高功率极低发散角圆形光束半导体边发射激光器重要成果
3月15日，第十一届全国激光技术与光电子学学术会议暨“2015中国光学重要成果”发布会和颁奖典礼在上海举行。我所发光室佟存柱研究员团队 “高功率极低发散角圆形光束半导体边发射激光器”的研究工作入选了“2015中国光学重要成果”。 半导体激光器自1962年诞生以来已经获得了广泛的应用，但其依然存在一个饱受诟病的缺点，即大的发散角和椭圆出光。通常垂直方向发散角半角大于30°，水平方向10°左右，这导致较低的光束质量和较差的可聚焦性。虽然通过光学方法可改善并实现大功率直接半导体激光光源，但光源最终光束质量仍将受限于单元器件光束质量。针对上述难题，佟存柱研究员团队采用双边布拉格反射波导结构，通过光子带隙原理实现光场的控制，最终实现半角定义发散角小于5°的圆形光束半导体激光器，95%能量对应垂直发散角仅9.8°(国际报道最好为15.6°)，并且在不同电流驱动下均保持圆形光束出光，器件最高连续输出功率4.6W，直接的光纤耦合实验证......阅读全文
常用的半导体激光器的应用
量子阱半导体大功率激光器在精密机械零件的激光加工方面有重要应用，同时也成为固体激光器最理想的、高效率泵浦光源.由于它的高效率、高可*性和小型化的优点，导致了固体激光器的不断更新。在印刷业和医学领域，高功率半导体激光器也有应用.另外，如长波长激光器(1976年，人们用Ga[nAsP/InP实现了长波长
半导体激光器发射激光的条件
我们的半导体激光器具有高稳定性、率、高可靠性、低噪声和的激光光束质量等特点。非常适合OEM设计,科学研究和工业使用。 半导体激光器与气体激光器、液体激光器等有一定的区别，半导体激光器中是以半导体材料来做工作物质的，那么大家知道半导体激光器发射激光的条件是什么吗？下面中国传感器交易网的专家来给大家
半导体激光器的发展过程
在1962年7月召开的固体器件研究国际会议上，美国麻省理工学院林肯实验室的两名学者克耶斯（Keyes）和奎斯特（Quist）报告了砷化镓材料的光发射现象，这引起通用电气研究实验室工程师哈尔（Hall）的极大兴趣，在会后回家的火车上他写下了有关数据。回到家后，哈尔立即制定了研制半导体激光器的计划，并与
半导体激光器的技术发展
半导体激光器俗称激光二极管，因为其用半导体材料作为工作物质的特性所以被称为半导体激光器。半导体激光器由光纤耦合半导体激光器模块、合束器件、激光传能光缆、电源系统、控制系统及机械结构等构成，在电源系统和控制系统的驱动和监控下实现激光输出。一、半导体激光器简介半导体激光器俗称激光二极管，因为其用半导体材
InGaAsSb半导体激光器欧姆接触的研究
主要研究了InGaAsSb半导体激光器的欧姆接触特性。在对课题的研究背景、国内外发展状况进行简单的介绍的基础上,阐述了半导体激光器系统和Ⅲ-Ⅴ族材料的性质,并详述了InGaAsSb半导体激光器的主要用途、优势以及目前的研究进展。分析了金属与半导体整流接触及欧姆接触的相关原理,设计了一种GaSb基半导
InGaAsSb半导体激光器欧姆接触的研究
本文主要研究了InGaAsSb半导体激光器的欧姆接触特性。在对课题的研究背景、国内外发展状况进行简单的介绍的基础上,阐述了半导体激光器系统和Ⅲ-Ⅴ族材料的性质,并详述了InGaAsSb半导体激光器的主要用途、优势以及目前的研究进展。分析了金属与半导体整流接触及欧姆接触的相关原理,设计了一种GaSb基
半导体激光器的功能及介质介绍
半导体激光器又称激光二极管，是用半导体材料作为工作物质的激光器。由于物质结构上的差异，不同种类产生激光的具体过程比较特殊。常用工作物质有砷化镓（GaAs）、硫化镉（CdS）、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)等。激励方式有电注入、电子束激励和光泵浦三种形式。 半导体激光器件，可分为同质结、单异质结、
半导体激光器与氦氖激光的对比
波长越短测量精度越高。氦氖激光波长632.8纳米，显然优于半导体激光635纳米和650纳米。 氦氖激光线宽窄稳定性高在诸多激光器中是的，这已经是光学界的共识。 半导体激光器的线宽在各种激光器中是zui宽的，可以达到几十至几百cm-1，也就是说半导体激光器的单色性是zui差的。 从激光原理看，激
