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在02国家重大专项的支持下，中国科学院上海微系统与信息技术研究所在石墨烯研究中取得新进展：采用铜蒸气辅助，在Cu-Ni合金衬底上实现AB堆垛双层石墨烯（ABBG）的快速生长，典型单晶畴尺寸约300微米，生长时间约10分钟，速度比现有报道提高约一个数量级。研究论文于2月24日在small 上在线发表（C. Yang, et al., Copper-Vapor-Assisted Rapid Synthesis of Large AB-Stacked Bilayer Graphene Domains on Cu-Ni Alloy, DOI: 10.1002/smll.201503658）。 ABBG可以通过电场产生可调带隙，对于石墨烯在逻辑器件及光电子器件等方向的应用具有重要价值，但如何快速生长大晶畴ABBG仍然是一个亟待解决的技术难题。传统Cu衬底上的表面催化机理由于自限制效应严重阻碍了第二层石墨烯的生长，而Ni衬底上的溶解析......阅读全文
石墨烯因其独特的晶格结构而具有诸多优异性能，但其零能隙特征极大地限制了它在电子学器件上的应用。近年来，中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心纳米物理与器件重点实验室研究员、中科院院士高鸿钧带领的研究团队在石墨烯及类石墨烯二维原子晶体材料的制备、物性调控及应用等方面开展研究，取得了一系列
中科院上海微系统所石墨烯研究团队采用铜蒸气辅助，在Cu-Ni合金衬底上实现了AB堆垛双层石墨烯（ABBG）的快速生长，典型单晶畴尺寸约300微米，生长时间约10分钟，速度比现有报道提高约一个数量级。相关成果近日在线发表于《微尺度》杂志。 ABBG可通过电场产生可调带隙，对石墨烯在逻辑器件及光电