内容是立创君整理的电子工程师必会十大电子元器件简述。 1.电阻器 在电工和电子技
2024上海2024亚洲电子器件展|电子材料展|电子生产设备展|
2024上海国际电子制造设备展览会 时间： 2024年11月18-20日 地点： 上海新国际博览中心主办：中国电子器材有限公司协办：香港贸易发展局 台湾区电机电子工业同业公会 韩国电子产业振兴会 日本电子展协会 中国电子元件行业协会展会背景：电子
展商报名!电子元器件材料设备展会2025年深圳国际电子元器件材料设备展会官网
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电子元器件展|2024年中国电子元器件及仪器仪表展览会
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功率电子PFC系统的EMI分析与设计（一）
功率电子系统对于高频的EMI的设计－我提供正向设计思路参考；A．确认有哪些噪声源；B．分析噪声源的特性；相关资料可以通过网络搜索作者名字下载或观看；（我的理论：先分析再设计；了解噪声源头特性是关键）！C．确认噪声源的传递路径；这也是我们大多数工程师处理EMI－Issue时的着手点；（处理的手段和方法
功率电子PFC系统的EMI分析与设计（二）
我先分析系统的骚扰源的情况：差模骚扰的产生主要是由于开关管工作在开关状态，当开关管开通时流过电源线的电流线性上升，开关管关断时电流突变为零．因此，流过电源线的电流为高频的三角脉动电流，含有丰富的高频谐波分量，随着频率的升高，该谐波分量的幅度越来越小，因此差模骚扰随频率的升高而降低；共模骚扰的产生主要
功率电子PFC系统的EMI分析与设计（三）
电源与大地的分布电容比较分散，其它的分布参数我先不作分析；从原理设计图来看，VT2的D极与散热器之间耦合电容的作用最大，从BD1到电感LB之间的电压为100Hz，而从L3到VD1和VT2的D极之间的连线的电压均为方波（梯形波）电压，含有大量的高次谐波。其次LB的影响也比较大，但LB与机壳的距离比较远
2024年深圳电子元器件展—2024年深圳电子展
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深圳电子元器件展2024深圳电子生产设备展览会
2024电子元器件展｜2024深圳国际电子元器件展览会「官网」展览时间：2024年4月9-11日展会时间：2024年4月9日-11日论坛时间：2024年4月9日-11日展会地点：深圳国际博览中心展会规模：50,000平方米、800家展商、90,000名专业观众前瞻布局 赋能行业发展在全球“双碳”背景
【全球电子工业的重要盛会——2024深圳电子元器件展】
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电子元器件无源元件识别与检测方法
电子元器件无源元件识别与检测方法步骤如下：1、测整流电桥各脚的极性。2、判断晶振的好坏。3、单向晶闸管检测。4、双向晶闸管的极性识别。5、检查发光数码管的好坏。6、判别结型场效应管的电极。7、三极管电极的判别。8、电位器的好坏判别。