激光粒度仪关于氦氖激光器与半导体激光器的对比
波长越短测量精度越高。氦氖激光波长632.8纳米，显然优于半导体激光635纳米和650纳米。氦氖激光线宽窄稳定性高在诸多激光器中是的，这已经是光学界的共识。半导体激光器的线宽在各种激光器中是zui宽的，可以达到几十至几百cm-1，也就是说半导体激光器的单色性是zui差的。从激光原理看，激光发光与跃
激光粒度仪关于氦氖激光器与半导体激光器的对比
波长越短测量精度越高。氦氖激光波长632.8纳米，显然优于半导体激光635纳米和650纳米。氦氖激光线宽窄稳定性高在诸多激光器中是的，这已经是光学界的共识。半导体激光器的线宽在各种激光器中是zui宽的，可以达到几十至几百cm-1，也就是说半导体激光器的单色性是zui差的。从激光原理看，激光发光与跃迁
半导体所研制出GaN基紫外激光器
12月14日，中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室研究员赵德刚团队研制出GaN基紫外激光器。GaN被称为第三代半导体，在光电子学和微电子学领域有广泛的应用，其中GaN基紫外激光器在紫外固化、紫外杀菌等领域有重要的应用价值，也是国际上的研究热点。GaN基紫外激光器技术难度很大，目前国际
半导体二极管激光器的特性
(1) 体积小，重量轻；(2) 驱动功率和电流较低；(3) 效率高、工作寿命长；(4) 可直接电调制；(5) 易于与各种光电子器件实现光电子集成；(6) 与半导体制造技术兼容；可大批量生产。由于这些特点，半导体激光器自问世以来得到了世界各国的广泛关注与研究。成为世界上发展最快、应用最广泛、最早走出实
半导体激光器的关键技术有哪些
半导体激光器的关键技术有哪些 半导体激光器是激光器中可以说是较为实用重要的激光器种类，也广泛应用于印刷业和医学领域，也因此成为了热卖产品，加快了以取代激光打标机市场份额的步伐，非常值得人深思。它是电流注入型半导体PN结光发射器件，具有体积小、重量轻、直接调制、宽带宽，转换效率高、高可靠和易
半导体激光器助力生命科学研究
Qioptiq激光器如何提高生命科学仪器的性能？在生命科学仪器如流式细胞仪中，提高仪器性能关注的问题：1. 把聚焦的光束打到一个流动的，且小于100μm宽的样品上。为了从流动的目标上得到有意义的数据，这样就必须保证探测器和光源具有非常好的稳定性，它们两个中任何一个有移动的话，都会产生图像抖动和降低分
半导体激光器的关键技术有哪些
半导体激光器是激光器中可以说是较为实用重要的激光器种类，也广泛应用于印刷业和医学领域，也因此成为了热卖产品，加快了以取代激光打标机市场份额的步伐，非常值得人深思。它是电流注入型半导体PN结光发射器件，具有体积小、重量轻、直接调制、宽带宽，转换效率高、高可靠和易于集成等特点，产品波长覆盖范围从40
852nm窄线宽半导体激光器问世
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/12/514985.shtm
半导体二极管激光器的应用
半导体二极管激光器是最实用最重要的一类激光器。它体积小、寿命长，并可采用简单的注入电流的方式来泵浦，其工作电压和电流与集成电路兼容，因而可与之单片集成。并且还可以用高达GHz的频率直接进行电流调制以获得高速调制的激光输出。由于这些优点，半导体二极管激光器在激光通信、光存储、光陀螺、激光打印、测距以及
半导体所制备成功太赫兹量子级联激光器
中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室、低维半导体材料与器件北京市重点实验室，在科技部、国家自然科学基金委及中科院等项目的支持下，经过努力探索，制备成功太赫兹量子级联激光器和红外量子级联激光器(QCL)系列产品系列产品。 太赫兹(THz)量子级联激光器是一种通过在半导体异质结
半导体激光器在电子焊接领域的应用
高密度互连随着电子器件和集成电路的微型发展，使得传统的软熔焊接方法不断受到挑战。如何在高密度相互连接中成功地完成对每个细小的焊脚的焊接，而不造成相邻焊脚间的粘连和电路板的热损坏，采用激光进行无接触焊接成为解决方案之一。以前，能够提供足够功率的激光器大多体积庞大、日常维护成本高，因此很不实用。但是，随
常见半导体激光器的工作波段有哪些
波长紫光：400~410nm蓝光：445~450nm，462~465nm绿光：510~520nm橙红及红光：635~638nm，650~660nm红外光：780~2000nm
蓝绿光半导体激光器将国产化
记者1日从中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所（以下简称中科院苏州纳米所）获悉,该研究所与多家企业合作,成立了国内首家氮化镓基蓝绿光半导体激光器材料和器件生产企业。 这意味着,被国外垄断的蓝绿光半导体激光器将实现国产化。 氮化镓基蓝绿光半导体激光器是第三代半导体材料的重要方向。尽管目前它在市场
光谱分析仪的光源半导体激光器与普通激光器对比
半导体激光器与普通激光器相比还有很多优点。它是目前所有激光器中体积最小、效率最高的一种激光器，而且操作简单，使用寿命长（约105h）但是它也存在很多不足之处：首先，二极管激光器的可调谐波长范围只有20nm 左右，这就意味着要获得宽的波长范围，就需要很多二极管激光器；其次，二极管激光器的可用输出波长通
固体激光器和半导体激光器在结构和原理上有什么异同
半导体二极管激光器是实用中最重要的一类激光器。它体积小、寿命长，并可采用简单的注入电流的方式来泵浦其工作电压和电流与集成电路兼容，因而可与之单片集成。并且还可以用高达GHz的频率直接进行电流调制以获得高速调制的激光输出。由于这些优点，半导体二极管激光器在激光通信、光存储、光陀螺、激光打印、测距以
半导体泵浦铯蒸气激光器国内首次出光
继2012年5月18日实现铷蒸气激光输出，2013年10月23日，中科院电子学研究所高功率气体激光技术部(五室)成功实现了半导体泵浦铯蒸气激光器国内首次出光。 半导体泵浦铯蒸气激光器属于半导体泵浦碱金属激光器(Diode Pumped Alkali Laser，DPAL)，是一种新型的
带您更加深入的了解半导体激光器
半导体激光器是用半导体材料作为工作物质的激光器，以半导体材料为增益介质，在各类激光器中拥有能量转化效率，同时还具有体积小、重量轻、寿命长、可靠性高、能耗低等优点，因此被广泛应用于激光通信、光存储、光陀螺、激光打印、测距以及雷达等多个领域。 半导体激光器是以半导体材料为工作物质的一类激光器件。它诞
半导体激光器：向“换道超车”的目标进发
郑婉华（左三）团队在人民大会堂合影。 半导体激光器是当今最重要的激光光源，它输出功率大，电光转换效率高。但是，普通半导体激光器光束发散角大、汇聚能力低、光束质量差，使用中需要配合特定的整形光路，这使得系统变得复杂，制约其广泛应用。 中国科学院半导体研究所郑婉华研究员及其研究团队长
美用迄今最薄半导体造出新型纳米激光器
美国科学家们利用迄今最纤薄(仅为三个原子厚)的半导体，制造出一种新型纳米激光器，其不仅能效更高，容易制造且可与目前的电子设备兼容。研究人员表示，这一研究成果为最终制造出用光而非电子传输信息的下一代计算设备奠定了坚实的基础。 从医疗到金属切割再到电子产品，激光器都在其中扮演重要角色，但为了满足
半导体二极管激光器的工作原理
根据固体的能带理论，半导体材料中电子的能级形成能带。高能量的为导带，低能量的为价带，两带被禁带分开。引入半导体的非平衡电子-空穴对复合时，把释放的能量以发光形式辐射出去，这就是载流子的复合发光。一般所用的半导体材料有两大类，直接带隙材料和间接带隙材料，其中直接带隙半导体材料如GaAs（砷化镓）比间接
半导体二极管激光器的工作原理
根据固体的能带理论，半导体材料中电子的能级形成能带。高能量的为导带，低能量的为价带，两带被禁带分开。引入半导体的非平衡电子-空穴对复合时，把释放的能量以发光形式辐射出去，这就是载流子的复合发光。一般所用的半导体材料有两大类，直接带隙材料和间接带隙材料，其中直接带隙半导体材料如GaAs（砷化镓）比间接
半导体激光器的5大基本组成结构
半导体激光器俗称为激光二极管，因为其用半导体材料作为工作物质的特性，所以被称为半导体激光器。通常采用的工作物质有砷化镓、硫化镉、磷化铟等，可以作为光纤激光器和固体激光器的泵浦源，也可以直接输出激光作为光源。随着半导体技术的不断深入发展，市场需求不断转向。应用领域也不断发生变化。从小功率设备，发